FZ800R33KL2CNOSA1 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1500A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7;


型号：	FZ800R33KL2CNOSA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1500A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 局域网栅晶体管
文件：	总8页 (文件大小：390K)
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

800

1500

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

1600

9,80

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 800 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,00 3,65

3,70 4,45

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 80,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 1800V

T_vj= 25°C

4,2

5,1

15,0

0,75

97,0

5,40

ꢀ

6,0

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 3300 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,05

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,65

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,70

3,90

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,25

0,35

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3000 A/µs

R_Gon= 2,7 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

2250

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 1800 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

900

1250

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 2500 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

3500

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

13,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

12,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

P_RQM

t_{on min}

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

800

PeriodischerꢀSpitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

t_P= 1 ms

1600

230

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

ꢀ kA²s

ꢀ kW

ꢀ µs

Spitzenverlustleistung

Maximumꢀpowerꢀdissipation

T_vj= 125°C

1200

10,0

Mindesteinschaltdauer

Minimumꢀturn-onꢀtime

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 800 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 t.b.d.

2,55

V_F

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 800 A, - di_F/dt = 3000 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

950

1100

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 800 A, - di_F/dt = 3000 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

540

960

µC

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 800 A, - di_F/dt = 3000 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

540

1100

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

24,0

ꢀ

25,5 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

125

°C

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

6,0

2,6

ꢀ kV

Teilentladungs-Aussetzspannung

RMS, f = 50 Hz, Q_PD≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)

Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage

V_ISOL

Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung

T_vj= 25°C, 100 fit

V_{CE D}

2150

AlSiC

ꢀ

DCꢀstability

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

AlN

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

32,2

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

19,1

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 400

ꢀ

min. typ. max.

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule

R_thCH

L_sCE

ꢀ

8,00

K/kW

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

ꢀ

R_CC'+EE'

ꢀ

0,19

mΩ

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

-40

ꢀ

125

°C

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

4,25

5,75 Nm

2,1 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

1,8

8,0

Gewicht

Weight

ꢀ

1000

ꢀ

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ125°C

1600

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

V_GE= 20V

V_GE= 15V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

V_GE= 9V

V_GE= 8V

1440

1280

1120

960

800

640

480

320

160

1440

1280

1120

960

800

640

480

320

160

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ2.7ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀC_GEꢀ=ꢀ220

1600

6000

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

1400

1200

1000

800

5000

4000

3000

2000

1000

600

400

200

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

V_GE[V]

I_C[A]

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ1800ꢀV,ꢀC_GEꢀ=ꢀ220ꢀnF

12000

100

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

10000

8000

6000

4000

2000

r_i[K/kW]: 5,7375 3,1875 0,765 3,06

τ_i[s]: 0,03 0,1 0,3

0,1

10 12 14 16 18 20

R_G[Ω]

0,001

0,01

0,1

t [s]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ125°C,ꢀC_GEꢀ=ꢀ220ꢀnF

2000

1600

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1400

1600

1200

800

400

1200

1000

800

600

400

200

500

1000 1500 2000 2500 3000 3500

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_F[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

V_CE[V]

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ2.7ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ1800ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ1800ꢀV

1400

E_rec, T_vj= 125°C

1200

1000

800

600

400

200

1200

1000

800

600

400

200

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

I_F[A]

10 12 14 16 18 20

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)

safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)

I_Rꢀ=ꢀf(V_R)

T_vjꢀ=ꢀ125°C

100

2000

Z_thJC: Diode

I_R, Modul

1600

1200

800

400

r_i[K/kW]: 11,475 6,375 1,53 6,12

τ_i[s]: 0,03 0,1 0,3

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

500

1000 1500 2000 2500 3000 3500

V_R[V]

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R33KL2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Nutzungsbedingungen

ꢀ

DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung

derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese

AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.

InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine

solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien

jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund

MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine

spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin

Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin

diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.

SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden

Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;

-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund

ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.

Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.

InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀKHH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

FZ800R33KL2CNOSA1 [INFINEON]

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