Q62702-P15-S5 [INFINEON]
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor; NPN - Silizium - Fototransistor NPN硅光电晶体管
| 型号： | Q62702-P15-S5 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| 文件： | 总6页 (文件大小：319K) |
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BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1120 nm
● Hohe Linearität
● Especially suitable for applications from
450 nm to 1120 nm
● High linearity
● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C
● Gruppiert lieferbar
● Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125 °C
● Available in groups
1)
1)
Anwendungen
Applications
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 38
Q62702-P15
BPX 38-2
BPX 38-3
BPX 38-4
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
Q 62702-P15-S5
1)
BPX 38-5
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
10.95
Semiconductor Group
217
BPX 38
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 125
260
°C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS
°C
°C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
TS
300
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
IC
50
V
Kollektorstrom
Collector current
50
mA
mA
V
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
200
7
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
VEB
Ptot
RthJA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
220
450
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Semiconductor Group
218
BPX 38
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
λ
450 ... 1120
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.675
mm
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
1 × 1
mm × mm
mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
2.05 ... 2.35
H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 40
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
2
Ee = 0.5 mW/cm , VCB = 5 V
IPCB
IPCB
1.8
5.5
µA
µA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CCE
CCB
CEB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
ICEO
20 (≤ 300)
nA
Dark current
VCE = 25 V, E = 0
Semiconductor Group
219
BPX 38
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einh.
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V
2
IPCE
0.2 ... 0.4 0.32 ... 0.63 0.5 ... 1.0 ≥ 0.8 mA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE
VCE = 5 V
0.95
1.5
2.3
3.6 mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
tr, tf
9
12
15
18 µs
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
200
170
200
280
200
420
200 mV
Collector-emitter saturation voltage
1)
IC = IPCEmin × 0.3
2
Ee = 0.5 mW/cm
Stromverstärkung
Current gain
Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V
IPCE
IPCB
650
2
1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
1)
Semiconductor Group
220
BPX 38
Relative spectral sensitivity
= f (λ)
Photocurrent
= f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
P = f (T )
tot
S
I
rel
PCE
e
CE
A
Output characteristics
= f (V ), I = Parameter
Output characteristics
= f (V ), I = Parameter
Dark current
I = f (V ), E = 0
CEO
I
I
C
CE
B
C
CE
B
CE
Photocurrent
/I
o = f (T ), V = 5 V
Dark current
/I
Collector-emitter capacitance
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
CE
I
I
o = f (T ), V = 25 V, E = 0
PCE PCE25
A
CE
CEO CEO25
A
CE
CE
Semiconductor Group
221
BPX 38
Collector-base capacitance
= f (V ), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-base capacitance
C
C
= f (V ), f = 1 MHz, E = 0
CB
CB
EB
EB
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
222
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