Q62702-P85-S2 [INFINEON]

NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter; NPN - Silizium - Fototransistor NEU ： NPN - Silizium - Fototransistor MIT Tageslichtsperrfilter


型号：	Q62702-P85-S2
厂家：	Infineon
描述：	NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter NPN - Silizium - Fototransistor NEU ： NPN - Silizium - Fototransistor MIT Tageslichtsperrfilter
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BP 103 B

BP 103 BF

NPN-Silizium-Fototransistor

BP 103 B

NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter

BP 103 BF

Silicon NPN Phototransistor

NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B)

und bei 880 nm (BP 103 BF)

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of

880 nm (BP 103 BF)

● Hohe Linearität

● High linearity

● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Gruppiert lieferbar

● 5 mm LED plastic package

● Available in groups

Anwendungen

Applications

● Computer-Blitzlichtgeräte

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Computer-controlled flashes

● Light-reflecting switches for steady and

varying intensity

● Industrieelektronik

● Industrial electronics

● “Messen/Steuern/Regeln”

● For control and drive circuits

Semiconductor Group

204

BP 103 B

BP 103 BF

Typ (*ab 4/95)

Type (*as of 4/95) Ordering Code

Bestellnummer

Gehäuse

Package

BP 103 B-2

(*SFH 300-2)

Q62702-P85-S2

Q62702-P85-S3

Q62702-P85-S4

Q62702-P1192

Q62702-P1057

Q62702-P1058

T1 /4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-

spieβe im 2.54-mm-Raster ( /10”), Kollektorkennzei-

chung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäuseboden

BP 103 B-3

(*SFH 300-3)

T1 /4, transparent and black epoxy resin lens, sol-

der tabs 2.54 mm ( /10”) lead spacing, collector

marking: short solder lead, flat at package bottom

BP 103 B-4

(*SFH 300-4)

BP 103 BF-2

(*SFH 300 FA-2)

BP 103 BF-3

(*SFH 300 FA-3)

BP 103 BF-4

(*SFH 300 FA-4)

Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.

Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.

In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

T ; T

–55 ... +100

op stg

Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung

Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit t ≤ 5s

260

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance

from case bottom, soldering time t ≤ 5s

Löttemperatur bei Kolbenlötung

Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit t ≤ 3s

300

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance

from case bottom t ≤ 3s

Kollektor-Emitterspannung

Collector-emitter voltage

Kollektorstrom

Collector current

Semiconductor Group

205

BP 103 B

BP 103 BF

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs

Collector surge current

100

Emitter-Kollektorspannung

Emitter-collector voltage

Verlustleistung, T = 25 C

200

375

K/W

tot

Total power dissipation

Wärmewiderstand

Thermal resistance

thJA

Kennwerte (T = 25 C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

BP 103 B

BP 103 BF

900

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

850

S max

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

420 ... 1130 730 ... 1120 nm

S = 10% von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10% of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

0.12

0.045

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

L x B

L x W

0.5 x 0.5

4.1 ... 4.7

0.45 x 0.45 mm x mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

2.4 ... 2.8

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

± 25

± 12

Grad

deg.

Kapazität, V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

6.5

5.0

Capacitance

Dunkelstrom

Dark current

5 (≤100)

1 (≤200)

CEO

= 35 V, E = 0

CEO

Semiconductor Group

206

BP 103 B

BP 103 BF

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished

by arabian figures.

Bezeichnung

Description

Symbol Wert

Symbol Value

Einheit

Unit

-2

-3

-4

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

E = 0.5 mW/cm , V = 5 V

0.63 ... 1.25 1 ... 2 ≥1.6 mA

PCE

E = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

3.4

5.4

8.6

= 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

t , t

7.5

µs

I = 1 mA, V = 5 V, R = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

130

140

150

CEsat

Collector-emitter saturation voltage

I = I

x 0.3,

PCEmin

E = 0.5 mW/cm

I_PCEminist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

I_PCEminis the min. photocurrent of the specified group

Semiconductor Group

207

BP 103 B

BP 103 BF

Relative spectral sensitivity , BP 103 B

= f (λ)

Relative spectral sensitivity , BP 103 BF

= f (λ)

Dark curent

^o= f (T ), V = 25 V, E = 0

rel

CEO CEO25

Photocurrent I

^o= f (T ),

Photocurrent I

= f (E ), V = 5 V

Dark curent

I = f (V ), E = 0

CEO

PCE PCE25

PCE

= 5 V

Collector-emitter capacitance

= f (V ), f = 1 MHz, E = 0

Directional characteristics S = f (ϕ)

rel

Semiconductor Group

208

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