FS300R12OE4PNOSA1 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29;


型号：	FS300R12OE4PNOSA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29 局域网栅功率控制晶体管
文件：	总9页 (文件大小：737K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

EconoPACK™+ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀbereits

aufgetragenemꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

EconoPACK™+ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/

pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 300A / I_CRM= 600A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Hybrid-Nutzfahrzeuge

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles

• Motorꢀdrives

• SolarꢀAnwendungen

• USV-Systeme

• Solarꢀapplications

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• TrenchꢀIGBTꢀ4

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Unbeatableꢀrobustness

• TrenchꢀIGBTꢀ4

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• HoheꢀStoßstromfestigkeit

• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability

MechanischeꢀEigenschaften

• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• PressFITꢀVerbindungstechnik

• RoHSꢀkonform

MechanicalꢀFeatures

• Highꢀmechanicalꢀrobustness

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

• RoHSꢀcompliant

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

1200

300

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

T_H= 70°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

600

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,10

2,00

2,05

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 11,5 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,20 5,80 6,40

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

2,25

2,5

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

18,5

1,05

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

3,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,75 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,19

0,21

0,22

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,75 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,75 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,40

0,51

0,54

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,75 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,06

0,10

0,11

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 600 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 5200 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 0,75 Ω

T_vj= 25°C

19,0

29,5

32,0

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 600 V, L_S= 35 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 0,75 Ω

T_vj= 25°C

24,5

38,0

42,5

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

1200

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial

R_thJH

T_{vj op}

0,134 K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

300

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

600

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

17500

14500

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 300 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,65 2,10

1,65

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 300 A, - di_F/dt = 5200 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

290

330

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 300 A, - di_F/dt = 5200 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

28,5

52,5

62,5

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 300 A, - di_F/dt = 5200 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

12,5

22,5

25,5

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial

R_thJH

T_{vj op}

0,190 K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

18,5

12,6

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

16,0

10,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

> 200

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

R_CC'+EE'

T_stg

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Hꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

1,10

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

-40

125

Höchstzulässige

Bodenplattenbetriebstemperatur

Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature

T_BPmax

°C

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

3,00

3,0

6,00 Nm

6,0 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

Gewicht

Weight

924

Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07

Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

600

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

V_GE= 9V

500

400

300

200

100

500

400

300

200

100

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

600

100

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

500

400

300

200

100

200

300

I_C[A]

400

500

600

V_GE[V]

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ300ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

100

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

Z_thJH: IGBT

E_off, T_vj= 150°C

0,1

0,01

r_i[K/W]: 0,0072

τ_i[s]: 0,000655 0,0314 0,178 1,11

0,0482 0,0498 0,0288

0,001

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

700

600

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

600

500

400

300

200

100

500

400

300

200

100

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

V_CE[V]

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ300ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

100

200

300

I_F[A]

400

500

600

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

Z_thJH: Diode

R_typ

10000

1000

100

0,1

r_i[K/W]: 0,0106

τ_i[s]: 0,000592 0,025 0,119 0,881

0,0607 0,0774 0,0413

0,01

0,001

0,01

0,1

T_NTC[°C]

100 120 140 160

t [s]

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Modul

IGBT-Module

FS300R12OE4P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Publishedꢀby

InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

AllꢀRightsꢀReserved.

ꢀ

Nutzungsbedingungen

ꢀ

WICHTIGERꢀHINWEIS

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen

benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem

ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu

Personenverletzungenꢀführen.

ꢀ

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

IMPORTANTꢀNOTICE

Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics

(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

WARNINGS

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour

nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcan

reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.

preparedꢀby:ꢀZV

approvedꢀby:ꢀKV

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29

revision:ꢀV2.0

FS300R12OE4PNOSA1 [INFINEON]

相关型号：

FS300R16KF4

FS300R17KE3

FS300R17KE3BOSA1

FS300R17KE4

FS300R17KE4BOSA1

FS300R17OE4

FS304

FS304.550AA3B

FS304.550AA5B

FS304.550AA8B

FS304.550AA9B

FS309