LR5360-DG [INFINEON]

5 mm (T1 3/4) LED, Diffused; 5毫米（ T1 3/4 ）的带领下，扩散


型号：	LR5360-DG
厂家：	Infineon
描述：	5 mm (T1 3/4) LED, Diffused 5毫米（ T1 3/4 ）的带领下，扩散
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5 mm (T1 ³/₄) LED, Diffused

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, diffuses Gehäuse

● als optischer Indikator einsetzbar

● Lötspieße ohne Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, diffused package

● for use as optical indicator

● solder leads without stand-off

● available taped on reel

● load dump resistance acc. to DIN 40839

Semiconductor Group

11.96

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Typ

Type

Emissionsfarbe Gehäusefarbe

Lichtstärke

Luminous

Intensity

Bestellnummer

Ordering Code

Color of

Package

Emission

I_F= 10 mA

I_V(mcd)

LR 5360-DG

LR 5360-F

LR 5360-G

LR 5360-FJ

red

red diffused

0.4 … 3.2

1.0 … 2.0

1.6 … 3.2

1.0 … 8.0

Q62703-Q1376

Q62703-Q1377

Q62703-Q1378

Q62703-Q1379

LS 5360-HL

LS 5360-J

LS 5360-K

LS 5360-L

LS 5360-JM

super-red

2.5 … 20.0

4.0 … 8.0

6.3 … 12.5

10.0 … 20.0

4.0 … 32.0

Q62703-Q1380

Q62703-Q1744

Q62703-Q1381

Q62703-Q1382

Q62703-Q3224

LY 5360-HL

LY 5360-J

LY 5360-K

LY 5360-L

LY 5360-JM

yellow

green

yellow diffused

green diffused

2.5 … 20.0

4.0 … 8.0

6.3 … 12.5

10.0 … 20.0

4.0 … 32.0

Q62703-Q2000

Q62703-Q1386

Q62703-Q2001

Q62703-Q2404

Q62703-Q1387

LG 5360-GK

LG 5360-H

LG 5360-J

LG 5360-K

LG 5360-HL

1.6 … 12.5

2.5 … 5.0

4.0 … 8.0

6.3 … 12.5

2.5 … 20.0

Q62703-Q1391

Q62703-Q1390

Q62703-Q1866

Q62703-Q2012

Q62703-Q3188

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Semiconductor Group

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LY, LG

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 55 … + 100

+ 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

I_FM

0.5

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung

Reverse voltage

V_R

Verlustleistung

Power dissipation

T_A≤ 25 ˚C

P_tot

100

140

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Luft

Junction / air

R_{th JA}

400

K/W

Semiconductor Group

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Kennwerte (T_A= 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

(typ.) λ_peak

(typ.)

660 635 586 565 nm

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

(typ.) λ_dom

(typ.)

645 628 590 570 nm

Spektrale Bandbreite bei 50 % I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50 % I_{rel max}

I_F= 20 mA

(typ.) ∆λ

(typ.)

Abstrahlwinkel bei 50 % I_V(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I_V

2ϕ

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 10 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

1.6 2.0 2.0 2.0

2.0 2.6 2.6 2.6

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 5 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01 0.01 0.01 0.01 µA

µA

Kapazität

(typ.) C₀

Capacitance

V_R= 0 V, f = 1 MHz

Schaltzeiten:

Switching times:

I_Vfrom 10 % to 90 %

I_Vfrom 90 % to 10 %

I_F= 100 mA, t_P= 10 µs, R_L= 50 Ω

(typ.) t_r

(typ.) t_f

120 300 300 450 ns

50 150 150 200 ns

Semiconductor Group

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Relative spektrale Emission I_rel= f (λ), T_A= 25 ˚C, I_F= 20 mA

Relative spectral emission

V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I_rel= f (ϕ)

Radiation characteristic

Semiconductor Group

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Durchlaßstrom I_F= f (V_F)

Forward current

T_A= 25 ˚C

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(10 mA)}= f (I_F)

Relative luminous intensity

T_A= 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_P)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

LS, LY, LG

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_P)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

Semiconductor Group

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I_F= f (T_A)

Wellenlänge der Strahlung λ_peak= f (T_A)

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

Dominantwellenlänge λ_dom= f (T_A)

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

Durchlaßspannung V_F= f (T_A)

Forward voltage

I_F= 10 mA

Semiconductor Group

LR 5360, LS 5360, LY 5360

LG 5360

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(25 °C)}= f (T_A)

Relative luminous intensity

I_F= 10 mA

Maßzeichnung

Package Outlines

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung:

Cathode mark:

Kürzerer Lötspieß

Short solder lead

Semiconductor Group

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