DT71F10KSL-A [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM);
| 型号： | DT71F10KSL-A |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM) 局域网 栅 栅极 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：239K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 71 F
screwing depth
max. 12
fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
G2
K2
K1
G1
15
25
25
13,3 5
80
94
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK Febr. 1997
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM 800 1000 1100 1200
V
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max
1300 1400
VDSM = VDRM
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
ITRMSM
+ 100
180
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
71
A
tc = 50°C
115
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
ITSM
2400
2100
28800
22000
A
A
òi2dt-value
òi2dt
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of on-state current vD £ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
160 A/µs
1)
2)
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50
500
50 V/µs
500 V/µs
50 V/µs
500 V/µs
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 350 A
tvj = tvj max
vT
max. 2,6
V
V
threshold voltage
slope resistance
VT(TO)
rT
1,3
3,1
tvj = tvj max
mW
mA
V
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max. 150
max. 2
Zündspannung
tvj = 25 °C, vD = 6 V
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
tvj = tvj max, vD = 6 V
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
mA
V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 W
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 W
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs
mA
A
Einraststrom
latching current
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tgd
tq
max. 1,4
µs
µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
S: max. 18
E: max. 20
F: max. 25
3
µs
µs
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Innerer Wärmewiderstand
Q =180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max. 0,15 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,03 °C/W
max. 0,142 °C/W
max. 0,284 °C/W
max. 0,03 °C/W
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
pro Zweig/per arm
max. junction temperature
max. 0,06 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische mounting torque
internal insulation
AIN
6
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
M2
Nm
Nm
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
6
Anschlüsse
Gewicht
weight
G
typ. 430
14
g
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
creepage distance
vibration resistance
outline
mm
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s²
1
Maßbild
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
2)
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V RRM £ 800 V und DD 121 S bei VRRM £ 1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V RRM £ 800 V and DD 121 S at VRRM £ 1000 V
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 71 F
3
2
300
t
= 60°C
C
f
[kHz]
Parameter: f [kHz]
50...400Hz
0,4
50 Hz
1
0
0
200
150
i
i
TM
TM
3
10
1
2
[A]
[A]
8
6
3
4
100
80
2
1
0,4
0,1 50 Hz
0,25
2
5
3
2
2
5
60
50
10
3
8
6
40
5
t
= 60°C
4
c
3
71 F/1
3 TT
300 TT 71 F/4
t
= 80°C
C
2
Parameter: f [kHz]
0
200
150
i
TM
i
TM
3
f
[kHz]
50...400Hz
50 Hz
10
0
[A]
[A]
8
6
1
0,4
2
4
100
80
1
0,25
1
0,4
0,1 50 Hz
3
2
2
2
3
5
2
5
60
50
10
8
6
40
3
5
t
= 80°C
c
4
30TT 71 F/5
300
3 TT
3
71 F/2
t
= 100°C
C
2
Parameter: f [kHz]
0
i
200
150
TM
1 0
i
TM
3
[A]
[A]
8
6
f
[kHz]
50...400Hz
50 Hz
4
0
100
80
1
0,4
2
2
2
1
0,1
0,4
0,25
50 Hz
2
60
50
3
3
1 0
1
8
5
6
40
5
t
= 100°C
6
4
3
c
3
2
30
4 0 60
100
200
µs
6
1 0
400 600
1
2
4
t
5
8
10
20
40
60
80 100
ms
TT 71 F/6
± di /dt [A/µs]
T
TT 71 F/3
p
Bild / Fig. 1, 2, 3
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
Gehäusetemperatur t ;
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,
C
DRM
C
Vorwärts-Sperrspannung V
£ 0,67 V
;
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
DM
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,
q
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
D
Ausschaltverlustleistung:
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 600 V/µs
0
R
_______
Betrieb mit antiparalleler Diode oder
und Anstieg auf v
RM
£ 0,67 V
RRM;
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v
R
£ 50 V.
R
RM
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten
0
_ _ _ _ _
dv /dt £ 600 V/µs und Anstieg auf v
= 0,67 V
RM RRM
.
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und
R
Anstieg auf V
£ 50 V.
RM
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
C
C,
forward off-state voltage v
£ 0.67 V
,
DM
DRM
forward off-state voltage v
£ 0,67 V ,
DM
DRM
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,
q
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,
q
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.
D
Turn-of losses:
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 600V/µs
Operation with inverse paralleled diod or
0
R
and rise up to v
£ 0.67 V
;
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v
£ 50 V.
= 0.67 V
RM
RRM
R
RM
RM
_ _ _ _ _
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for
dv /dt £ 600 V/µs rising up to v
.
RRM
0
R
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to
R
v
RM
£ 50 V.
i
i
RC-Glied/RC network:
RC-Glied/RC network:
-di /dt
T
.
.
v
i
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
DM [V]
TM
TM
R
C
R
t
t
C
£ 0,15µF
C £ 0,22µF
+di/dt
_
T
t
p
C
2
_
1
f0
_
1
f0
T=
T=
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
i
G
G
a
a
TT 71 F
3
2
3
2
± di /dt = 25 A/µs
± di /dt = 25 A/µs
T
T
1
4
2
6
10
1
2
4
6
10
W
[Ws]
W
[Ws]
0,6
0,6
tot
tot
i
i
0,4
0,2
0,4
TM
TM
3
3
1 0
10
[A]
[A]
8
6
8
6
0,2
0,1
4
4
0,1
0,06
2
2
2
2
0,04
0,03
0,02
0,06
0,04
1 0
10
8
8
0,015
6
6
0,03
0,01
TT 71 F/7
1
4
3
4
3 TT
3
71 F/10
3
2
± di /dt = 50 A/µs
± di /dt = 50 A/µs
T
T
1
2
2
4
10
4
6
6
10
2
W
[Ws]
W
[Ws]
tot
tot
i
i
0,6
0,4
0,2
TM
TM
0,6
0,4
3
3
10
[A]
1 0
[A]
8
6
8
6
0,2
4
4
0,15
0,1
2
2
2
2
0,1
0,06
0,08
0,06
0,04
0,03
10
1 0
8
6
8
6
0,02
0105,
0,05
0,04
4
3
4
3
TT 71 F/8
3 TT
71 F/11
2
3
± di /dt = 100 A/µs
± di /dt = 100 A/µs
T
T
2
4
6
10
4
6
10
2
2
W
[Ws]
W
[Ws]
tot
tot
i
i
1
TM
1 0
1
TM
3
3
1 0
[A]
0,6
0,4
[A]
8
6
8
6
0,6
0,4
0,3
4
4
0,2
0,2
0,1
2
2
2
2
0,15
0,06
0,1
0,04
0,03
1 0
1 0
8
6
8
6
0,08
0,02
0,015
0,06
4
3
4
3
40 60
100
200
µs
6
1 0
4 0
400 600
1
2
4
60
100
200
µs
400 600
1
2
4
t
6
10
ms
ms
TT 71 F/9
t
w
TT 71 F/12
w
Bild / Fig. 7, 8, 9
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
tot
tot
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
£ 50V,
£ 0,67V
,
RRM
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 600 V/µs.
R
R
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
trapezoidal current pulse for one arm at:
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di /dt,
given rate of rise of on-state current di /dt,
T
T
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
,
forward off-state voltage v
DM
£ 0,67 V
,
DM
RM
DRM
DRM
maximum reverse voltage v
£ 50 V,
maximum reverse voltage v
£ 0.67 V
,
RM
RRM
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 600 V/µs.
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM
TM
-di /dt
-di /dt
di /dt
T
di /dt
T
T
T
t
t
t
t
w
w
RC-Glied/RC network:
.
RC-Glied/RC network:
.
Steuergenerator/Pulse generator:
i = 0,6 A, t = 1µs
G
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
i
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
a
G
a
C
£ 0,22µF
C
£ 0,22µF
TT 71 F
10k
3000
6000
2
4
10
6
W
[Ws]
P
+ PT [kW]
tot
TT
40
1
0,6
i
i
T
TM
1000
[A]
20
10
0,4
200
0
[A]
100
0
6
0,2
4
600
2
600
0,1
0,06
400
200
1
0,6
400
200
100
0,04
0,4
0,2
0,1
0,02
0,01
60
40
100
60
5
0,06
0,04
mWs
4
3
20
10
mWs
0,02
40
30
40 60
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
1 0
2
4
1
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1ms
t [µs]
TT 71 F/13
ms
TT 71 F/14
t
p
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
leistung (P + P ) je Zweig.
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen
tot
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
TT
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P + P ).
T
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal
tot
on-state current pulse for one arm.
TT
T
RC-Glied/RC network:
i
Lastkreis/load circuit:
T
.
vDM [V]
v
v
£ 0,67 V
DRM
R[W] ³ 0,02
DM
RM
i
R
C
TM
£
50 V
C
£ 0,15µF
dv /dt £ 100 V/µs
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
G
a
30
20
100
60
v
10
8
t
gd
G
20
c
[V]
b
[µs]
6
a
10
4
2
6
4
2
1
0,8
0,6
a
1
0,6
0,4
0,4
b
0,2
0,1
0,2
0,1
600
600
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
A
A
i
i
G
TT 71 F/15
TT 71 F/16
G
Bild / Fig. 15
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
,
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
gd
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.
a
vj
areas, v = f(i ), v = 6 V
G
G
D
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
Parameter:
a
b
c
____________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t [ms] 10
1
0,5
______________________________g______________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W]
20
40
60
____________________________________________________
i
TM = 500 A
600
[µAs]
Q
200 A
r
500
400
300
200
100
100 A
50 A
20 A
10 A
150
- di /dt [A/µs]
0
50
100
200
T
TT 71 F/17
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)
r
t
= t
, v = 0,5 V
, v
= 0,8 V
vj
vj max
R
RRM RM
RRM
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
TM
Recovert charge Q = f(di/dt)
/
r
t
= t
vj max
, vR = 0,5 V
, v
RRM RM
= 0,8 V
vj
Parameter: on-state current I
TM
TT 71 F
0,440
0,480
0,400
0,440
[°C/W]
[°C/W]
thJC
0,360
0,320
0,280
Z
Z
0
q
thJC
0
q
0,320
0,280
0,240
0,200
0,160
0,120
q =
0,240
0,200
0,160
0,120
0,080
30°
q =
30°
60°
90°
60°
120°
180°
90°
120°
180°
0,080
0,040
0
0,040
0
DC
-3
2
0
1
-2
-1
-2
-1
10
0
1
2
2
4 6 810
10
2
4 6 810
2
4
6 810
2
4
6 810
2
4 6 810
4
2
3 4 6 810
2
3
4
6 810
10
2
3 4 6 8
2
3
6 810
TT 71 F16/19
TT 71 F15.1/18
t [s]
t [s]
Bild / Fig. 19
Bild / Fig. 18
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
(th)JC
Transient thermal impedance, junction zo case, per arm Z
(th)JC
,junction to case.
.
Transient thermal impedance per arm Z
(th)JC
(th)JC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,002
0,028
0,076
0,085
0,095
0,399
0,083
2,68
thn
t
[s]
0,00031 0,00314
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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