Q62702-P128 [INFINEON]
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter; Silizium - PIN- Fotodiode MIT Tageslichtsperrfilter硅PIN光电二极管与日光过滤器
| 型号： | Q62702-P128 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| 文件： | 总4页 (文件大小：161K) |
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Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
SFH 205
SFH 206
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen bei
950 nm
● Especially suitable for applications of
950 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Anwendungen
Applications
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
● Light reflecting switches for steady and
varying intensity
SFH 205
SFH 206
Typ (* ab 4/95)
Type (* as of 4/95) Ordering Code
Bestellnummer
Gehäuse
Package
SFH 205
(* SFH 205 F)
Q62702-P102
Q62702-P128
10 A3 DIN 41868 (TO-92-ähnlich), schwarzes
Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im
1
2.54-mm-Raster ( /10), Kathodenkennzeichnung:
SFH 206
(* SFH 206 F)
Gehäusekerbe
10 A3 DIN 41 868 (similar to TO-92), black epoxy
1
resin, solder tabs 2.54 ( /10) lead spacing, cathode
marking: notch at package
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
o
Betriebs- und Lagertemperatur
T ; T
–55 ... +80
C
op stg
Operating and storage temperature range
o
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
T
230
C
S
Sperrspannung
Reverse voltage
o
V
P
32
V
R
Verlustleistung, T = 25 C
150
mW
A
tot
Total power dissipation
o
Kennwerte (T = 25 C, λ = 950 nm)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
S
25 (≥ 15)
µA
Spectral sensitivity
2
V = 5 V, E = 0.5 mW/cm
R
e
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
λ
950
nm
nm
S max
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
800 ... 1100
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
7.00
mm
SFH 205
SFH 206
o
Kennwerte (T = 25 C, λ = 950 nm)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L x B
2.65 x 2.65
mm
Dimensions of radiant sensitive area
L x W
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
SFH 205
H
H
2.3 ... 2.5
1.2 ... 1.4
mm
mm
SFH 206
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, V = 10 V
Dark current
I
2 (≤ 30)
0.59
nA
R
R
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
A/W
λ
Quantenausbeute
Quantum yield
η
0.77
Electrons
Photon
2
Leerlaufspannung, E = 0.5 mW/cm
Open-circuit voltage
V
330 (≥ 250)
25
mV
µA
ns
e
L
2
Kurzschluβstrom, E = 0.5 mW/cm
I
K
e
Short-circuit current
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 Ω; V = 5 V; λ = 850 nm; I = 800 µA
t , t
20
r
f
R
p
Durchlaβspannung, I = 100 mA, E = 0
V
1.3
V
F
F
Forward voltage
Kapazität, V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
C
72
pF
R
0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
TC
TC
–2.6
0.18
mV/K
%/K
L
V
L
Temperaturkoeffizient von I
K,
I
Temperature coefficient of I
K
–14
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
NEP
4.3 x 10
W
√Hz
V = 10 V
R
12
Nachweisgrenze, V = 10 V
D*
6.2 x 10
cm · √Hz
R
Detection limit
W
SFH 205
SFH 206
Relative spectral sensitivity
= f (λ)
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
Open-circuit-voltage V = f (E )
L e
Total power dissipation P = f (T )
tot A
P
e
R
S
rel
Dark current
= f (V ), E = 0
Capacitance
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
Dark current
I = f (T ), V = 10 V, E = 0
R
I
R
R
R
A
R
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
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