LG3369-F [INFINEON]
LC 3 mm T1 LED, Diffused Low Current LED; LC 3毫米T1 LED ，扩散低电流LED
| 型号： | LG3369-F |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | LC 3 mm T1 LED, Diffused Low Current LED |
| 文件： | 总7页 (文件大小：128K) |
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LC 3 mm (T1) LED, Diffused
Low Current LED
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● high luminous intensity at low currents (typ. 2 mA)
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 2 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
LS 3369-EH
LS 3369-G
LS 3369-H
LS 3369-GK
super-red
red diffused
0.63 … 5.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.60 … 12.5
Q62703-Q1748
Q62703-Q2068
Q62703-Q3820
Q62703-Q3821
LY 3369-EH
LY 3369-F
LY 3369-G
LY 3369-H
LY 3369-FJ
yellow
yellow diffused
0.63 … 5.0
1.00 … 2.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.00 … 8.0
Q62703-Q1749
Q62703-Q2030
Q62703-Q2029
Q62703-Q1906
Q62703-Q3822
LG 3369-EH
LG 3369-F
LG 3369-G
LG 3369-FJ
green
green diffused
0.63 … 5.0
1.00 … 2.0
1.60 … 3.2
1.00 … 8.0
Q62703-Q1750
Q62703-Q2069
Q62703-Q2070
Q62703-Q3823
Streuung der Lichterstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
– 55 … + 100
°C
°C
°C
mA
A
op
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
– 55 … + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
Durchlaßstrom
Forward current
IF
7.5
Stoßstrom
IFM
0.15
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
20
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
500
K/W
Semiconductor Group
2
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) λpeak
Wavelength at peak emission(typ.)
IF = 7.5 mA
635
586
590
45
565
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
IF = 7.5 mA
λdom
628
45
570
25
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.)
IF = 7.5 mA
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
60
60
60
Grad
deg.
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
IF = 2 mA
VF
VF
1.8
2.6
2.0
2.7
1.9
2.6
V
V
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
VR = 5 V
IR
IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität(typ.)
Capacitance
C0
3
3
15
pF
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %(typ.)
IV from 90 % to 10 %(typ.)
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
tr
tf
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 7.5 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(2 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
OHL01207
10 1
OHL01208
10 2
Ι V
Ι F
mA
Ι V(2mA)
10 0
5
10 1
super-red
green
5
yellow
10 -1
green
yellow
super-red
5
10 0
5
10 -2
5
10 -1
10 -3
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
3.4
V
-1
0
1
2
mA
Ι
10
5
10
5
10
10
VF
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL01278
OHL01193
10 3
8
t P
Ι F
Ι F
mA
t P
mA
ΙF
D
=
=
T
T
6
5
4
3
2
1
0
D
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 2
5
0.2
0.5
10 1
5
DC
10 0
10-5
10-4 10-3 10-2 10-1
100 s 101
t p
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
Semiconductor Group
5
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 7.5 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
OHL01673
OHL01672
690
690
λ dom
λ peak
nm
nm
650
650
630
610
590
570
550
super-red
super-red
630
610
yellow
590
yellow
green
green
570
550
0
20
40
60
80 ˚C 100
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
TA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 2 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 2 mA
OHL01750
OHL01675
2.4
2.0
Ι V
Ι V(25 ˚C)
1.6
VF
V
2.2
2.0
1.2
0.8
0.4
0.0
yellow
green
yellow
green
1.8
super-red
super-red
1.6
1.4
0
20
40
60
80 ˚C 100
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
TA
Semiconductor Group
6
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Maßzeichnung
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
4.8
Area not flat
4.4
2.7
2.1
3.4
3.1
1.8
1.2
3.7
3.5
0.6
0.4
29.0
27.0
6.1
5.7
Chip position
Collector/
Cathode
GEX06710
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
Semiconductor Group
7
1998-07-13
相关型号：
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