LYT770-K [INFINEON]

TOPLED RG; TOPLED RG


型号：	LYT770-K
厂家：	Infineon
描述：	TOPLED RG TOPLED RG 可见光LED 光电
文件：	总8页 (文件大小：497K)
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TOPLED^®RG

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Besondere Merkmale

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (12-mm-Filmgurt)

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● color of package: white

● for use as optical indicator

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (12 mm tape)

● load dump resistant acc. to DIN 40839

Semiconductor Group

11.96

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Typ

Emissions- Farbe der

Lichtstärke Lichtstrom

Bestellnummer

Ordering Code

farbe

Lichtaustritts-

fläche

Type

Color of

Color of the

Luminous

Flux

Emission

Light Emitting Intensity

Area

I = 10 mA

I_V(mcd)

Φ_V(mlm)

LS T770-HK

LS T770-J

LS T770-K

LS T770-JL

super-red

orange

yellow

colorless clear

2.5 ... 12.5

4.0 ... 8.0 18 (typ.)

6.3 ... 12.5 30 (typ.)

Q62703-Q2726

Q62703-Q2727

Q62703-Q2728

Q62703-Q2729

4.0 ... 20.0

LO T770-HK

LO T770-J

LO T770-K

LO T770-JL

colorless clear

2.5 ... 12.5

4.0 ... 8.0 18 (typ.)

6.3 ... 12.5 30 (typ.)

Q62703-Q2730

Q62703-Q2731

Q62703-Q2732

Q62703-Q2733

4.0 ... 20.0

LY T770-HL

LY T770-J

LY T770-K

LY T770-L

LY T770-JM

2.5 ... 20.0

Q62703-Q2734

Q62703-Q2736

Q62703-Q3241

Q62703-Q3906

Q62703-Q2737

4.0 ... 8.0 18 (typ.)

6.3 ... 12.5 30 (typ.)

10.0 ... 20.0 45 (typ.)

4.0 ... 32.0

LG T770-HL

LG T770-J

LG T770-K

LG T770-L

LG T770-JM

green

colorless clear

2.5 ... 20.0

Q62703-Q2738

Q62703-Q2739

Q62703-Q2740

Q62703-Q3100

Q62703-Q2741

4.0 ... 8.0 18 (typ.)

6.3 ... 12.5 30 (typ.)

10.0 ... 20.0 45 (typ.)

4.0 ... 32.0

LP T770-FJ

LP T770-G

LP T770-H

LP T770-GK

pure green

1.0 ... 8.0

1.6 ... 3.2 8 (typ.)

2.5 ... 5.0 12 (typ.)

Q62703-Q2742

Q62703-Q2743

Q62703-Q2744

Q62703-Q2745

1.6 ... 12.5

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Semiconductor Group

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 55 ... + 100

+ 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

I_FM

0.5

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung

V_R

Reverse voltage

Verlustleistung

Power dissipation

P_tot

100

400

K/W

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

Montage auf PC-board*⁾(Padgröße je ≥ 16 mm )

mounted on PC board*⁾(pad size ≥ 16 mm each)

R_{th JA}

)

PC-board: FR4

Semiconductor Group

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Kennwerte (T_A= 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS LO LY LG LP

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 10 mA

(typ.) λ_peak

(typ.)

635 610 586 565 557 nm

628 605 590 570 560 nm

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 10 mA

(typ.) λ_dom

(typ.)

Spektrale Bandbreite bei 50 % I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50 % I_{rel max}

I_F= 10 mA

(typ.) ∆λ

(typ.)

Abstrahlwinkel bei 50 % I_v(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I_v

2ϕ

120 120 120 120 120 Grad

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 10 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

2.0 2.0 2.0 2.0 2.0

2.6 2.6 2.6 2.6 2.6

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 5 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA

µA

Kapazität

(typ.) C₀

Capacitance

V_R= 0 V, f = 1 MHz

Schaltzeiten:

Switching times:

I_Vfrom 10 % to 90 %

I_Vfrom 90 % to 10 %

I_F= 100 mA, t_p= 10 µs, R_L= 50 Ω

(typ.) t_r

(typ.) t_f

300 300 300 450 450 ns

150 150 150 200 200 ns

Semiconductor Group

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Relative spektrale Emission I = f (λ), T_A= 25 ˚C, I = 10 mA

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)

rel

Radiation characteristic

Semiconductor Group

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Durchlaßstrom I = f (V_F)

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(10 mA)}= f (I_F)

Forward current

Relative luminous intensity

T_A= 25 ˚C

Zulässige ImpulsbelastbarkeitI = f (t_p)

Permissible pulse handling capability

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

I = f (T_A)

Semiconductor Group

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Wellenlänge der Strahlung λ_peak= f (T_A)

Dominantwellenlänge λ_dom= f (T_A)

Wavelength at peak emission

Dominant wavelength

I = 10 mA

Durchlaßspannung V_F= f (T_A)

Relative Lichtstärke I_V/ I_{V(25 ˚C )}= f (T_A)

Forward voltage

Relative luminous intensity

I = 10 mA

Semiconductor Group

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung:

Cathode mark:

abgeschrägte Ecke

bevelled edge

Semiconductor Group

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