FZ900R12KE4 [INFINEON]
62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode; 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4
| 型号： | FZ900R12KE4 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
| 文件： | 总9页 (文件大小：1675K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
Vorläufige Daten / preliminary data
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 900A / I†ç¢ = 1800A
Typische Anwendungen
Typical Applications
High Power Converters
Motor Drives
Hochleistungsumrichter
••
Motorantriebe
••
••
••
USV-Systeme
UPS Systems
Windgeneratoren
Wind Turbines
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ
Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ
Low Switching Losses
••
••
••
••
••
Niedrige Schaltverluste
Sehr große Robustheit
Unbeatable Robustness
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
niedriges V†ŠÙÈÚ
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
4kV AC 1min Isolationsfestigkeit
Gehäuse mit CTI > 400
Große Luft- und Kriechstrecken
Hohe Leistungsdichte
4kV AC 1min Insulation
Package with CTI > 400
High Creepage and Clearance Distances
High Power Density
••
••
••
••
••
••
Isolierte Bodenplatte
Isolated Base Plate
Standardgehäuse
Standard Housing
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: MK
approved by: WR
date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
material no: 31517
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
900
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C
DC-collector current
I† ÒÓÑ
I†ç¢
PÚÓÚ
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
t« = 1 ms
1800
4300
+/-20
A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
total power dissipation
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 900 A, V•Š = 15 V
I† = 900 A, V•Š = 15 V
I† = 900 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,75 2,10
2,00
2,05
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 32,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
7,40
0,9
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
56,0
2,20
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,5 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,24
0,25
0,26
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,5 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,09
0,10
0,11
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,61
0,64
0,66
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 900 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,10
0,14
0,15
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 900 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
40,0
55,0
60,0
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 1,5 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 900 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
80,0
115
130
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 0,9 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
3600
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,035 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,016
K/W
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: MK
approved by: WR
date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
900
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
1800
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
91000
88000
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 900 A, V•Š = 0 V
IŒ = 900 A, V•Š = 0 V
IŒ = 900 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,90 2,45
1,85
1,80
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 900 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
540
720
750
A
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 900 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
80,0
150
180
µC
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 900 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
40,0
75,0
85,0
mJ
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,06 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,027
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
4,0
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
25,0
19,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
25,0
10,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
0,01
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
16
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,50
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
-
6,00 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note
1,1
2,5
-
-
2,0 Nm
5,0 Nm
terminal connection torque
screw M4 - mounting according to valid application note
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
Gewicht
weight
340
g
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revision: 2.3
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
1800
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
800
700
700
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.5 Â, R•ÓËË = 0.9 Â, V†Š = 600 V
1800
300
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
270
240
210
180
150
120
90
800
700
600
500
400
60
300
200
30
100
0
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
I† [A]
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date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 900 A, V†Š = 600 V
500
0,1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0,01
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,0021 0,01155 0,0112 0,01015
0,01 0,02 0,05 0,1
τÍ[s]:
0
0,001
0,001
0
1
2
3
4 5
R• [Â]
6
7
8
9
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.9 Â, TÝÎ = 150°C
2200
1800
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
800
700
600
500
600
400
400
300
200
200
100
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VΠ[V]
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date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1.5 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 900 A, V†Š = 600 V
110
120
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IΠ[A]
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
16
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
0,1
ZÚÌœ† : Diode
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0036 0,0198 0,0192 0,0174
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
prepared by: MK
approved by: WR
date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
Infineon
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revision: 2.3
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ900R12KE4
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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date of publication: 2009-08-12
revision: 2.3
9
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