FF6MR12W2M1P_B11 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | FF6MR12W2M1P_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总7页 (文件大小：462K) |
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FF6MR12W2M1P_B11
EasyDUALꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM
EasyDUALꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
J
VDSS = 1200V
ID nom = 200A / IDRM = 400A
PotentielleꢀAnwendungen
• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen
• DC/DCꢀWandler
PotentialꢀApplications
• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀapplication
• DC/DCꢀconverter
• SolarꢀAnwendungen
• Solarꢀapplications
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
MechanischeꢀEigenschaften
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
MechanicalꢀFeatures
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
• Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2019-08-01
FF6MR12W2M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
MOSFETꢀ/ꢀMOSFET
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourceꢀvoltage
Tvj = 25°C
TH = 10°C
VDSS
ID nom
ID pulse
VGSS
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Drain-Gleichstrom
Tvj = 175°C, VGS = 15 V
DCꢀdrainꢀcurrent
GepulsterꢀDrainstrom
Pulsedꢀdrainꢀcurrent
verifiziertꢀdurchꢀDesign,ꢀtpꢀlimitiertꢀdurchꢀTvjmax
verifiedꢀbyꢀdesign,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTvjmax
400
Gate-SourceꢀSpannung
Gate-sourceꢀvoltage
-10 / 20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceꢀonꢀresistance
ID = 200 A
VGS = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
5,63
7,38
8,25
RDS on
mΩ
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IDꢀ=ꢀ80,0ꢀmA,ꢀVDSꢀ=ꢀVGS,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
(testedꢀafterꢀ1msꢀpulseꢀatꢀVGSꢀ=ꢀ+20ꢀV)
VGS(th) 3,45 4,50 5,55
V
GesamtꢀGateladung
Totalꢀgateꢀcharge
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V
Tvj = 25°C
QG
RGint
Ciss
Coss
Crss
Eoss
IDSS
IGSS
0,496
0,5
µC
Ω
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
14,7
0,88
0,112
352
nF
nF
nF
µJ
Ausgangskapazität
Outputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
COSSꢀSpeicherenergie
COSSꢀstoredꢀenergy
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
Drain-Source-Reststrom
Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀcurrent
VDS = 1200 V, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
0,80 660 µA
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceꢀleakageꢀcurrent
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
VGS = 20 V
VGS = -10 V
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀonꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 200 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,80 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
20,4
19,3
18,8
td on
ns
ns
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 200 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,80 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18,7
18,0
18,0
tr
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀoffꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 200 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,80 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
62,6
66,0
66,0
td off
ns
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 200 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,80 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
30,0
30,5
30,5
tf
ns
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 200 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 13,0 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,80 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,50
2,70
2,90
Eon
Eoff
ISC
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 200 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 24,0 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,80 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,20
1,30
1,30
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V
VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt
RG = 10,0 Ω
tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C
1680
1640
A
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀMOSFETꢀ/ꢀperꢀMOSFET
RthJH
Tvj op
0,266 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
BodyꢀDiode-Gleichstrom
DCꢀbodyꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent
Tvj = 175°C, VGS = -5 V
TH = 10°C
ISD
ꢀ
64
ꢀ
A
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
ISD = 200 A, VGS = -5 V
ISD = 200 A, VGS = -5 V
ISD = 200 A, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,60 5,65
4,35
4,30
VSD
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2019-08-01
FF6MR12W2M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
5,00
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
∆R/R
P25
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
8,0
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
RCC'+EE'
Tstg
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
THꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
0,50
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
125
80
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
-
N
g
Gewicht
Weight
G
39
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidlines described in AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2019-08-01
FF6MR12W2M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VGS
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
)
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV
VDSꢀ=ꢀ20ꢀV
400
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
350
300
250
200
150
100
50
350
300
250
200
150
100
50
0
0
3
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VDS [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VGS [V]
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(ID)
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀVꢀ,ꢀRGonꢀ=ꢀ1,8ꢀꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1,8ꢀꢀΩ,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
5,0
22,0
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C;
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 150°C
20,0
18,0
16,0
14,0
12,0
10,0
8,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0,0
6,0
4,0
2,0
0,0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
RG [Ω]
ID [A]
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2019-08-01
FF6MR12W2M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C,ꢀRGꢀ=ꢀ1,8ꢀΩ
450
1
ID, Modul
ID, Chip
Zth: MOSFET
400
350
300
250
200
150
100
50
0,1
i:
ri[K/W]: 0,0173 0,0542 0,0625 0,132
τi[s]: 0,0015 0,0149 0,147 0,149
1
2
3
4
0
0,01
0,001
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,01
0,1
t [s]
1
10
VDS [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2019-08-01
FF6MR12W2M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2019-08-01
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2019-08-01
©ꢀ2019ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
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vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
WARNINGS
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
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