Q62703-Q2384 [INFINEON]
LC TOPLED Low Current LED; LC TOPLED低电流LED
| 型号： | Q62703-Q2384 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | LC TOPLED Low Current LED |
| 文件： | 总7页 (文件大小：435K) |
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LC TOPLED®
LS T679, LY T679, LG T679
Low Current LED
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-2
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
● P-LCC-2 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
IF = 2 mA
IV(mcd)
IF = 2 mA
ΦV (mlm)
LS T679-CO
LY T679-CO
LG T679-CO
super-red
yellow
colorless clear ≥ 0.25
(1.0 typ.)
3.0 (typ.)
3.0 (typ.)
3.0 (typ.)
Q62703-Q2383
Q62703-Q2384
Q62703-Q2385
colorless clear ≥ 0.25
(1.0 typ.)
green
colorless clear ≥ 0.25
(1.0 typ.)
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LS T679, LY T679, LG T679
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol Werte
Symbol Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
7.5
Stoßstrom
IFM
0.15
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
20
500
mW
K/W
Wärmewiderstand
Rth JA
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board (pad size ≥ 16 mm2)
Semiconductor Group
2
LS T679, LY T679, LG T679
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
635
586
565
nm
nm
nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 7.5 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628
45
590
45
570
25
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 7.5 mA
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
(typ.) VF
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
1.8
2.6
2.0
2.7
1.9
2.6
V
V
Forward voltage
(max.) VF
IF = 2 mA
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.) C0
3
3
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LS T679, LY T679, LG T679
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LS T679, LY T679, LG T679
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(2 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA)
Max. permissible forward current
Semiconductor Group
5
LS T679, LY T679, LG T679
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 7.5 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 2 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 2 mA
Semiconductor Group
6
LS T679, LY T679, LG T679
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
7
相关型号：
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