Q62703-Q2656 [INFINEON]
Multi TOPLED; 多TOPLED
| 型号： | Q62703-Q2656 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Multi TOPLED |
| 文件： | 总8页 (文件大小：495K) |
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Multi TOPLED®
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-4
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
● hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
● bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grün über
gelb und orange bis super-rot möglich
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● P-LCC-4 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● both chips can be controlled separately
● high signal efficiency possible by color change of the LED
● with appropriate controlling it is possible to change color
from green to yellow and orange to super-red
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
IF = 10 mA
IV(mcd)
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
LSY T670-HK super-red /
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q3912
Q62703-Q2984
Q62703-Q2985
Q62703-Q3913
LSY T670-J
LSY T670-K
LSY T670-JL
yellow
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
LSG T670-HK super-red /
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q2531
Q62703-Q2656
Q62703-Q2657
Q62703-Q2658
LSG T670-J
LSG T670-K
LSG T670-JL
green
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
LSP T670-FJ
LSP T670-G
LSP T670-H
LSP T670-J
LSP T670-GK
super-red /
pure green
colorless clear 1.0 ... 8.0
1.6 ... 3.2
-
Q62703-Q2659
Q62703-Q2660
Q62703-Q2661
Q62703-Q2777
Q62703-Q2532
8 (typ.)
12 (typ.)
18 (typ.)
-
2.5 ... 5.0
4.0 ... 8.0
1.6 ... 12.5
LOG T670-HK orange/
colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
-
Q62703-Q2708
Q62703-Q2767
Q62703-Q2768
Q62703-Q2867
LOG T670-J
LOG T670-K
LOG T670-JL
green
18 (typ.)
30 (typ.)
-
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
LOP T670-FJ orange/
colorless clear 1.0 ... 8.0
1.6 ... 3.2
-
Q62703-Q2677
Q62703-Q2678
Q62703-Q2679
Q62703-Q2566
LOP T670-G
LOP T670-H
LOP T670-GK
pure green
8 (typ.)
12 (typ.)
-
2.5 ... 5.0
1.6 ... 12.5
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 3.0 (LSG T670, LOG T670, LSY T670),
≤ 4.0 (LSP T670, LOP T670).
1)
Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 3.0 (LSG T670, LOG T670, LSY T670),
≤ 4.0 (LSP T670, LOP T670).
1)
In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Semiconductor Group
2
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol Wert
Symbol Value
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
+ 100
30
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Ptot
100
mW
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
1)
2)
Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) Rth JA
480
650
K/W
K/W
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA
*) PC-board: FR4
1)
1)
2)
nur ein Chip betrieben
one system only
both systems on simultaneously
2)
beide Chips betrieben
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Ein-
heit
Unit
LS
LO
LG
LP
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
635 610 565 557 586 nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628 605 570 560 590 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ
45
40
25
22
45
nm
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
(typ.) VF
120 120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Forward voltage
(max.) VF
IF = 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
Kapazität
(typ.) C0
12
8
15
15
10
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
300 450 450 450 300 ns
150 200 200 200 150 ns
Semiconductor Group
4
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA)
Max. permissible forward current
Semiconductor Group
6
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
L
S
G
T670
Emission color 1 Emission color 2 Package
cathode: pin 1 cathode: pin 3
LED
Semiconductor Group
8
相关型号：
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