FP10R12KE3_技术文档

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier

Periodische Rückw. Spitzensperrspannung

T_vj=25°C

V_RRM

1600

25

V

A

repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip

T

_C=80°C

I_FRMSM

RMS forward current per chip

Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom

maximum RMS current at Rectifier output

I_RMSmax

I_FSM

36

A

t

_P= 10 ms, T_vj

_P= 10 ms, T_vj= 150°C

_P= 10 ms, T_vj25°C

=

25°C

Stoßstrom Grenzwert

surge forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

196

158

192

125

A

I²t

A²s

=

t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj=25°C

V_CES

1200

V

T

_C= 80°C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

10

15

A

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t

_P= 1 ms,

T_C=80°C

I_CRM

P_tot

20

55

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T

_C= 25°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

I_FRM

I²t

10

20

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t

_P= 1 ms

Grenzlastintegral

I²t - value

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj=25°C

V_CES

1200

V

T

_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

10

15

A

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

P_tot

20

55

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C= 25°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

10

20

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

prepared by: Thomas Passe

approved by: Ingo Graf

date of publication: 2002-02-14

revision: 6

1(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Modul Isolation/ Module Isolation

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

NTC connected to Baseplate

V_ISOL

2,5

kV

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier

min. typ. max.

Durchlaßspannung

T

_vj= 150°C,

_vj= 150°C

I_F=

V_F

V_(TO)

r_T

10 A

-

0,95

0,78

17

-

V

forward voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

mꢀ

Sperrstrom

T

_vj= 150°C,

_C= 25°C

V_R

=

I_R

1600 V

-

5

-

mA

reverse current

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip

lead resistance, terminals-chip

R_AA'+CC'

11

mꢀ

min. typ. max.

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

V

_GE= 15V, T_vj

=

25°C, I_C

=

V_{CE sat}

10 A

-

1,9

2,3

2,45

-

V

V_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C

_CE= V_GET_vj= 25°C, I_C

f = 1MHz, T_vj= 25°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

V

,

=

V_GE(TO)

C_ies

0,3mA

4,5

5,5

0,6

5,0

-

6,5

V

Eingangskapazität

input capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

-

nF

mA

nA

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V

_GE= 0V, T_vj=125°C, V_CE

=

I_CES

1200V

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE=20V, T_vj=25°C

I_GES

400

I

_C= I_Nenn

,

V_CC

25°C, R_G

=

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn on delay time (inductive load)

600 V

V_GE= ±15V, T_vj

V_GE= ±15V, T_vj= 125°C, R_G

=

t_d,on

100 Ohm

600 V

100 Ohm

600 V

100 Ohm

600 V

100 Ohm

600 V

-

52

50

-

ns

I_C= I_Nenn

,

V_CC

25°C, R_G

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

V_GE= ±15V, T_vj

V_GE= ±15V, T_vj= 125°C, R_G

=

t_r

-

20

30

-

ns

I_C= I_Nenn

,

V_CC

25°C, R_G

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

V_GE= ±15V, T_vj

V_GE= ±15V, T_vj= 125°C, R_G

=

t_d,off

-

292

391

-

ns

I_C= I_Nenn

,

V_CC

25°C, R_G

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

V_GE= ±15V, T_vj

=

t_f

-

65

90

-

ns

V_GE= ±15V, T_vj= 125°C, R_G

_C= I_NennV_CC

V_GE= ±15V, T_vj= 125°C, R_G

I

,

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

E_on

E_off

I_SC

100 Ohm

80 nH

-

1,42

1,22

40

-

mWs

A

L_S=

I

_C= I_Nenn

,

V_CC

=

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

600 V

100 Ohm

80 nH

100 Ohm

720 V

V_GE= ±15V, T_vj= 125°C, R_G

L_S=

t_P? 10µs, V_GE? 15V, R_G

T_vj?125°C, V_CC

=

Kurzschlußverhalten

SC Data

2(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Modulinduktivität

stray inductance module

L

ꢀCE

-

40

nH

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip

lead resistance, terminals-chip

T_C= 25°C

R_CC'+EE'

-

14

-

mꢀ

min. typ. max.

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

Durchlaßspannung

forward voltage

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

V

_GE= 0V, T_vj

V_GE= 0V, T_vj= 125°C,

I_F=I_Nenn

V_GE= -10V, T_vj

V_GE= -10V, T_vj= 125°C, V_R

I_F=I_Nenn

V_GE= -10V, T_vj

V_GE= -10V, T_vj= 125°C, V_R

I_F=I_Nenn

V_GE= -10V, T_vj

V_GE= -10V, T_vj= 125°C, V_R

=

25°C,

I_F=

V_F

10 A

550 A/us

600 V

550 A/us

600 V

550 A/us

600 V

-

1,7

2,1

-

V

,

- di_F/dt =

25°C, V_R

=

I_RM

Q_r

-

14

15

-

A

,

- di_F/dt =

25°C, V_R

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

=

-

1

1,8

-

µAs

,

- di_F/dt =

25°C, V_R

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

=

E_rec

-

0,26

0,56

-

mWs

min. typ. max.

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper

V

_GE= 15V, T_vj

=

25°C, I_C

=

V_{CE sat}

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

10,0 A

-

1,9

2,3

2,45

-

V

V_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

V

_CE= V_GET_vj= 25°C, I_C

,

=

V_GE(TO)

C_ies

0,3mA

4,5

5,5

6,5

V

f = 1MHz, T_vj= 25°C

Eingangskapazität

input capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

-

0,6

5,0

-

nF

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

mA

V

_GE= 0V, T_vj= 125°C, V_CE

=

1200V

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

-

400

nA

min. typ. max.

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper

Durchlaßspannung

forward voltage

T_vj

=

25°C,

I_F=

V_F

10,0 A

-

1,8

2,3

-

V

T_vj= 125°C,

1,85

min. typ. max.

NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor

Nennwiderstand

T_C= 25°C

R₂₅

ꢁR/R

P₂₅

-

5

-

kꢀ

%

rated resistance

Abweichung von R₁₀₀

deviation of R₁₀₀

T_C= 100°C, R₁₀₀= 493 ꢀ

-5

5

Verlustleistung

power dissipation

T

_C= 25°C

20

mW

K

B-Wert

B-value

R₂= R₁exp [B(1/T₂- 1/T₁)]

B_25/50

3375

3(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.

R_thJH

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

Diode Wechsr./ Diode Inverter

Trans. Bremse/ Trans. Brake

ꢂ

_Paste=1W/m*K

_grease=1W/m*K

-

1,9

2,6

3,7

2,6

-

K/W

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to heatsink

ꢂ

Diode Bremse/ Diode Brake

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

-

4,0

-

K/W

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

1,9

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

-

2,2

K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter

Trans. Bremse/ Trans. Brake

Diode Bremse/ Diode Brake

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

-

2,7

2,2

2,9

-

K/W

R_thCH

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

ꢂ

_Paste=1W/m*K

_grease=1W/m*K

0,2

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

ꢂ

-

0,6

-

K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter

Trans. Bremse/ Trans. Brake

Diode Bremse/ Diode Brake

-

1,3

0,6

1,4

-

K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_vj

T_op

T_stg

-

150

125

°C

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation

Al₂O₃

225

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder

mounting force per clamp

F

N

40...80

36

Gewicht

weight

G

g

Kontakt - Kühlkörper

Kriechstrecke

13,5

12

mm

terminal to heatsink

creeping distance

Luftstrecke

clearance

Terminal - Terminal

Kriechstrecke

7,5

terminal to terminal

creeping distance

Luftstrecke

clearance

4(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)

Output characteristic Inverter (typical)

I_C= f (V_CE)

V_GE= 15 V

20

18

16

14

12

10

8

Tj = 25°C

Tj = 125°C

6

4

2

0

0,00

0,50

1,00

1,50

2,00

2,50

3,00

3,50

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)

Output characteristic Inverter (typical)

I_C= f (V_CE)

T_vj= 125°C

20

18

16

14

12

10

8

9V

11V

13V

15V

17V

19V

6

4

2

0

0,00

0,50

1,00

1,50

2,00

2,50

3,00

3,50

V_CE[V]

5(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)

Transfer characteristic Inverter (typical)

I_C= f (V_GE

V_CE= 20 V

)

20

18

16

14

12

10

8

Tj = 25°C

Tj = 125°C

6

4

2

0

6

7

8

9

10

11

12

V_GE[V]

Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) I_F= f (V_F)

Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

20

18

16

14

12

10

8

Tj = 25°C

Tj = 125°C

6

4

2

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

V_F[V]

6(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Schaltverluste Wechselr. (typisch) E = f (I_C), E_off= f (I_C), E_rec= f (I_C) V_CC

=

600 V

on

100 Ohm

Switching losses Inverter (typical)

T_j= 125°C,

V_GE= ±15 V,

R_Gon= R_Goff=

5

4,5

4

Eon

Eoff

Erec

3,5

3

2,5

2

1,5

1

0,5

0

5

10

15

20

25

I_C[A]

Schaltverluste Wechselr. (typisch)

Switching losses Inverter (typical)

E = f (R_G), E_off= f (R_G), E_rec= f (R_G)

on

600 V

T_j= 125°C, V_GE= +-15 V , I_c= I_nenn

,

V_CC=

3

Eon

Eoff

Erec

2,5

2

1,5

1

0,5

0

100

120

140

160

180

200

220

R_G[ꢀ]

7(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Transienter Wärmewiderstand Wechselr.

Transient thermal impedance Inverter

Z_thJH= f (t)

10,000

1,000

0,100

Zth-IGBT

Zth-FWD

i

1

2

3

4

IGBT: r_i[K/W]: 169,8e-3 850,1e-3

667,8e-3 912,3e-3

ꢀ [s]:

3e-6

FWD: r_i[K/W]: 245,4e-3 1,22

ꢀ [s]: 3e-6 80,4e-3

78,7e-3

10,1e-3

956,8e-3

10,35e-3

225,6e-3

1,27

227,3e-3

i

0,001

0,01

0,1

1

10

t [s]

Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)

I_C= f (V_CE)

Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)T_vj= 125°C, V_GE= ±15V, R_G

=

100 Ohm

25

20

15

10

5

IC,Chip

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

8(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch)

Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)

I_C= f (V_CE

)

V_GE= 15 V

20

18

16

14

12

10

8

Tj = 25°C

Tj = 125°C

6

4

2

0

0,00

0,50

1,00

1,50

2,00

2,50

3,00

3,50

V_CE[V]

Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I_F= f (V_F)

Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)

20

18

16

14

12

10

8

Tj = 25°C

Tj = 125°C

6

4

2

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

3,5

V_F[V]

9(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)

Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)

I_F= f (V_F)

20

18

16

14

12

10

8

Tj = 25°C

Tj = 150°C

6

4

2

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

1,2

V_F[V]

NTC- Temperaturkennlinie (typisch)

NTC- temperature characteristic (typical)

R = f (T)

100000

10000

1000

Rtyp

100

0

20

40

60

80

100

120

140

T_C[°C]

10(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Schaltplan/ Circuit diagram

ꢀ

Gehäuseabmessungen/ Package outlines

Bohrplan /

drilling layout

11(12)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Gehäuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine

Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

12(12)

Nutzungsbedingungen

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den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

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the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.


型号：	FP10R12KE3
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 局域网栅晶体管
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FP10R12KE3 [INFINEON]

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