FS100R12KT4G_B11 [INFINEON]
EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode; EconoPACK3压接模块与沟槽/场终止IGBT 4和EmCon4二极管
| 型号： | FS100R12KT4G_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode |
| 文件： | 总8页 (文件大小：319K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
EconoPACK™3 Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode
EconoPACK™3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
I† ÒÓÑ
I†ç¢
PÚÓÚ
1200
100
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
t« = 1 ms
200
A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
total power dissipation
515
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 100 A, V•Š = 15 V
I† = 100 A, V•Š = 15 V
I† = 100 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,75 2,20
2,05
2,10
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 4,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
0,80
7,5
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
6,30
0,27
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,6 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,115
0,13
0,135
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,6 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,025
0,03
0,03
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,6 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,37
0,45
0,48
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,6 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,06
0,08
0,09
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 100 A, V†Š = 600 V, L» = 40 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
4,00
6,50
7,50
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 1,6 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 100 A, V†Š = 600 V, L» = 40 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
5,50
8,50
9,50
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 1,6 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
360
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,29 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
0,085
K/W
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Christoph Messelke
approved by: Robert Severin
date of publication: 2007-10-26
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
100
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
200
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
1550
1500
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,70 2,15
1,65
1,65
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
150
160
165
A
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
9,60
17,0
19,0
µC
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
4,10
7,00
8,00
mJ
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,50 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,145
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 2.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIè0é
10,0
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,5
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,009
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
21
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
1,80
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M5 - mounting according to valid application note
M
G
3,00
-
6,00 Nm
g
mounting torque
Gewicht
weight
300
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revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
200
200
180
160
140
120
100
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.6 Â, R•ÓËË = 1.6 Â, V†Š = 600 V
200
20
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
180
18
160
16
140
120
100
80
14
12
10
8
60
6
40
4
20
2
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
I† [A]
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approved by: Robert Severin
date of publication: 2007-10-26
revision: 2.0
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 100 A, V†Š = 600 V
25
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
EÓËË, TÝÎ = 150°C
20
15
10
5
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0174 0,0957 0,0928 0,0841
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
0,01
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
16
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1.6 Â, TÝÎ = 150°C
250
200
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
180
200
150
100
50
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
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approved by: Robert Severin
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revision: 2.0
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1.6 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 100 A, V†Š = 600 V
12
10
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
10
8
8
6
4
2
0
6
4
2
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IΠ[A]
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
16
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,03 0,165 0,16 0,145
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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approved by: Robert Severin
date of publication: 2007-10-26
revision: 2.0
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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revision: 2.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT4G_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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revision: 2.0
8
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