FS35R12KT3 [INFINEON]

EconoPACK™ 2 1200 V 35 A 六单元 IGBT 模块，配备沟槽栅/场终止 IGBT3 和 HE 发射极控制二级管和 NTC. 也可用于软开关、低损耗器件：FS35R12KE3G;


型号：	FS35R12KT3
厂家：	Infineon
描述：	EconoPACK™ 2 1200 V 35 A 六单元 IGBT 模块，配备沟槽栅/场终止 IGBT3 和 HE 发射极控制二级管和 NTC. 也可用于软开关、低损耗器件：FS35R12KE3G 局域网开关栅双极性晶体管
文件：	总8页 (文件大小：460K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

EconoPACK™2ꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀHighꢀEfficiencyꢀDiodeꢀ

EconoPACK™2ꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

210

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 35 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

1,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 1,50 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

0,33

6,0

2,50

0,09

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 35 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 27 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,09

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 35 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 27 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 35 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 27 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,42

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 35 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 27 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,07

0,09

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 35 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 27 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

3,50

4,10

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 35 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 27 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

140

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,60 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,19

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

I²tꢀ-ꢀvalue

300

ꢀ A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 35 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,65 2,15

1,65

V_F

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 35 A, - di_F/dt = 1500 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

49,0

51,0

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 35 A, - di_F/dt = 1500 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

3,70

6,80

µC

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 35 A, - di_F/dt = 1500 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

1,40

2,70

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,32

ꢀ

0,95 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

125

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_C= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

ꢀ

-5

ꢀ

5,00

ꢀ

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_C= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_C= 25°C

ꢀ

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

ꢀ

3375

t.b.d.

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

AI₂0₃

10,0

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

7,5

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 225

ꢀ

min. typ. max.

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule

R_thCH

L_sCE

ꢀ

0,02

K/W

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

ꢀ

R_CC'+EE'

ꢀ

2,50

mΩ

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

-40

3,00

ꢀ

125 °C

6,00 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

Gewicht

Weight

ꢀ

180

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ125°C

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

V_GE= 9V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ27ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ27ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

V_GE[V]

I_C[A]

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

E_off, T_vj= 125°C

0,1

r_i[K/W]: 0,06769 0,2709 0,1523 0,1052

τ_i[s]: 0,002345 0,0282 0,1128 0,282

0,01

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

R_G[Ω]

0,001

0,01

0,1

t [s]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ27ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ125°C

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

V_CE[V]

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ27ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

5,0

4,0

E_rec, T_vj= 125°C

4,5

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

4,0

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

I_F[A]

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

Z_thJC: Diode

0,1

r_i[K/W]: 0,09674 0,6249 0,18

τ_i[s]:

0,05701

0,003333 0,03429 0,1294 0,7662

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS35R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Nutzungsbedingungen

ꢀ

DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung

derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese

AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.

InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine

solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien

jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund

MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine

spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin

Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin

diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.

SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden

Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;

-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund

ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.

Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.

InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

FS35R12KT3 [INFINEON]

相关型号：

FS35R12KT3_04

FS35R12W1T4

FS35R12W1T4_B11

FS35R12W1T7

FS35R12W1T7_B11

FS35R12YT3

FS35R12YT3BOMA1

FS36

FS36-030

FS36-030-C2

FS36-030-C2-B

FS36-065