IPB072N15N3 G [INFINEON]

与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。;


型号：	IPB072N15N3 G
厂家：	Infineon
描述：	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。
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IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

"%&$!"#^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _9H

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Type

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Package

Marking

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(/-C)-C

Maximum ratings, 1D T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ ꢁ E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I ₉

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T ₈ꢏ ꢅ ꢐ ꢐ Tꢈ

T ₈ꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

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IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

Values

typ.

Parameter

Symbol Conditions

Unit

min.

max.

Thermal characteristics

R _`T@8

-85B=1< B5C9CD1>3 5ꢁ :E>3 D9? > ꢀ 3 1C5

ꢀ

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Electrical characteristics, 1D T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ ꢁ E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954

Static characteristics

V _"7G#9HH

V _=H"`T#

_=Hꢏ ꢐ .ꢁ I ₉ꢏ ꢅ =ꢑ

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I _9HH

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(&)

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T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

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T _Vꢏ ꢅ ꢌ ꢇ Tꢈ

I _=HH

_=Hꢏ ꢌ ꢐ .ꢁ V _9Hꢏ ꢐ .

_=Hꢏ ꢅ ꢐ .ꢁ I ₉ꢏ ꢅ ꢐ ꢐ ꢑ ꢁ

!1D5ꢀC? EB3 5 <51;175 3 EBB5>D

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R _9H"[Z#

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R ₌

g _{R_}

!1D5 B5C9CD1>3 5

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I ₉ꢏ ꢅ ꢐ ꢐ ꢑ

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@175 ꢌ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

Values

typ.

Parameter

Symbol Conditions

Unit

min.

max.

Dynamic characteristics

#>@ED 3 1@13 9D1>3 5

( ED@ED 3 1@13 9D1>3 5

+ 5F5BC5 DB1>C65B 3 1@13 9D1>3 5

-EB>ꢀ? > 45<1I D9=5

+ 9C5 D9=5

C _{U__}

-,/(

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)(

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C _{^__}

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t _^

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t _P"[RR#

t _R

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1<< D9=5

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!1D5 D? 4B19> 3 81B75

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Q _{S_}

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Q _SP

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Q _{_c}

Q _S

!1D5 3 81B75 D? D1<

V _\XM`QMa

Q _{[__}

!1D5 @<1D51E F? <D175

( ED@ED 3 81B75

-&-

)/1

₉₉ꢏ ꢆ ꢇ .ꢁ V _=Hꢏ ꢐ .

*+1 Z8

Reverse Diode

I _H

ꢊ 9? 45 3 ? >D9>? EC 6? BG1B4 3 EBB5>D

ꢊ 9? 45 @E<C5 3 EBB5>D

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,((

T ₈ꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

I _{H$\aX_Q}

_=Hꢏ ꢐ .ꢁ I _<ꢏ ꢅ ꢐ ꢐ ꢑ ꢁ

V _H9

ꢊ 9? 45 6? BG1B4 F? <D175

)

)&*

T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

t _^^

+ 5F5BC5 B53 ? F5BI D9=5

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,/0

V _Gꢏ ꢆ ꢇ .ꢁ I _<4I _Hꢁ

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Q _^^

+ 5F5BC5 B53 ? F5BI 3 81B75

^,#,55 697EB5 ꢅ ꢋ 6? B 71D5 3 81B75 @1B1=5D5B 4569>9D9? >

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢕ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

1 Power dissipation

2 Drain current

_`[`4R"T ₈#

I ₉4R"T ₈ꢄꢉ V _=H"ꢅ ꢐ .

320

280

240

200

160

120

100

150

200

100

150

200

T _C[°C]

3 Safe operating area

I ₉4R"V _9Hꢄꢉ T ₈ꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ ꢉ D 4(

@1B1=5D5Bꢗ t _\

4 Max. transient thermal impedance

_`T@84R"t _\#

@1B1=5D5Bꢗ D 4t _\'T

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

10⁰

ꢅ V C

ꢅ ꢐ V C

ꢅ ꢐ ꢐ V C

ꢅ =C

(&-

ꢅ ꢐ =C

(&*

10^-1

(&)

(&(-

(&(*

(&()

C9>7<5 @E<C5

10^-2

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10^-1

10⁰

10¹

V _DS[V]

10²

10³

t _p[s]

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢍ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

5 Typ. output characteristics

I ₉4R"V _9Hꢄꢉ T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

6 Typ. drain-source on resistance

_9H"[Z#4R"I ₉ꢄꢉ T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

@1B1=5D5Bꢗ V _=H

350

ꢔ .

ꢆ .

ꢅ ꢐ .

ꢇ .

ꢇ ꢓꢇ .

300

250

200

150

100

ꢋ ꢓꢇ .

ꢋ .

ꢔ .

ꢅ ꢐ .

ꢇ ꢓꢇ .

ꢇ .

ꢍ ꢓꢇ .

100

150

V _DS[V]

I _D[A]

7 Typ. transfer characteristics

I ₉4R"V _=Hꢄꢉ KV _9Hg5*gI ₉gR _9H"[Z#YMd

@1B1=5D5Bꢗ T _V

8 Typ. forward transconductance

g _{R_}4R"I ₉ꢄꢉ T _Vꢏ ꢌ ꢇ Tꢈ

200

150

100

160

140

120

100

ꢌ ꢇ Tꢈ

ꢅ ꢆ ꢇ Tꢈ

120

160

I _D[A]

V _GS[V]

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢇ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

9 Drain-source on-state resistance

10 Typ. gate threshold voltage

_=H"`T#4R"T _Vꢄꢉ V _=H4V _9H

_9H"[Z#4R"T _Vꢄꢉ I ₉ꢏ ꢅ ꢐ ꢐ ꢑ ꢉ V _=Hꢏ ꢅ ꢐ .

@1B1=5D5Bꢗ I ₉

3.5

ꢌ ꢆ ꢐ ꢐ V ꢑ

ꢌ ꢆ ꢐ V ꢑ

2.5

10!

1.5

`e\

0.5

-60

-20

100

140

180

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

11 Typ. capacitances

12 Forward characteristics of reverse diode

I _<4R"V _H9

C 4R"V _9Hꢄꢉ V _=Hꢏ ꢐ .ꢉ f ꢏ ꢅ & " J

@1B1=5D5Bꢗ T _V

10⁴

10³

8U__

10³

10²

10¹

10²

ꢅ ꢆ ꢇ Tꢈ

ꢌ ꢇ Tꢈ ꢁ ꢎ ꢔ ꢘ

8[__

ꢅ ꢆ ꢇ Tꢈ ꢁ ꢎ ꢔ ꢘ

ꢌ ꢇ Tꢈ

10¹

8^__

10⁰

0.5

1.5

100

V _SD[V]

V _DS[V]

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢋ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

13 Avalanche characteristics

_6H4R"t _6Jꢄꢉ R _=Hꢏ ꢌ ꢇ "

14 Typ. gate charge

_=H4R"Q _SM`Qꢄꢉ I ₉ꢏ ꢅ ꢐ ꢐ ꢑ @E<C54

@1B1=5D5Bꢗ T _{V"_`M^`#}

@1B1=5D5Bꢗ V ₉₉

1000

ꢅ ꢌ ꢐ .

ꢆ ꢇ .

100

ꢌ ꢇ Tꢈ

ꢕ ꢐ .

ꢅ ꢐ ꢐ Tꢈ

ꢅ ꢌ ꢇ Tꢈ

100

1000

Q _gate[nC]

t _AV[µs]

15 Drain-source breakdown voltage

16 Gate charge waveforms

_7G"9HH#4R"T _Vꢄꢉ I ₉ꢏ ꢅ =ꢑ

170

165

160

155

150

145

140

135

V _=H

Q _g

V _{S _"`T#}

Q _S"`T#

Q _{_c}

Q _SP

Q _gate

Q _{S_}

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢆ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

PG-TO220-3: Outline

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢔ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

PG-TO263-3: Outline

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢎ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

PG-TO262-3: Outline

+ 5Fꢓ ꢌ ꢓꢐ ꢋ

@175 ꢅ ꢐ

ꢌ ꢐ ꢅ ꢐ ꢀꢐ ꢍ ꢀꢅ ꢎ

IPB072N15N3 G IPP075N15N3 G

IPI075N15N3 G

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