F3L75R07W2E3B11BOMA1 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor;


型号：	F3L75R07W2E3B11BOMA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor 栅
文件：	总11页 (文件大小：760K)
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

EasyPACKꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 650V

I_{C nom}= 75A / I_CRM= 150A

TypischeꢀAnwendungen

• 3-Level-Applikationen

• SolarꢀAnwendungen

• USV-Systeme

TypicalꢀApplications

• 3-Level-Applications

• SolarꢀApplications

• UPSꢀSystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V

• NiederinduktivesꢀDesign

• NiedrigeꢀSchaltverluste

ElectricalꢀFeatures

• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V

• Lowꢀinductiveꢀdesign

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• LowꢀV_CEsat

• NiedrigesꢀV_CEsat

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

Widerstand

• KompaktesꢀDesign

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• Robuste Montage durch integrierte

• Rugged mounting due to integrated mounting

Befestigungsklammern

clamps

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

650

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 75°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

150

250

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 1,20 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

0,80

0,0

4,60

0,145

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 650 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,025

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,02

0,023

0,024

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,20

0,225

0,23

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,085

0,12

0,14

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 300 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3100 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

0,45

0,60

0,70

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 300 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

1,70

2,30

2,40

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

530

380

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,55 0,60 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,55

K/W

°C

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

650

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

150

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

490

460

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 75 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,55 1,95

1,50

1,45

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 75 A, - di_F/dt = 3600 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 300 V

V_GE= -15 V

95,0

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

ꢀ

105

110

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 75 A, - di_F/dt = 3600 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 300 V

V_GE= -15 V

3,70

6,40

7,00

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 75 A, - di_F/dt = 3600 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 300 V

V_GE= -15 V

0,90

1,50

1,75

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,70 0,80 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,70

K/W

°C

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀD5-D6ꢀ/ꢀDiode,ꢀD5-D6

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

650

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

150

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

1500

1400

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 75 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,85

1,35

1,30

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 75 A, - di_F/dt = 3100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 300 V

82,0

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

ꢀ

100

105

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 75 A, - di_F/dt = 3100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 300 V

3,70

7,00

8,00

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 75 A, - di_F/dt = 3100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 300 V

1,00

1,80

2,05

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,60 0,65 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,50

K/W

°C

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_C= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

ꢀ

-5

ꢀ

5,00

ꢀ

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_C= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_C= 25°C

ꢀ

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

ꢀ

3375

3411

3433

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

11,5

6,3

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

10,0

5,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 200

ꢀ

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

L_sCE

ꢀ

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

R_CC'+EE'

ꢀ

2,00

ꢀ

mΩ

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

ꢀ

T_stg

-40

ꢀ

125

ꢀ

°C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder

mountig force per clamp

Gewicht

Weight

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt

The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

150

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

V_GE= 9V

135

120

105

135

120

105

0,0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

2,4

2,8

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ300ꢀV

150

5,0

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 150°C

4,0

135

120

105

4,5

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

V_GE[V]

I_C[A]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ300ꢀV

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJH: IGBT

E_off, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 150°C

0,1

r_i[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506

τ_i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,01

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

0,001

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

165

150

I_C, Modul

T_vj= 25°C

I_C, Chip

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

150

135

120

105

135

120

105

100 200 300 400 500 600 700 800

0,0

0,4

0,8

1,2

V_F[V]

1,6

2,0

2,4

V_CE[V]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ300ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ300ꢀV

4,0

3,0

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

3,5

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

I_F[A]

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

150

Z_thJH: Diode

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

135

120

105

r_i[K/W]: 0,097 0,219 0,576 0,508

τ_i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

0,0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ300ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ300ꢀV

4,0

3,0

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

3,5

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

2,7

2,4

2,1

1,8

1,5

1,2

0,9

0,6

0,3

0,0

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

I_F[A]

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

Z_thJH: Diode

R_typ

10000

1000

100

0,1

r_i[K/W]: 0,062 0,145 0,444 0,449

τ_i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

T_C[°C]

100 120 140 160

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L75R07W2E3_B11

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Nutzungsbedingungen

ꢀ

DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung

derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese

AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.

InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine

solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien

jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund

MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine

spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin

Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin

diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.

SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden

Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;

-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund

ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.

Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.

InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05

revision:ꢀ2.1

F3L75R07W2E3B11BOMA1 [INFINEON]

相关型号：

SI9130DB

SI9135LG-T1

SI9135LG-T1-E3

SI9135_11

SI9136_11

SI9130CG-T1-E3

SI9130LG-T1-E3

SI9130_11

SI9137

SI9137DB

SI9137LG

SI9122E