IRF615-012 [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,;
| 型号： | IRF615-012 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, |
| 文件： | 总1页 (文件大小：42K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
相关型号：
IRF615-013
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
INFINEON
IRF6156PBF
Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLIPFET-6
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明