FD600R06ME3_B11_S2 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11;
| 型号： | FD600R06ME3_B11_S2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：687K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VCES = 600V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
TypischeꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• Chopper-Anwendungen
• ChopperꢀApplications
ElektrischeꢀEigenschaften
ElectricalꢀFeatures
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
MechanischeꢀEigenschaften
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• Standardgehäuse
MechanicalꢀFeatures
• PressFITꢀContactꢀTechnology
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
IC nom
ICRM
Ptot
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
1200
2250
+/-20
A
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Totalꢀpowerꢀdissipation
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1,30 1,60
1,35
V
V
VCE sat
VGEth
QG
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
4,9
5,8
9,60
0,33
60,0
1,70
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Cres
ICES
IGES
td on
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
400 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,115
0,115
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,15
0,16
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,81
0,85
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,09
0,11
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 600 A, VCE = 150 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
4,00
6,10
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 600 A, VCE = 150 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 1500 V/µs
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
15,5
17,5
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 125°C
6300
4500
A
A
ISC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,055 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,016
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
125
°C
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
1200
20000
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
I²tꢀ-ꢀvalue
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1,15 1,45
1,05
V
V
VF
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 150 V Tvj = 125°C
80,0
150
A
A
IRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 150 V Tvj = 125°C
10,0
30,0
µC
µC
Qr
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
3,00
7,50
mJ
mJ
VR = 150 V
Tvj = 125°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,08 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,023
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
125
°C
Diode,ꢀReversꢀ/ꢀDiode,ꢀReverse
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
60
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
120
700
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 60 A, VGE = 0 V
IF = 60 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1,25 1,60
1,20
V
V
VF
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,23
ꢀ
0,80 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
125
°C
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
DeviationꢀofꢀR100
5
%
Verlustleistung
TC = 25°C
ꢀ
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
ꢀ
3375
3411
3433
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
ꢀ
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
14,5
13,0
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm
ꢀ mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
12,5
10,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 200
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
RthCH
LsCE
ꢀ
ꢀ
0,009
20
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
RCC'+EE'
ꢀ
1,10
mΩ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
3,00
3,0
ꢀ
ꢀ
125 °C
6,00 Nm
6,0 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
-
-
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
Gewicht
Weight
ꢀ
G
345
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
1200
1100
1000
900
Tvjꢀ=ꢀ125°C
1200
1100
1000
900
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
800
800
700
700
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
1200
1100
1000
900
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ2.4ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2.4ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ150ꢀV
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
800
700
600
500
400
300
200
100
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
VGE [V]
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ150ꢀV
65
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0,01
i:
ri[K/W]: 0,0033 0,01815 0,0176 0,01595
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
1
2
3
4
0
0,001
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24
RG [Ω]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2.4ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C
1400
1200
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
VCE [V]
600
800
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VF [V]
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ2.4ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ150ꢀV
IFꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ150ꢀV
12
12
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
11
11
10
9
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
200
400
600
IF [A]
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀReversꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀReverseꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
0,1
120
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0048 0,0264 0,0256 0,0232
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
1,6
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀReversꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀReverseꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀCU
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.1
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD600R06ME3_B11_S2
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
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ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
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characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
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revision:ꢀ2.1
10
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