FF1500R17IP5 [INFINEON]
.XT Technology;
| 型号： | FF1500R17IP5 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | .XT Technology |
| 文件： | 总10页 (文件大小：651K) |
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FF1500R17IP5
PrimePACK™3+ꢀB-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀDiodeꢀundꢀNTC
PrimePACK™3+ꢀB-seriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀdiodeꢀandꢀNTC
VCES = 1700V
IC nom = 1500A / ICRM = 3000A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
PotentialꢀApplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Motorꢀdrives
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
• Tractionꢀdrives
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• LowꢀVCEsat
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀVCEsat
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ175°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ175°C
MechanischeꢀEigenschaften
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
MechanicalꢀFeatures
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit
• HoheꢀLeistungsdichte
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability
• Highꢀpowerꢀdensity
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.2
www.infineon.com
2020-08-21
FF1500R17IP5
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICDC
ICRM
VGES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
1500
3000
+/-20
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 90°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 1500 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,75 2,20
2,10 2,65
2,30 2,90
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 54,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 900 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
5,35 5,80 6,25
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
7,50
1,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
88,0
2,70
10
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V
Tvj = 125°C
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
400 nA
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1500 A, VCE = 900 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,51 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,30
0,31
0,32
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1500 A, VCE = 900 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,51 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,15
0,16
0,16
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1500 A, VCE = 900 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,66
0,74
0,80
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1500 A, VCE = 900 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,11
0,16
0,17
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1500 A, VCE = 900 V, Lσ = 30 nH
di/dt = 8550 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,51 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
335
500
595
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1500 A, VCE = 900 V, Lσ = 30 nH
du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
330
465
545
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C
6000
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
19,0 K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
15,5
K/kW
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.2
2020-08-21
FF1500R17IP5
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
1500
3000
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
580
485
kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 175°C
PRQM
1500
ꢀ kW
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1500 A, VGE = 0 V
IF = 1500 A, VGE = 0 V
IF = 1500 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
1,75 2,10
1,70 2,05
1,70 2,05
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1500 A, - diF/dt = 8550 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
1250
1450
1550
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1500 A, - diF/dt = 8550 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
325
550
700
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1500 A, - diF/dt = 8550 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
185
325
425
mJ
mJ
mJ
VR = 900 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
35,0 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
18,5
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
175
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ3.2
2020-08-21
FF1500R17IP5
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
36,0
28,0
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
21,0
19,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
LsCE
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
10
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,10
0,09
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
TBPmax
M
-40
150
150
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
6,00 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
1400
Datasheet
4
Vꢀ3.2
2020-08-21
FF1500R17IP5
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ175°C
3000
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
3000
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
600
600
400
400
200
200
0
0
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.51ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
3000
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
1800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
1600
Eoff, Tvj = 175°C
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
600
400
200
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
500
1000
1500
IC [A]
2000
2500
3000
Vꢀ3.2
VGE [V]
Datasheet
5
2020-08-21
FF1500R17IP5
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
2200
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
2000
Eoff, Tvj = 175°C
1800
1600
1400
1200
1000
800
10
1
600
400
i:
ri[K/kW]: 0,524 2,36 15
τi[s]:
1
2
3
4
1,16
200
0,0009 0,012 0,0503 1,85
0
0,1
0,001
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ175°C
3600
15
IC, Modul
IC, Chip
VCC = 900V
12
9
3000
2400
1800
1200
600
6
3
0
-3
-6
-9
-12
-15
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
QG [µC]
Datasheet
6
Vꢀ3.2
2020-08-21
FF1500R17IP5
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ0.51ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
3000
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
500
400
300
200
100
0
600
400
200
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
500
1000
1500
IF [A]
2000
2500
3000
VF [V]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
500
100
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
450
ZthJC : Diode
400
350
300
250
200
150
100
50
10
i:
ri[K/kW]: 2,02
τi[s]:
1
2
9,55
3
20,7
4
2,7
0,0009 0,0172 0,0659 1,44
0
1
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
Datasheet
7
Vꢀ3.2
2020-08-21
FF1500R17IP5
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
Tvjꢀ=ꢀ175°C
3300
100000
IR, Modul
Rtyp
3000
2700
2400
2100
1800
1500
1200
900
10000
1000
100
600
300
0
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
25
50
75
100
125
150
175
VR [V]
TNTC [°C]
Datasheet
8
Vꢀ3.2
2020-08-21
FF1500R17IP5
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
C
(247)
screwing depth
max. 8mm 8x
26
0,35ADE
E
m
3c0,1
8x (M4)
8x max. (2)
recommended design height
36,5
2,5
0,5
0
1,2ADE
m
q0,35ABC
m
8x
Y
X
screwing depth
max. 16mm 8x
8x max. (3)
recommended design height
36,5
0,8ADE
m
14x q5,5c0,1
8x
q0,5ADE
m
14x
B
38,25
D
q0,35ABC
117
8x (M8)
q1,8ADE
m
8x
m
8x
M
8x q5
q0,4 CZA
A
m
250c1
~
8x
36,5
18,2
K
Y
X
H
' K
0
g 0,2AM-M
H
16,7
36,5
Dimension in mounted condition ISO 10579
Terminal heights measurement at the end of bending radius
Datasheet
9
Vꢀ3.2
2020-08-21
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2020-08-21
©ꢀ2020ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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ꢀ
ꢀ
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einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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