F4-75R12KS4 [INFINEON]

EconoPACK™ 2 1200V 四单元 IGBT 模块,采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测;
F4-75R12KS4
型号: F4-75R12KS4
厂家: Infineon    Infineon
描述:

EconoPACK™ 2 1200V 四单元 IGBT 模块,采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测

开关 双极性晶体管
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 65°C, Tvj max = 150°C  
TC = 25°C, Tvj max = 150°C  
IC nom  
IC  
75  
100  
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
Ptot  
150  
500  
A
Gesamt-Verlustleistung  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 150  
W  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
+/-20  
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 75 A, VGE = 15 V  
IC = 75 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
3,20 3,75  
3,85  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
0,80  
5,0  
5,10  
0,30  
6,5  
V
µC  
Gateladung  
Gateꢀcharge  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
400 nA  
µs  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,12  
0,13  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,05  
0,06  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,31  
0,36  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,02  
0,03  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH  
VGE = ±15 V  
RGon = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
9,00  
3,80  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH  
VGE = ±15 V  
RGoff = 7,5 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE 15 V, VCC = 900 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP 10 µs, Tvj = 125°C  
450  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
Tvj op  
0,25 K/W  
125 °C  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
1200  
75  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
150  
2450  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
I²tꢀ-ꢀvalue  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 75 A, VGE = 0 V  
IF = 75 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,00 2,55  
1,70  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 75 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
43,0  
62,0  
A
A
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 75 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
4,50  
13,0  
µC  
µC  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 75 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
1,70  
4,70  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
Tvj op  
0,55 K/W  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
125  
°C  
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Nennwiderstand  
Ratedꢀresistance  
TC = 25°C  
R25  
R/R  
P25  
-5  
5,00  
kΩ  
AbweichungꢀvonꢀR100  
DeviationꢀofꢀR100  
TC = 100°C, R100 = 493 Ω  
5
%
Verlustleistung  
Powerꢀdissipation  
TC = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
B25/50  
B25/80  
B25/100  
3375  
t.b.d.  
t.b.d.  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.  
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
2,5  
Cu  
kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al203  
10,0  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
7,5  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 225  
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
0,02  
30  
K/W  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
2,20  
mΩ  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
3,00  
-
125 °C  
6,00 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
Gewicht  
Weight  
G
180  
g
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
150  
150  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 8V  
VGE = 9V  
VGE = 10V  
VGE = 12V  
VGE = 15V  
VGE = 20V  
135  
120  
105  
90  
75  
60  
45  
30  
15  
0
135  
120  
105  
90  
75  
60  
45  
30  
15  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)  
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ7.5ꢀ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ7.5ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
150  
27  
Tvj = 25°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
135  
120  
105  
90  
24  
21  
18  
15  
12  
9
75  
60  
45  
6
30  
3
15  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
25  
50  
75  
IC [A]  
100  
125  
150  
VGE [V]  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
35  
1
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0,1  
i:  
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0488 0,164264 0,013036 0,0239  
τi[s]:  
0,009 0,045  
0,073  
0,229  
0
0,01  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG []  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ7.5ꢀ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
175  
150  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
135  
150  
125  
100  
75  
120  
105  
90  
75  
60  
45  
30  
15  
0
50  
25  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ7.5ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
6,0  
6,0  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
5,5  
5,5  
5,0  
4,5  
4,0  
3,5  
3,0  
2,5  
2,0  
1,5  
1,0  
0,5  
0,0  
5,0  
4,5  
4,0  
3,5  
3,0  
2,5  
2,0  
1,5  
1,0  
0,5  
0,0  
0
25  
50  
75  
IF [A]  
100  
125  
150  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
RG []  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
1
100000  
ZthJC : Diode  
Rtyp  
10000  
1000  
100  
0,1  
i:  
ri[K/W]: 0,0297 0,2399 0,2153 0,0651  
τi[s]: 0,003 0,022 0,064 0,344  
1
2
3
4
0,01  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
0
20  
40  
60  
80  
TC [°C]  
100 120 140 160  
t [s]  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ2.0  
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-75R12KS4  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Nutzungsbedingungen  
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
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