FD1000R33HL3-K [INFINEON]
IHV B 3300 V 1000A 型190mm 斩波器 IGBT 模块，采用第三代 IGBT，打造优秀的中压和驱动器应用解决方案。;
| 型号： | FD1000R33HL3-K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | IHV B 3300 V 1000A 型190mm 斩波器 IGBT 模块，采用第三代 IGBT，打造优秀的中压和驱动器应用解决方案。 驱动 斩波器 双极性晶体管 驱动器 |
| 文件： | 总12页 (文件大小：600K) |
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FD1000R33HL3-K
IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode
IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode
VCES = 3300V
IC nom = 1000A / ICRM = 2000A
PotentielleꢀAnwendungen
• Chopper-Anwendungen
• Mittelspannungsantriebe
• Motorantriebe
PotentialꢀApplications
• Chopperꢀapplications
• Mediumꢀvoltageꢀconverters
• Motorꢀdrives
• Traktionsumrichter
• USV-Systeme
• Tractionꢀdrives
• UPSꢀsystems
• Windgeneratoren
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• GroßeꢀDC-Festigkeit
ElectricalꢀFeatures
• HighꢀDCꢀstability
• HoheꢀKurzschlussrobustheit
• NiedrigesꢀVCEsat
• Highꢀshort-circuitꢀcapability
• LowꢀVCEsat
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Unbeatableꢀrobustness
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
Lastwechselfestigkeit
capability
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600
• IHMꢀBꢀGehäuse
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600
• IHMꢀBꢀhousing
• IsolierteꢀBodenplatte
• Isolatedꢀbaseꢀplate
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.3
www.infineon.com
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 150°C
3300
3300
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 150°C
tP = 1 ms
1000
2000
+/-20
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 1000 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,40 2,85
2,95 3,50
3,10
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 1800 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
28,0
0,63
190
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
4,00
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1000 A, VCE = 1800 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,75 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,36
0,40
0,40
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1000 A, VCE = 1800 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,75 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,37
0,40
0,40
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1000 A, VCE = 1800 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,10
4,30
4,30
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1000 A, VCE = 1800 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 4,1 Ω, CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,40
0,40
0,40
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1000 A, VCE = 1800 V, Lσ = 85 nH
di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,75 Ω
CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1550
2150
2400
mJ
mJ
mJ
Eon
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1000 A, VCE = 1800 V, Lσ = 85 nH
du/dt = 1550 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 4,1 Ω
CGE = 220 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1600
1950
2050
mJ
mJ
mJ
Eoff
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
4300
14,5
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
11,0 K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
K/kW
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 150°C
3300
3300
VRRM
IF
IFRM
I²t
PRQM
ton min
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
1000
2000
PeriodischerꢀSpitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
375
325
kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 150°C
1600
10,0
ꢀ kW
ꢀ µs
Mindesteinschaltdauer
Minimumꢀturn-onꢀtime
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,25 2,85
2,20 2,75
2,20
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
1100
1200
1250
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
1000
1750
1950
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
1100
2100
2500
mJ
mJ
mJ
VR = 1800 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
20,0 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
16,5
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 150°C
3300
3300
VRRM
IF
IFRM
I²t
PRQM
ton min
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
1000
2000
PeriodischerꢀSpitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
375
325
kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 150°C
1600
10,0
ꢀ kW
ꢀ µs
Mindesteinschaltdauer
Minimumꢀturn-onꢀtime
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,25 2,85
2,20 2,75
2,20
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
1100
1200
1250
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
1000
1750
1950
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
1100
2100
2500
mJ
mJ
mJ
VR = 1800 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
21,5 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
16,5
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
4
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
VISOL
VCE D
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
6,0
2,6
ꢀ kV
ꢀ kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCꢀstability
Tvj = 25°C, 100 fit
2100
ꢀ
ꢀ
V
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
AlSiC
32,2
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,1
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
LsCE
> 600
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
9,0
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,19
0,28
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
150
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
4,25
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
1200
Modulinduktivität: IGBT (Zweig 1+2 parallel): 9nH; Diode (Zweig 3): 18nH
stray inductance module: IGBT (arm 1+2 parallel): 9nH; Diode (arm 3): 18nH
Datasheet
5
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
2000
2000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ4.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ220
nF
2000
9000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
1800
1600
1400
1200
1000
800
8000
Eoff, Tvj = 125°C
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
600
400
200
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
6
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀCGEꢀ=ꢀ220ꢀnF
12000
100
Eon, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
10000
8000
6000
4000
2000
0
10
1
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,36 5,618 2,629 1,49
τi[s]:
0,002 0,036 0,227 4,942
0,1
0,001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ4.1ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C,ꢀCGEꢀ=ꢀ220ꢀnF
2500
2000
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2000
1500
1000
500
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
VF [V]
Datasheet
7
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV
IFꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV
3000
3000
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
2700
2700
2400
2100
1800
1500
1200
900
2400
2100
1800
1500
1200
900
600
600
300
300
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IF [A]
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
100
2500
ZthJC : Diode
IR, Modul
2000
1500
1000
500
0
10
1
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,915 5,496 8,721 2,631
τi[s]:
0,002 0,017 0,095 4,5
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
VR [V]
Datasheet
8
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV
2000
3000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2700
Tvj = 150°C
2400
2100
1800
1500
1200
900
600
300
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
VF [V]
IF [A]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV
3000
100
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
2700
2400
2100
1800
1500
1200
900
10
1
600
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,099 7,74 6,721 4,002
300
τi[s]:
0,002 0,024 0,159 4,627
0
0,1
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
Datasheet
9
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
2500
IR, Modul
2000
1500
1000
500
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
VR [V]
Datasheet
10
Vꢀ3.3
2019-07-24
FD1000R33HL3-K
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Datasheet
11
Vꢀ3.3
2019-07-24
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2019-07-24
©ꢀ2019ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
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DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
相关型号：
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-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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