LHT774-L2 [INFINEON]

Visible LED, Clear;


型号：	LHT774-L2
厂家：	Infineon
描述：	Visible LED, Clear
文件：	总12页 (文件大小：105K)
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TOPLED^®RG

Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED

LH T774

Besondere Merkmale

Features

• Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse

• Besonderheit des Bauteils: extrem breite

Abstrahlcharakteristik; ideal für

• package: white SMT package

• feature of the device: extremely wide viewing

angle; ideal for backlighting and coupling in

light guides; LED is mounted top down and

emits through the PCB

Hinterleuchtungen und Einkopplungen in

Lichtleiter; Bauteil wird top-down montiert und

strahlt durch das PCB

• wavelength: 645 nm

• Wellenlänge: 645 nm

• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)

• Technologie: GaAlAs

• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)

• technology: GaAlAs

• optical efficiency: 3 lm/W

• optischer Wirkungsgrad: 3 lm/W

• Gruppierungsparameter: Lichtstärke

• Verarbeitungsmethode: für alle

SMT-Bestücktechniken geeignet

• Lötmethode: IR Reflow Löten und

Wellenlöten (TTW)

• grouping parameter: luminous intensity

• assembly methods: suitable for all

SMT assembly methods

• soldering methods: IR reflow soldering and

TTW soldering

• preconditioning: acc. to JEDEC Level 2

• taping: 12 mm tape with 2000/reel, ø180 mm

or 8000/reel, ø330 mm

• Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2

•

Gurtung: 12 mm Gurt mit 2000/Rolle, ø180 mm

oder 8000/Rolle, ø330 mm

Anwendungen

Applications

• Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,

Displays, Werbebeleuchtung,

• backlighting (LCD, switches, keys, displays,

illuminated advertising, general lighting)

• coupling into light guide

Allgemeinbeleuchtung)

• Einkopplung in Lichtleiter

• interior automotive lighting.

• Innenbeleuchtung im Automobilbereich

(z.B. Instrumentenbeleuchtung, u.ä.)

(e.g. dashboard backlighting, etc.)

2000-03-01

LH T774

Typ

Emissions-

farbe

Farbe der

Lichtaustritts-

fläche

Color of the

LightEmitting Intensity

Lichtstärke

Luminous

Lichtstrom Bestellnummer

Type

Color of

Emission

Luminous

Flux

Ordering Code

Area

I_F= 10 mA

I_V(mcd)

I_F= 10 mA

(mlm)

LH T774-L2M2-1 hyper-red

LH T774-M2P1-1

LH T774-L2

colorless clear 14.0 ... 28.0

22.4 ... 56.0

63.0 (typ.) Q62703-Q5028

117.6 (typ.) Q62703-Q5029

48.0 (typ.)

14.0 ... 18.0

LH T774-M1

18.0 ... 22.4

60.6 (typ.)

LH T774-M2

22.4 ... 28.0

75.6 (typ.)

LH T774-N1

28.0 ... 35.5

95.3 (typ.)

LH T774-N2

35.5 ... 45.0

120.8 (typ.)

LH T774-P1

45.0 ... 56.0

151.5 (typ.)

Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 %

ermittelt.

Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %.

2000-03-01

LH T774

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 40 … + 100

+ 100

°C

Lagertemperatur

Storage temperature range

°C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

I_FM

0.5

Surge current

10 s, D = 0.005

Sperrspannung

Reverse voltage

V_R

Leistungsaufnahme

Power dissipation

T_A25 °C

P_tot

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht/Umgebung

Junction/ambient

Sperrschicht/Lötpad

R_{th JA}

R_{th JS}

400

180

K/W

Junction/solder point

Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße 16 mm²)

mounted on PC board FR 4 (pad size 16 mm ²)

2000-03-01

LH T774

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 10 mA

(typ.)

660

645

peak

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 10 mA

dom

Spektrale Bandbreite bei 50 % I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50 % I_{rel max}

I_F= 10 mA

Abstrahlwinkel bei 50 % I_V(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I_V

120

Grad

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 10 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

1.75

2.6

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 3 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01

Temperaturkoeffizient von

Temperature coefficient of

I_F= 10 mA

(typ.) TC

0.28

0.05

– 2.5

nm/K

mV/K

lm/W

peak

dom

peak

Temperaturkoeffizient von

Temperature coefficient of

I_F= 10 mA

dom

Temperaturkoeffizient von V_F

Temperature coefficient of V_F

I_F= 10 mA

(typ.) TC_V

Optischer Wirkungsgrad

Optical efficiency

I_F= 10 mA

(typ.)

opt

2000-03-01

LH T774

Relative spektrale Emission I_rel= f ( ), T_A= 25 °C, I_F= 10 mA

Relative Spectral Emission

V( ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

OHL01727

100

I_rel

V_λ

400

450

500

550

600

650

700

Abstrahlcharakteristik I_rel= f ( )

Radiation Characteristic

OHL01660

40˚

30˚

20˚

10˚

0˚

1.0

50˚

0.8

0.6

0.4

0.2

60˚

70˚

80˚

90˚

100˚

1.0

0.8

0.6

0.4

0˚

20˚

40˚

60˚

80˚

100˚

120˚

2000-03-01

LH T774

Durchlaßstrom I_F= f (V_F)

Forward Current

T_A= 25 °C

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(10 mA)}= f (I_F)

Relative Luminous Intensity

T_A= 25 °C

OHL01737

OHL01736

10 ¹

10³

I_V

I_{V(10 mA)}

I_F

10²

10 ⁰

10¹

hyper-red

10 ^-1

10⁰

10 ^-1

10 ^-2

10^-3

10 ^-2

10 ^-3

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

10 ²

1.2

1.6

2.4

V 2.8

I_F

V_F

Maximal zulässiger Durchlaßstrom I_F= f (T)

Max. Permissible Forward Current

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(25 °C)}= f (T_A)

Relative Luminous Intensity

I_F= 10 mA

OHL01099

OHL01749

I_V

I_F

I_{V (25 ˚C)}

1.6

1.2

hyper-red

0.8

0.4

temp. ambient

temp. solder point

80 ˚C 100

T_A

2000-03-01

LH T774

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_p)

Permissible Pulse Handling Capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 °C

OHL01686

10 ³

t_P

I_F

₌t_P

I_F

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

10 ²

0.2

0.5

10 ¹

10^-5

10^-410^-310^-210^-1

10⁰s 10¹

t_p

2000-03-01

LH T774

Maßzeichnung

Package Outlines

2.1 (0.083)

1.7 (0.067)

3.0 (0.118)

2.6 (0.102)

2.3 (0.091)

1.0 (0.039)

0.9 (0.035)

2.1 (0.083)

0...0.1 (0.004)

0.6 (0.024)

0.4 (0.016)

Cathode marking

GPLY6899

Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).

Kathodenkennung:

Cathode mark:

abgeschrägte Ecke

bevelled edge

2000-03-01

LH T774

Lötbedingungen

Vorbehandlung nach JEDEC Level 2

Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2

IR-Reflow Lötprofil

(nach IPC 9501)

IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 9501)

OHLY0597

300

˚C

250

200

150

100

240-245 ˚C

10-40 s

183 ˚C

120 to 180 s

Ramp-down rate up to 6 K/s

Defined for Preconditioning: up to 6 K/s

Ramp-up rate up to 6 K/s

Defined for Preconditioning: 2-3 K/s

100

150

200

250

2000-03-01

LH T774

Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)

TTW Soldering

(acc. to CECC 00802)

OHLY0598

300

10 s

Normalkurve

standard curve

250

200

150

100

235 C ... 260 C

Grenzkurven

limit curves

2. Welle

2. wave

1. Welle

1. wave

ca 200 K/s

2 K/s

5 K/s

100 C ... 130 C

Zwangskühlung

2 K/s

forced cooling

100

150

200

250

2000-03-01

LH T774

Empfohlenes Lötpaddesign IR-Reflow Löten

Recommended Solder Pad

IR Reflow Soldering

1.5

Padgeometrie

für verbesserte

Wärmeableitung

Paddesign

for improved

heat dissipation

Cu-Fläche > 16 mm²

Cu-area > 16 mm ²

Lötstopplack

Solder resist

OHLP0977

2000-03-01

LH T774

Gurtung / Polarität und Lage

Verpackungseinheit 2000/Rolle, ø180 mm

oder 8000/Rolle, ø330 mm

Method of Taping / Polarity and Orientation Packing unit 2000/reel, ø180 mm

or 8000/reel, ø330 mm

1.5

Cathode identification

OHA02272

2000-03-01

相关型号：