LSB480-G [INFINEON]
Symbol LED 5 mm x 2.5 mm, Partly Diffused; 符号LED 5毫米×2.5毫米，天色扩散
| 型号： | LSB480-G |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Symbol LED 5 mm x 2.5 mm, Partly Diffused |
| 文件： | 总7页 (文件大小：433K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Symbol LED
5 mm × 2.5 mm, Partly Diffused
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse
● als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar
● Lötspieße ohne Aufsetzebene
● Bargraphanzeige
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, partly diffused package
● for use as optical indicator in frontpanel
● solder leads without stand-off
● Bargraph displays
● available taped on reel
● load dump resistance acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstärke
Luminous
Intensity
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Emission
IF = 10 mA
IV (mcd)
LR B480-BD
LR B480-C
LR B480-D
LR B480-CE
red
red, partly
diffused
0.16 … 0.80
0.25 … 0.50
0.40 … 0.80
0.25 … 1.25
Q62703-Q1464
Q62703-Q1465
Q62703-Q2648
Q62703-Q3841
LS B480-EH
LS B480-G
LS B480-H
LS B480-GK
super-red
yellow
red, partly
diffused
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
1.60 … 12.50
Q62703-Q1466
Q62703-Q1467
Q62703-Q1468
Q62703-Q1469
LY B480-EH
LY B480-G
LY B480-H
LY B480-J
LY B480-GK
yellow, partly
diffused
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
4.00 … 8.00
1.60 … 12.50
Q62703-Q1470
Q62703-Q1471
Q62703-Q2006
Q62703-Q1473
Q62703-Q2007
LG B480-EH
LG B480-G
LG B480-H
LG B480-GK
green
green, partly
diffused
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
1.60 … 12.50
Q62703-Q1477
Q62703-Q1870
Q62703-Q2025
Q62703-Q2026
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LS, LY, LG
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
45
40
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
100
140
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
2
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LS
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
660 635 586 565 nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
645 628 590 570 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
35
45
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
100 100 100 100 Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.6 2.0 2.0 2.0
2.0 2.6 2.6 2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
µA
Kapazität
(typ.) C0
25
12
10
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
120 300 300 450 ns
50 150 150 200 ns
Semiconductor Group
3
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
LS, LY, LG
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
LR
Semiconductor Group
5
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
Semiconductor Group
7
相关型号：
LSB7L
Snap Acting/Limit Switch, DPDT, Momentary, 240VDC, Screw Terminal, Top Rotary Actuator, Panel Mount
HONEYWELL
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明