IPL60R095CFD7AUMA1 [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor,;
| 型号： | IPL60R095CFD7AUMA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Power Field-Effect Transistor, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：229K) |
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IPL60R104C7AUMA1
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R105P7AUMA1
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R115CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R125C7
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R125P7
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R140CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R140CFD7AUMA1
Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R160CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R180P6
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R185C7
Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R185CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R185CFD7AUMA1
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R185P7
600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R199CP
600V CoolMOS CP Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R199CPAUMA1
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 8 X 8 MM, GREEN, LEADLESS, PLASTIC, THINPAK, VSON-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R1K5C6S
Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, THINPAK-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R1K5C6SATMA1
Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, THINPAK-5Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R225CFD7
Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R255P6
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPL60R255P6AUMA1
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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