FD1600/1200R17HP4-K_B2 [INFINEON]
200% PC;
| 型号： | FD1600/1200R17HP4-K_B2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 200% PC PC |
| 文件： | 总12页 (文件大小：611K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
IHM-BꢀModulꢀmitꢀChopperꢀKonfiguration
IHM-Bꢀmoduleꢀwithꢀchopperꢀconfiguration
VCES = 1700V
IC nom = 1600A / ICRM = 3200A
TypischeꢀAnwendungen
• Chopper-Anwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Traktionsumrichter
TypicalꢀApplications
• Chopperꢀapplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Tractionꢀdrives
• Windgeneratoren
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• NiedrigesꢀVCEsat
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop
• LowꢀVCEsat
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
Lastwechselfestigkeit
capability
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit
• HoheꢀLeistungsdichte
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability
• Highꢀpowerꢀdensity
• IHMꢀBꢀGehäuse
• IHMꢀBꢀhousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
IGBT-Chopperꢀ/ꢀIGBT-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
1570
1700
1700
VCES
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
tP = 1 ms
IC nom
ICRM
Ptot
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
3200
10,5
ꢀ
ꢀ
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 1600 A, VGE = 15 V
IC = 1600 A, VGE = 15 V
IC = 1600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,90 2,25
2,30
2,40
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 64,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
17,0
0,97
130
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1570 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
4,20
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,40
0,43
0,45
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,18
0,20
0,20
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,05
1,20
1,20
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,30
0,46
0,51
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
380
500
535
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 0,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
420
570
600
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
7500
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
11,6 K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
15,0
K/kW
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
1570
1700
1700
VRRM
ꢀ
ꢀ
V
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
3200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
A
PeriodischerꢀSpitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
tP = 1 ms
IFRM
I²t
PRQM
ton min
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
630
595
kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 125°C
2400
10,0
ꢀ kW
ꢀ µs
Mindesteinschaltdauer
Minimumꢀturn-onꢀtime
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1600 A, VGE = 0 V
IF = 1600 A, VGE = 0 V
IF = 1600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,65 2,10
1,65
1,65
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1600 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
1700
1950
2000
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1600 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
450
740
840
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1600 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
250
460
525
mJ
mJ
mJ
VR = 900 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
15,9 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
16,0
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
Diode,ꢀReversꢀ/ꢀDiode,ꢀReverse
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
1570
1700
1700
VRRM
ꢀ
ꢀ
V
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
2400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
A
PeriodischerꢀSpitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
tP = 1 ms
IFRM
I²t
PRQM
ton min
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
140
130
kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 125°C
1200
10,0
ꢀ kW
ꢀ µs
Mindesteinschaltdauer
Minimumꢀturn-onꢀtime
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,80 2,20
1,90
1,95
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 7700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
1250
1350
1400
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 7700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
280
460
510
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 7700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
180
300
345
mJ
mJ
mJ
VR = 900 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
31,9 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
32,5
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
AlSiC
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
32,2
32,2
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,1
19,1
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
LsCE
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
6,0
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,15
0,24
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
150
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
4,25
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
1200
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
AusgangskennlinieꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
3200
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
2800
2400
2000
1600
1200
800
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
400
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
3200
1600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
2800
2400
2000
1600
1200
800
1400
Eoff, Tvj = 150°C
1200
1000
800
600
400
200
0
400
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
SchaltverlusteꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
3400
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
ZthJC : IGBT
3200
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
3000
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
10
1
600
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,2
6,28 2,1
1,02
400
τi[s]:
0,0016 0,037 0,348 5,9
200
0
0,1
0,001
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 11,0
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT-Chopperꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.6ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
4000
3200
IC, Modul
Tvj = 25°C
IC, Chip
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
3600
2800
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
400
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
IFꢀ=ꢀ1600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
800
700
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
700
600
500
400
300
200
100
600
500
400
300
200
100
0
400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200
IF [A]
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 11,0
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
100
4000
ZthJC : Diode
IR, Modul
3600
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
10
i:
ri[K/kW]: 3,52
τi[s]:
1
2
7,79
3
4
3,16 1,43
400
0,00141 0,0309 0,233 5,4
1
0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VR [V]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀReversꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀReverseꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀReversꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀReverseꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
2400
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
500
400
300
200
100
0
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
0
400
800
1200
IF [A]
1600
2000
2400
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀReversꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀReverseꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀReversꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀReverseꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
500
100
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
Erec, Tvj = 150°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
10
i:
ri[K/kW]: 7,06
τi[s]: 0,00141 0,0309 0,233 5,4
1
2
3
4
15,64 6,33 2,87
0
1
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 11,0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀReversꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀReverseꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
2800
IR, Modul
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VR [V]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
11
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD1600/1200R17HP4-K_B2
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ꢀ
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ꢀ
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limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
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theꢀuseꢀthereofꢀcan
reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀIB
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21
revision:ꢀV3.1
12
相关型号：
SI9130DB
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-
VISHAY
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-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
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-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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