F4-75R06W1E3 [INFINEON]
EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC; EasyPACK模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和压接/ NTC
| 型号： | F4-75R06W1E3 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC |
| 文件： | 总9页 (文件大小：544K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
ϑ
V†Š» = 600V
I† ÒÓÑ = 75A / I†ç¢ = 150A
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hilfsumrichter
Auxiliary Inverters
•
•
•
•
•
•
•
•
Induktives Erwärmen und Schweißen
Solar Anwendungen
USV-Systeme
Inductive Heating and Welding
Solar Applications
UPS Systems
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Niederinduktives Design
Niedrige Schaltverluste
Trench IGBT 3
Low inductive design
Low Switching Losses
Trench IGBT 3
•
•
•
•
•
•
•
•
niedriges V†ŠÙÈÚ
Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
AlèOé Substrat für kleinen thermischen
Widerstand
AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance
•
•
Kompaktes Design
Compact Design
•
•
•
•
•
•
Lötverbindungs Technologie
Solder Contact Technology
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: DK
approved by: MB
date of publication: 2010-01-06
revision: 3.0
material no: 28312
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
75
100
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
150
275
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 75 A, V•Š = 15 V
I† = 75 A, V•Š = 15 V
I† = 75 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,45 1,90
1,60
1,70
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
4,9
5,8
0,80
0,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
4,60
0,145
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 5,1 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 5,1 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,017
0,019
0,02
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 5,1 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,20
0,22
0,23
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 5,1 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,07
0,09
0,10
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 75 A, V†Š = 300 V, L» = 45 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
0,40
0,45
0,55
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
R•ÓÒ = 5,1 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 75 A, V†Š = 300 V, L» = 45 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 4200 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
1,75
2,20
2,30
mJ
mJ
mJ
EÓËË
R•ÓËË = 5,1 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C
530
380
A
A
IȠ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,50 0,55 K/W
0,60 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
600
75
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
150
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
500
450
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
95,0
105
110
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
3,70
6,40
7,00
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
0,90
1,50
1,75
mJ
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,75 0,85 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,60
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 3.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
LÙ†Š
> 200
min. typ. max.
20
Modulinduktivität
stray inductance module
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
8,00
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
F
175
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
20
150
125
50
Lagertemperatur
storage temperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
150
150
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
135
135
120
120
105
90
75
60
45
30
15
0
105
90
75
60
45
30
15
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 5.1 Â, R•ÓËË = 5.1 Â, V†Š = 300 V
150
5,0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
135
4,5
120
4,0
105
90
75
60
45
30
15
0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
I† [A]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 75 A, V†Š = 300 V
10,0
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ™ : IGBT
9,0
8,0
7,0
6,0
5,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0,0
1
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
4
τÍ[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,0001
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 5.1 Â, TÝÎ = 150°C
175
150
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
135
150
125
100
75
120
105
90
75
60
45
30
15
0
50
25
0
0
100
200
300 400
V†Š [V]
500
600
700
0,0
0,5
1,0
VΠ[V]
1,5
2,0
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revision: 3.0
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 75 A, V†Š = 300 V
R•ÓÒ = 5.1 Â, V†Š = 300 V
3,5
2,5
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
25
50
75
IΠ[A]
100
125
150
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
10
100000
ZÚÌœ™ : Diode
RÚáÔ
1
10000
1000
100
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,1
τÍ[s]:
1
2
3
4
0,227 0,596 0,526
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
t [s]
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revision: 3.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
Infineon
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revision: 3.0
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-75R06W1E3
Nutzungsbedingungen
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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
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date of publication: 2010-01-06
revision: 3.0
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SI9130DB
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SI9135LG-T1
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SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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