Q62703-Q3276 [INFINEON]
Hyper TOPLED RG Hyper-Bright LED; 超TOPLED RG超高亮LED
| 型号： | Q62703-Q3276 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Hyper TOPLED RG Hyper-Bright LED |
| 文件： | 总7页 (文件大小：350K) |
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Hyper TOPLED® RG
Hyper-Bright LED
LS T776, LA T776, LO T776
LY T776
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Features
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (12 mm tape)
Semiconductor Group
1
11.96
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
I = 20 mA
F
I = 20 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
LS T776-NR
LS T776-P
LS T776-Q
LS T776-R
LS T776-PS
super-red
amber
colorless clear
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
-
Q62703-Q3270
Q62703-Q3271
Q62703-Q3272
Q62703-Q3273
Q62703-Q3274
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
LA T776-PS
LA T776-Q
LA T776-R
LA T776-S
LA T776-QT
colorless clear
colorless clear
colorless clear
40 … 320
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
-
Q62703-Q3914
Q62703-Q3915
Q62703-Q3916
Q62703-Q3917
Q62703-Q3918
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
LO T776-PS
LO T776-Q
LO T776-R
LO T776-S
LO T776-QT
orange
yellow
40 … 320
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
-
Q62703-Q3275
Q62703-Q3276
Q62703-Q3277
Q62703-Q3278
Q62703-Q3279
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
LY T776-PS
LY T776-Q
LY T776-R
LY T776-S
LY T776-QT
40 … 320
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
-
Q62703-Q3280
Q62703-Q3281
Q62703-Q3282
Q62703-Q3283
Q62703-Q3284
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
1
20
Stoßstrom
IFM
0.2
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
80
55
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
Rth JA
500
2
2
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
*
PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
615
16
610
605
16
591
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
16
587
15
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01
10 10 10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak
,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
,
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
Semiconductor Group
4
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, I = 10 mA
rel
F
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Durchlaßstrom I = f (VF)
Forward current
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
F
TA = 25 ˚C
I = f (TA)
F
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
I = 20 mA
F
Semiconductor Group
6
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung:
Cathode mark:
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
Semiconductor Group
7
相关型号：
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