FS25R12W1T4_B11 [INFINEON]
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC; EasyPACK模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和压接/ NTC
| 型号： | FS25R12W1T4_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC |
| 文件： | 总9页 (文件大小：569K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
Vorläufige Daten / preliminary data
ϑ
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 25A / I†ç¢ = 50A
Typische Anwendungen
Typical Applications
Klimaanlagen
Motorantriebe
Servoumrichter
USV-Systeme
Air Conditioning
Motor Drives
Servo Drives
UPS Systems
•
•
•
•
•
•
•
•
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Niedrige Schaltverluste
Niedriges V†ŠÙÈÚ
Low Switching Losses
Low V†ŠÙÈÚ
•
•
•
•
•
•
•
•
Trench IGBT 4
Trench IGBT 4
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
AlèOé Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
AlèOé Substrate with Low Thermal Resistance
•
•
Kompaktes Design
Compact design
•
•
•
•
•
•
PressFIT Verbindungstechnik
PressFIT Contact Technology
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: DK
approved by: MB
date of publication: 2010-08-09
revision: 2.0
material no: 34590
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
25
45
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
50
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
205
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 25 A, V•Š = 15 V
I† = 25 A, V•Š = 15 V
I† = 25 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,85 2,25
2,15
2,25
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,0
5,8
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
0,20
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
1,45
0,05
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 25 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 20 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,05
0,05
0,05
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 25 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 20 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,027
0,029
0,03
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 25 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 20 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,18
0,27
0,29
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 25 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 20 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,16
0,195
0,215
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
1,90
2,65
2,90
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
R•ÓÒ = 20 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
1,40
2,00
2,20
mJ
mJ
mJ
EÓËË
R•ÓËË = 20 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
90
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,66 0,74 K/W
0,80 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
25
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
50
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
90,0
80,0
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 25 A, V•Š = 0 V
IŒ = 25 A, V•Š = 0 V
IŒ = 25 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,75 2,25
1,75
1,75
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 25 A, - diŒ/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
39,0
40,0
41,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 25 A, - diŒ/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
2,40
4,10
4,40
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 25 A, - diŒ/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
0,90
1,50
1,70
mJ
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,95 1,05 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,85
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
LÙ†Š
> 200
min. typ. max.
25
Modulinduktivität
stray inductance module
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
4,50
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
175
°C
°C
°C
g
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Gewicht
weight
G
24
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
50
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 20 Â, R•ÓËË = 20 Â, V†Š = 600 V
50
8,0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
45
7,0
6,0
5,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0,0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
I† [A]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 25 A, V†Š = 600 V
12
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ™ : IGBT
11
10
9
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
8
7
6
1
5
4
3
2
i:
rÍ[K/W]: 0,084 0,196 0,591 0,589
τÍ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
1
0
0,1
0,001
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 20 Â, TÝÎ = 150°C
55
50
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VΠ[V]
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 20 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 25 A, V†Š = 600 V
3,0
2,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
IΠ[A]
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
10
100000
ZÚÌœ™: Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
1
i:
rÍ[K/W]: 0,15
τÍ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,323 0,739 0,588
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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date of publication: 2010-08-09
revision: 2.0
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FS25R12W1T7
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INFINEON
FS2660-7EPD0T
DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, Hybrid, HEAT SINK, METAL, CASE S02, MODULE
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FS2660-7EPD0TB2
DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 100W, Hybrid, METAL, CASE S02, MODULE
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FS2660-7EPD1B2
DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 100W, Hybrid, METAL, CASE S02, MODULE
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FS2660-7EPD1T
DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 100W, Hybrid, HEAT SINK, METAL, CASE S02, MODULE
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FS2660-7EPD1TB2
DC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 100W, Hybrid, METAL, CASE S02, MODULE
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