LOM776-P [INFINEON]

Hyper Mini TOPLED RG Hyper-Bright LED; 超迷你TOPLED RG超高亮LED


型号：	LOM776-P
厂家：	Infineon
描述：	Hyper Mini TOPLED RG Hyper-Bright LED 超迷你TOPLED RG超高亮LED 可见光LED 光电
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Hyper Mini TOPLED^®RG

Hyper-Bright LED

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Besondere Merkmale

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

Features

● color of package: white

● for use as optical indicator

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

Semiconductor Group

11.96

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Typ

Emissions- Farbe der Licht- Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer

farbe

austrittsfläche

Type

Color of

Emission

Color of the Light Luminous

Luminous

Flux

I = 20 mA

Ordering Code

Emitting

Area

Intensity

I = 20 mA

I_V(mcd)

Φ_V(mlm)

LS M776-MQ super-red

LS M776-N

LS M776-P

LS M776-Q

LS M776-NR

colorless clear

16 … 125

25 … 50

40 … 80

63 … 125

25 … 200

Q62703-Q3859

Q62703-Q3860

Q62703-Q3861

Q62703-Q3862

Q62703-Q3863

100 (typ.)

180 (typ.)

300 (typ.)

LA M776-NR amber

LA M776-P

LA M776-Q

LA M776-R

LA M776-PS

25 … 200

40 … 80

63 … 125

100 … 200

40 … 320

Q62703-Q3864

Q62703-Q3865

Q62703-Q3866

Q62703-Q3867

Q62703-Q3868

180 (typ.)

300 (typ.)

450 (typ.)

LO M776-NR orange

LO M776-P

LO M776-Q

LO M776-R

LO M776-PS

25 … 200

40 … 80

63 … 125

100 … 200

40 … 320

Q62703-Q3869

Q62703-Q3870

Q62703-Q3871

Q62703-Q3872

Q62703-Q3873

180 (typ.)

300 (typ.)

450 (typ.)

LY M776-NR yellow

LY M776-P

LY M776-Q

LY M776-R

LY M776-PS

25 … 200

40 … 80

63 … 125

100 … 200

40 … 320

Q62703-Q3874

Q62703-Q3875

Q62703-Q3876

Q62703-Q3877

Q62703-Q3878

180 (typ.)

300 (typ.)

450 (typ.)

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Semiconductor Group

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LO, LA LY

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 55 ... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

– 55 ... + 100

+ 100

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

I_FM

to be defined

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung¹⁾

Reverse voltage¹⁾

V_R

Verlustleistung

Power dissipation

P_tot

80²⁾

55²⁾

500

K/W

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

Montage auf PC-board*⁾(Padgröße ≥ 16 mm )

mounted on PC board*⁾(pad size ≥ 16 mm )

R_{th JA}

630²⁾

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

Reverse biasing should be avoided.

vorläufig/preliminary

)

PC-board: FR4

Semiconductor Group

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Kennwerte (T_A= 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

(typ.) λ_peak

(typ.)

645

622

615

610

605

591

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

(typ.) λ_dom

(typ.)

632

587

Spektrale Bandbreite bei 50% I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50% I_{rel max}

I_F= 20 mA

(typ.) ∆λ

(typ.)

Abstrahlwinkel bei 50% I_v(Vollwinkel)

Viewing angle at 50% I_v

2ϕ

120

Grad

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 20 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 3 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01 0.01 0.01

10 10 10

0.01

µA

Temperaturkoeffizient von λ_dom(I_F= 20 mA)

Temperature coefficient of λ_dom(I_F= 20 mA)

0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K

0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K

Temperaturkoeffizient von λ_peak

I_F= 20 mA

Temperature coefficient of λ_peak

I_F= 20 mA

(typ.)

Temperaturkoeffizient von V_F, I_F= 20 mA (typ.) TC

Temperature coefficient of V_F, I_F= 20 mA (typ.)

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

Semiconductor Group

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Relative spektrale Emission I = f (λ), T_A= 25 ˚C, I_F= 10 mA

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)

rel

Radiation characteristic

Semiconductor Group

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Durchlaßstrom I_F= f (V_F)

Forward current

T_A= 25 ˚C

Relative Lichtstärke I_V/ I_{V(20 mA)}= f (I_F)

Relative luminous intensity

T_A= 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I_F= f (T_A)

Relative Lichtstärke I_V/ I_{V(25 ˚C)}= f (T_A)

Relative luminous intensity

I_F= 10 mA

Semiconductor Group

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_p)

Permissible pulse handling capability

LS, LA, LO

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_p)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

Maßzeichnung

Package Outlines

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung:

Cathode mark:

abgeschrägte Ecke

bevelled edge

Semiconductor Group

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