LS3340-N [INFINEON]

3 mm (T1) LED, Non Diffused; 3毫米（ T1 ）的LED ，不扩散


型号：	LS3340-N
厂家：	Infineon
描述：	3 mm (T1) LED, Non Diffused 3毫米（ T1 ）的LED ，不扩散
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3 mm (T1) LED, Non Diffused

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, klares Gehäuse

● zur Einkopplung in Lichtleiter

● als optischer Indikator einsetzbar

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, clear package

● optical coupling into light pipes

● for use as optical indicator

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

Semiconductor Group

11.96

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Typ

Type

Emissionsfarbe Gehäusefarbe

Lichtstärke

Luminous

Intensity

Bestellnummer

Ordering Code

Color of

Package

Emission

I_F= 10 mA

I_V(mcd)

LS 3340-KN

LS 3340-L

LS 3340-M

LS 3340-N

LS 3340-LP

super-red

orange

red clear

6.3 … 50.0

10.0 … 20.0

16.0 … 32.0

25.0 … 50.0

10.0 … 80.0

Q62703-Q1701

Q62703-Q1702

Q62703-Q1704

Q62703-Q2320

Q62703-Q3223

LO 3340-KN

LO 3340-L

LO 3340-M

LO 3340-N

LO 3340-LP

orange clear

yellow clear

colorless clear

green clear

6.3 … 50.0

10.0 … 20.0

16.0 … 32.0

25.0 … 50.0

10.0 … 80.0

Q62703-Q1886

Q62703-Q2256

Q62703-Q2255

Q62703-Q2473

Q62703-Q2628

LY 3340-JM

LY 3340-L

LY 3340-M

LY 3340-N

LY 3340-LP

yellow

4.0 … 32.0

10.0 … 20.0

16.0 … 32.0

25.0 … 50.0

10.0 … 80.0

Q62703-Q1789

Q62703-Q1791

Q62703-Q1999

Q62703-Q2652

Q62703-Q1792

LG 3330-KN

LG 3330-L

LG 3330-M

LG 3330-N

LG 3330-LP

green

6.3 … 50.0

10.0 … 20.0

16.0 … 32.0

25.0 … 50.0

10.0 … 80.0

Q62703-Q1698

Q62703-Q1699

Q62703-Q1700

Q62703-Q2010

Q62703-Q2011

LP 3340-JL

LP 3340-K

LP 3340-L

LP 3340-KM

pure green

4.0 … 20.0

6.3 … 12.5

10.0 … 20.0

6.3 … 32.0

Q62703-Q2749

Q62703-Q2982

Q62703-Q2980

Q62703-Q3211

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Semiconductor Group

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LO, LY, LG

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 55 … + 100

+ 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

I_FM

0.5

Sperrspannung

Reverse voltage

V_R

Verlustleistung

Power dissipation

T_A≤ 25 ˚C

P_tot

140

100

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Luft

Junction / air

R_{th JA}

400

K/W

Semiconductor Group

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Kennwerte (T_A= 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS LO LY LG LP

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

(typ.) λ_peak

(typ.)

635 610 586 565 557 nm

628 605 590 570 560 nm

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

(typ.) λ_dom

(typ.)

Spektrale Bandbreite bei 50 % I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50 % I_{rel max}

I_F= 20 mA

(typ.) ∆λ

(typ.)

Abstrahlwinkel bei 50 % I_V(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I_V

2ϕ

Grad

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 10 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

2.0 2.0 2.0 2.0 2.0

2.6 2.6 2.6 2.6 2.6

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 5 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA

µA

Kapazität

(typ.) C₀

Capacitance

V_R= 0 V, f = 1 MHz

Schaltzeiten:

Switching times:

I_Vfrom 10 % to 90 %

I_Vfrom 90 % to 10 %

I_F= 100 mA, t_P= 10 µs, R_L= 50 Ω

(typ.) t_r

(typ.) t_f

300 300 300 450 450 ns

150 150 150 200 200 ns

Semiconductor Group

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Relative spektrale Emission I_rel= f (λ), T_A= 25 ˚C, I_F= 20 mA

Relative spectral emission

V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I_rel= f (ϕ)

Radiation characteristic

Semiconductor Group

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Durchlaßstrom I_F= f (V_F)

Forward current

T_A= 25 ˚C

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(10 mA)}= f (I_F)

Relative luminous intensity

T_A= 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_P)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

LS, LO, LY, LG

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_P)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

Semiconductor Group

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I_F= f (T_A)

Wellenlänge der Strahlung λ_peak= f (T_A)

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

Dominantwellenlänge λ_dom= f (T_A)

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

Durchlaßspannung V_F= f (T_A)

Forward voltage

I_F= 10 mA

Semiconductor Group

LS 3340, LO 3340, LY 3340

LG 3330, LP 3340

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(25 °C)}= f (T_A)

Relative luminous intensity

I_F= 10 mA

Maßzeichnung

Package Outlines

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung:

Cathode mark:

Kürzerer Lötspieß

Short solder lead

Semiconductor Group

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