FZ800R45KL3B5NOSA2 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor;


型号：	FZ800R45KL3B5NOSA2
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor 栅
文件：	总10页 (文件大小：535K)
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FZ800R45KL3_B5

hochisolierendesꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode

highꢀinsulatedꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode

V_CES= 4500V

I_{C nom}= 800A / I_CRM= 1600A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Mittelspannungsantriebe

• Motorantriebe

PotentialꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Mediumꢀvoltageꢀconverters

• Motorꢀdrives

• Multi-LevelꢀUmrichter

• Traktionsumrichter

• Multiꢀlevelꢀinverter

• Tractionꢀdrives

ElektrischeꢀEigenschaften

• GroßeꢀDC-Festigkeit

ElectricalꢀFeatures

• HighꢀDCꢀstability

• HoheꢀdynamischeꢀRobustheit

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• NiedrigesꢀV_CEsat

• Highꢀdynamicꢀrobustness

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• LowꢀV_CEsat

• TrenchꢀIGBTꢀ3

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

• AlSiC base plate for increased thermal cycling

Lastwechselfestigkeit

capability

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600

• Gehäuse mit erweiterten

• Package with enhanced insulation of 10.4kV AC

Isolationseigenschaftenꢀvonꢀ10,4kVꢀACꢀ10s

10s

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• IsolierteꢀBodenplatte

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Isolatedꢀbaseꢀplate

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.2

www.infineon.com

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= -40°C

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

4500

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

t_P= 1 ms

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

800

1600

+/-20

ꢀ

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 800 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,50 2,85

3,10 3,70

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 70,5 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 2800V

T_vj= 25°C

5,40 6,00 6,60

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

26,5

1,1

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 4500 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

185

3,10

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 2800 V

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,75

µs

R_Gon= 2,4 Ω

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 2800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,30

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 2800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

6,60

6,90

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 2800 V

V_GE= ±15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,35

0,45

µs

R_Goff= 7,5 Ω

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 2800 V, L_S= 95 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3300 A/µs

R_Gon= 1,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3100

4100

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 2800 V, L_S= 95 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 2000 V/µs

R_Goff= 7,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2800

3400

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 2800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

4600

13,5

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

11,1 K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

K/kW

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-50

125

°C

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= -40°C

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

4500

V_RRM

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

I_F

ꢀ

800

1600

255

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_FRM

I²t

P_RQM

t_{on min}

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

ꢀ kA²s

ꢀ kW

ꢀ µs

Spitzenverlustleistung

Maximumꢀpowerꢀdissipation

1600

10,0

Mindesteinschaltdauer

Minimumꢀturn-onꢀtime

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 800 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,50 3,10

2,50 3,00

V_F

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 800 A, - di_F/dt = 3300 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

1000

1150

V_R= 2800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 800 A, - di_F/dt = 3300 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

770

1400

µC

V_R= 2800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 800 A, - di_F/dt = 3300 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

1200

2400

V_R= 2800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

25,5 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

21,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-50

125

°C

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 10 s

V_ISOL

V_{CE D}

ꢀ

10,4

3,5

ꢀ kV

Teilentladungs-Aussetzspannung

Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, Q_PD≤ 10 pC

Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung

DCꢀstability

T_vj= 25°C, 100 fit

3000

AlSiC

AlN

ꢀ

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

56,0

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

26,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

> 600

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

R_CC'+EE'

0,18

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

-55

125

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

4,25

5,75 Nm

2,1 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

1,8

8,0

Gewicht

Weight

1000

Das maximal zulässige du/dt, definiert zwischen 0,6 und 1×Vce, beträgt 2400V/µs.

The maximum allowed dv/dt measured between 0,6 and 1×Vce is 2400V/µs.

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ125°C

1600

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

V_GE= 8V

V_GE= 9V

V_GE= 10V

V_GE= 12V

V_GE= 15V

V_GE= 20V

1400

1200

1000

800

600

400

200

1400

1200

1000

800

600

400

200

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ7.5ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ2800ꢀV

1600

11000

T_vj= 25°C

E_on, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

10000

1400

1200

1000

800

9000

8000

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000

600

400

200

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

V_GE[V]

I_C[A]

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ2800ꢀV

15000

100

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

13500

12000

10500

9000

7500

6000

4500

3000

1500

r_i[K/kW]: 1,486 6,721 1,572 1,314

τ_i[s]:

0,008 0,08 0,36 6,41

0,1

0,001

10 11 12 13 14 15

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

Cꢀ=ꢀf(V_CE)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1MHz

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ7.5ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ125°C

1800

1000

C_ies

C_oes

C_res

1600

1400

1200

1000

800

100

600

400

I_C, Modul

I_C, Chip

200

500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000

V_CE[V]

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

V_CE[V]

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

1600

V_CC= 2800V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1400

1200

1000

800

600

400

200

-3

-6

-9

-12

-15

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

Q_G[µC]

V_F[V]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

-di_F/dt=3300A/µs,ꢀV_CEꢀ=ꢀ2800ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ2800ꢀV

3200

2800

E_rec, T_vj= 125°C

2800

2400

2000

1600

1200

800

2400

2000

1600

1200

800

400

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

I_F[A]

R_G[Ω]

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)

safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)

I_Rꢀ=ꢀf(V_R)

T_vjꢀ=ꢀ125°C

100

2000

Z_thJC: Diode

I_R, Modul

1600

1200

800

400

r_i[K/kW]: 5,222 15,1 3,423 1,746

τ_i[s]:

0,004 0,048 0,247 4,383

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

1000

2000

3000

4000

5000

V_R[V]

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

FZ800R45KL3_B5

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Datasheet

Vꢀ3.2

2018-01-15

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2018-01-15

AllꢀRightsꢀReserved.

Publishedꢀby

InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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ꢀ

WICHTIGERꢀHINWEIS

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen

benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem

ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu

Personenverletzungenꢀführen.

ꢀ

IMPORTANTꢀNOTICE

Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics

(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

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nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.

FZ800R45KL3B5NOSA2 [INFINEON]

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