Q62702-P922 [INFINEON]
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time; NEU ： Silizium - PIN- Fotodiode MIT雅适kurzer Schaltzeit新：硅PIN光电二极管在非常短的开关时间
| 型号： | Q62702-P922 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time |
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Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
New: Silicon PIN Photodiode with Very Short
Switching Time
SFH 214
SFH 214 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 214) und bei 880 nm (SFH 214 FA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 214) and of
880 nm (SFH 214 FA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Anwendungen
Applications
● Industrieelektronik
● Industrial electronics
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
● Fiber optic transmission systems
● LWL
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 214
Q62702-P922
Q62702-P1672
SFH 214 FA
03.96
Semiconductor Group
1
SFH 214
SFH 214 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
300
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
50
V
Verlustleistung
Ptot
100
mW
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 214
SFH 214 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm
S
45 (≥ 30)
–
nA/Ix
2
S
–
25 (≥ 20)
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
λ
400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
1
1
mm
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L × B
1 × 1
1 × 1
mm × mm
Dimensions of radiant sensitive area
L × W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
3.4 ... 4.0
3.4 ... 4.0
mm
H
Distance chip front to case surface
Semiconductor Group
2
SFH 214
SFH 214 FA
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 214
SFH 214 FA
± 40
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 40
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current
IR
Sλ
η
1 (≤ 5)
0.62
1 (≤ 5)
0.59
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
0.89
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm , λ = 870 nm
VO
VO
380 (≥ 300) –
mV
2
–
340 (≥ 290) mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm , λ = 870 nm
ISC
42
–
µA
2
ISC
–
5
12
5
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
tr, tf
ns
RL = 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0
VF
1.3
1.3
V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
C0
11
11
pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
TCI
– 2.6
– 2.6
mV/K
%/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 870 nm
0.18
–
–
0.2
– 14
12
– 14
12
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V, λ = 850 nm
2.9 × 10
2.9 × 10
W
√Hz
NEP
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm
D*
3.5 × 10
3.5 × 10
cm · √Hz
Detection limit
W
Semiconductor Group
3
SFH 214
SFH 214 FA
Relative spectral sensitivity SFH 214
= f (λ)
Relativespectralsensitivity SFH214FA
= f (λ)
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
P v R
Open-circuit voltage V = f (E )
O v
S
S
rel
rel
SFH 214
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
P = f (T )
tot
Dark current
P
e
R
Open-circuit voltage V = f (E )
I
= f (V ), E = 0
R
O
e
A
R
SFH 214 FA
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
4
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