Q62702-P1189 [INFINEON]
.NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor; .NPN - Silizium - Fototransistor NPN硅光电晶体管
| 型号： | Q62702-P1189 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| 文件： | 总5页 (文件大小：236K) |
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.
NPN-Silizium-Fototransistor
SFH 300
Silicon NPN Phototransistor
SFH 300 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
● Hohe Linearität
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
● High linearity
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
● 5 mm LED plastic package
● Available in groups
Anwendungen
Applications
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Computer-controlled flashes
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● Industrieelektronik
● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”
10.95
Semiconductor Group
240
SFH 300
SFH 300 FA
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 300
(*BP 103 B)
Q62702-P1189
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
Q62702-P85-S4
SFH 300 FA
(*BP 103 BF)
Q62702-P1193
SFH 300-2
(*BP 103 B-2)
SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2)
Q62702-P1192
Q62702-P1057
Q62702-P1058
SFH 300-3
(*BP 103 B-3)
SFH 300-41)
(*BP 103 B-4)
1)
SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3)
SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
TS
260
°C
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
TS
300
°C
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
IC
35
50
100
7
V
Kollektorstrom
Collector current
mA
mA
V
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
VEC
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Semiconductor Group
241
SFH 300
SFH 300 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
200
375
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 300
SFH 300 FA
870 nm
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
λ
850
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.12
0.12
mm
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
0.5 × 0.5
4.1 ... 4.7
0.5 × 0.5
4.1 ... 4.7
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
mm
H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 25
± 25
Grad
deg.
Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCE
ICEO
6.5
6.5
pF
Dunkelstrom
5 (≤ 100)
5 (≤ 100)
nA
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
Semiconductor Group
242
SFH 300
SFH 300 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V
2
IPCE
IPCE
0.63 ... 1.25 1 ... 2 ≥ 1.6 mA
SFH 300:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
3.4
7.5
5.4
10
8.6
10
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
tr, tf
µs
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
VCEsat
130
140
150
mV
1)
IC = IPCEmin × 0.3,
2
Ee = 0.5 mW/cm
1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
1)
Semiconductor Group
243
SFH 300
SFH 300 FA
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 = f (λ)
Relative spectral sensitivity,
Dark current
I /I
o = f (T ), V = 25 V, E = 0
CEO CEO25
S
SFH 300 FA S = f (λ)
rel
rel
A
CE
Photocurrent
/I
o = f (T ), V = 5 V
Photocurrent
Dark current
I = f (V ), E = 0
CEO
I
I
= f (E ), V = 5 V
PCE PCE25
A
CE
PCE
e
CE
CE
Collector-emitter capacitance
= f (V ), f = 1 MHz, E = 0
C
Directional characteristics S = f (ϕ)
CE
CE
rel
Semiconductor Group
244
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