FP10R12W1T4BOMA1_技术文档

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

EasyPIM™ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀNTC

EasyPIM™ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀNTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 10A / I_CRM= 20A

TypischeꢀAnwendungen

• Hilfsumrichter

TypicalꢀApplications

• AuxiliaryꢀInverters

• AirꢀConditioning

• MotorꢀDrives

• Klimaanlagen

• Motorantriebe

ElektrischeꢀEigenschaften

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• TrenchꢀIGBTꢀ4

ElectricalꢀFeatures

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• NiedrigesꢀV_CEsat

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

• LowꢀV_CEsat

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• Al₂O₃Substrat mit kleinem thermischen

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

Widerstand

• KompaktesꢀDesign

• Compactꢀdesign

• Lötverbindungstechnik

• SolderꢀContactꢀTechnology

• Robuste Montage durch integrierte

• Rugged mounting due to integrated mounting

Befestigungsklammern

clamps

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

10

20

A

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

20

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

105

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 10 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,25

2,15

2,25

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,30 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

0,09

0,0

0,60

0,024

ꢀ

6,4

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,045

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,044

0,061

0,063

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,18

0,245

0,275

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,165

0,215

0,225

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 10 A, V_CE= 600 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 500 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 47 Ω

T_vj= 25°C

0,90

1,35

1,55

mJ

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 10 A, V_CE= 600 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 47 Ω

T_vj= 25°C

0,55

0,80

0,87

mJ

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

35

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

1,25 1,40 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

1,15

K/W

°C

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

2

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

10

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

20

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

16,0

14,0

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 10 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,25

1,75

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 10 A, - di_F/dt = 500 A/µs (T_vj=150°C)

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

12,0

A

ꢀ

10,0

8,00

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 10 A, - di_F/dt = 500 A/µs (T_vj=150°C)

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,90

1,70

1,90

µC

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 10 A, - di_F/dt = 500 A/µs (T_vj=150°C)

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,24

0,52

0,59

mJ

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

1,75 1,90 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

1,30

K/W

°C

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FRMSM

I_RMSM

I_FSM

ꢀ

1600

30

ꢀ

V

A

DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip

T_C= 80°C

MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip

GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom

T_C= 80°C

30

MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput

StoßstromꢀGrenzwert

Surgeꢀforwardꢀcurrent

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

300

245

A

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

450

300

A²s

I²t

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

T_vj= 150°C, I_F= 10 A

Forwardꢀvoltage

V_F

I_R

ꢀ

0,80

1,00

ꢀ

V

Sperrstrom

T_vj= 150°C, V_R= 1600 V

Reverseꢀcurrent

ꢀ

mA

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

1,20 1,35 K/W

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

1,15

K/W

°C

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

3

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

10

20

A

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

20

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

105

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 10 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,25

2,15

2,25

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,30 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

0,09

0,0

0,60

0,024

ꢀ

6,4

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,045

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,044

0,061

0,063

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,18

0,245

0,275

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 10 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,165

0,215

0,225

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 10 A, V_CE= 600 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,90

1,35

1,55

mJ

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 10 A, V_CE= 600 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 47 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,55

0,80

0,87

mJ

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

35

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

1,25 1,40 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

1,15

K/W

°C

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

4

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

10

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

20

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

16,0

14,0

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 10 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,25

1,75

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 10 A, - di_F/dt = 500 A/µs (T_vj=150°C)

V_R= 600 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

12,0

A

ꢀ

10,0

8,00

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 10 A, - di_F/dt = 500 A/µs (T_vj=150°C)

V_R= 600 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,90

1,70

1,90

µC

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 10 A, - di_F/dt = 500 A/µs (T_vj=150°C)

V_R= 600 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,24

0,52

0,59

mJ

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

1,75 1,90 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

1,30

K/W

°C

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_C= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

ꢀ

-5

ꢀ

5,00

ꢀ

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_C= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_C= 25°C

ꢀ

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

ꢀ

3375

3411

3433

ꢀ

K

B-Wert

B-value

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

5

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

11,5

6,3

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

10,0

5,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 200

ꢀ

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

L_sCE

ꢀ

30

ꢀ

nH

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

R_CC'+EE'

R_AA'+CC'

8,00

6,00

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

ꢀ

mΩ

HöchstzulässigeꢀSperrschichttemperatur

Maximumꢀjunctionꢀtemperature

Wechselrichter,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper

Gleichrichterꢀ/ꢀrectifier

175

150

°C

T_{vj max}

T_{vj op}

T_stg

F

ꢀ

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

Wechselrichter,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper

Gleichrichterꢀ/ꢀrectifier

-40

150

°C

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

ꢀ

-40

20

ꢀ

125

50

ꢀ

°C

N

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder

mountig force per clamp

-

Gewicht

Weight

G

24

g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

6

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

20

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

V_GE= 9V

18

16

14

12

10

8

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ47ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ47ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

20

5,0

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

4,0

18

16

14

12

10

8

4,5

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

6

4

2

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

I_C[A]

V_GE[V]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

7

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

6,0

10

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJH: IGBT

5,5

5,0

4,5

4,0

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

1

i:

r_i[K/W]: 0,209 0,443 0,982 0,766

τ_i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

1

2

3

4

0,1

0

50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ47ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

22

20

I_C, Modul

T_vj= 25°C

I_C, Chip

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

20

18

16

14

12

10

8

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

V_CE[V]

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

8

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ47ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

1,0

0,8

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0,0

0,8

0,6

0,4

0,2

0,0

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

I_F[A]

0

40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 440 480

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀRectifierꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

10

20

Z_thJH: Diode

T_vj= 25°C

T_vj= 150°C

18

16

14

12

10

8

1

6

4

i:

r_i[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808

τ_i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

1

2

3

4

2

0,1

0,001

0

0,01

0,1

t [s]

1

10

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

9

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

20

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

18

16

14

12

10

8

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

V_CE[V]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

R_typ

10000

1000

100

0

20

40

60

80

T_C[°C]

100 120 140 160

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

10

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

J

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

11

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R12W1T4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Nutzungsbedingungen

ꢀ

DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung

derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese

AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.

InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine

solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien

jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund

MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine

spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin

Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin

diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.

SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden

Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;

-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund

ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.

Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.

InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12


型号：	FP10R12W1T4BOMA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 局域网栅功率控制晶体管
文件：	总12页 (文件大小：900K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

FP10R12W1T4BOMA1 [INFINEON]

相关型号：

FP10R12W1T4P

FP10R12W1T4PB11BPSA1

FP10R12W1T4PBPSA1

FP10R12W1T4_B11

FP10R12W1T4_B3

FP10R12W1T7P_B11

FP10R12W1T7_B11

FP10R12YT3

FP10R12YT3_B4

FP10W90

FP10W90HVX2

FP11