FS75R12W2T4_B11 [INFINEON]
EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode; EasyPACK 2B压接模块与沟槽/场终止IGBT 4极和发射Controlled4二极管型号: | FS75R12W2T4_B11 |
厂家: | Infineon |
描述: | EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
EasyPACK 2B Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode
EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
75
107
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
150
375
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 75 A, V•Š = 15 V
I† = 75 A, V•Š = 15 V
I† = 75 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,85 2,15
2,15
2,25
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 2,40 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
0,57
10
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
4,30
0,16
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 2,2 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,13
0,15
0,15
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 2,2 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,02
0,03
0,035
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,2 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,30
0,38
0,40
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 75 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,2 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,045
0,08
0,09
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 25 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 2800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
4,70
7,20
8,00
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 2,2 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 25 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
3,90
6,10
6,40
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 2,2 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
270
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,35 0,40 K/W
0,60 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Daniel Kreuzer
approved by: Marc Buschkühle
date of publication: 2009-04-16
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
75
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
150
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
1050
985
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
IŒ = 75 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,70 2,15
1,65
1,65
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 2800 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
115
120
125
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 2800 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
8,60
14,0
16,0
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 75 A, - diŒ/dt = 2800 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
2,60
4,50
5,50
mJ
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,55 0,65 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,75
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 2.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
LÙ†Š
> 200
min. typ. max.
40
Modulinduktivität
stray inductance module
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
4,00
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
-40
-40
40
150
125
80
Lagertemperatur
storage temperature
TÙÚÃ
F
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
39
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
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revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
150
150
135
120
105
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
135
120
105
90
75
60
45
30
15
75
60
45
30
15
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2.2 Â, R•ÓËË = 2.2 Â, V†Š = 600 V
150
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
20
18
16
14
12
10
8
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
6
4
2
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
I† [A]
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approved by: Marc Buschkühle
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revision: 2.0
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 75 A, V†Š = 600 V
20
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ™ : IGBT
18
16
14
12
10
8
1
0,1
6
4
i:
rÍ[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,543
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
2
τÍ[s]:
0
0,01
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
R• [Â]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2.2 Â, TÝÎ = 150°C
165
150
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
150
135
120
105
90
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
75
60
45
30
15
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VŒ [V]
prepared by: Daniel Kreuzer
approved by: Marc Buschkühle
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revision: 2.0
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 2.2 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 75 A, V†Š = 600 V
8
8
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
7
7
6
5
4
3
2
1
0
6
5
4
3
2
1
0
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
IŒ [A]
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
10
100000
ZÚÌœ™ : Diode
RÚáÔ
1
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,059 0,137 0,502 0,602
4
τÍ[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140
T† [°C]
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approved by: Marc Buschkühle
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revision: 2.0
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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revision: 2.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R12W2T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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revision: 2.0
8
相关型号:
FS75R17KE3BOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
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