Q62703-Q3287 [INFINEON]

Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED; 超迷你TOPLED超高亮LED


型号：	Q62703-Q3287
厂家：	Infineon
描述：	Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED 超迷你TOPLED超高亮LED
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Hyper Mini TOPLED^®

Hyper-Bright LED

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Besondere Merkmale

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

Features

● color of package: white

● for use as optical indicator

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

Semiconductor Group

1998-11-12

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Typ

Emissions- Farbe der Licht- Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer

farbe

austrittsfläche

Type

Color of

Emission

Color of the Light Luminous

Luminous

Flux

I = 20 mA

Ordering Code

Emitting

Area

Intensity

I = 20 mA

I_V(mcd)

Φ_V(mlm)

LS M676-MQ super-red

LS M676-N

LS M676-P

LS M676-Q

LS M676-NR

colorless clear

16 ... 125 -

Q62703-Q3285

Q62703-Q3288

Q62703-Q3286

Q62703-Q3287

Q62703-Q3289

25 ... 50 100 (typ.)

40 ... 80 180 (typ.)

63 ... 125 300 (typ.)

25 ... 200 -

LA M676-NR amber

LA M676-P

LA M676-Q

LA M676-R

LA M676-PS

25 ... 200 -

Q62703-Q3536

Q62703-Q3537

Q62703-Q3538

Q62703-Q3539

Q62703-Q3540

40 ... 80 180 (typ.)

63 ... 125 300 (typ.)

100 ... 200 450 (typ.)

40 ... 320

LO M676-NR orange

LO M676-P

LO M676-Q

LO M676-R

LO M676-PS

25 ... 200 -

Q62703-Q3290

Q62703-Q3291

Q62703-Q3292

Q62703-Q3293

Q62703-Q3294

40 ... 80 180 (typ.)

63 ... 125 300 (typ.)

100 ... 200 450 (typ.)

40 ... 320 -

LY M676-NR yellow

LY M676-P

LY M676-Q

LY M676-R

LY M676-PS

25 ... 200 -

Q62703-Q3295

Q62703-Q3296

Q62703-Q3297

Q62703-Q3298

Q62703-Q3299

40 ... 80 180 (typ.)

63 ... 125 300 (typ.)

100 ... 200 450 (typ.)

40 ... 320 -

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I_{V max}/ I_{V min}≤ 2.0.

Semiconductor Group

1998-11-12

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LA, LO LY

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 55 ... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

– 55 ... + 100

+ 100

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

I_FM

to be defined

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung¹⁾

Reverse voltage¹⁾

V_R

Verlustleistung

Power dissipation

P_tot

80²⁾

55²⁾

500

K/W

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

Montage auf PC-board*⁾(Padgröße ≥ 16 mm )

mounted on PC board*⁾(pad size ≥ 16 mm )

R_{th JA}

580²⁾

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

Reverse biasing should be avoided.

vorläufig/preliminary

*⁾PC-board: FR4

Semiconductor Group

1998-11-12

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Kennwerte (T_A= 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

(typ.) λ_peak

(typ.)

645

622

615

610

605

591

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

(typ.) λ_dom

(typ.)

632

587

Spektrale Bandbreite bei 50% I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50% I_{rel max}

I_F= 20 mA

(typ.) ∆λ

(typ.)

Abstrahlwinkel bei 50% I_v(Vollwinkel)

Viewing angle at 50% I_v

2ϕ

120

Grad

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 20 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 3 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01 0.01 0.01

10 10 10

0.01

µA

Temperaturkoeffizient von λ_dom(I_F= 20 mA)

Temperature coefficient of λ_dom(I_F= 20 mA)

0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K

0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K

Temperaturkoeffizient von λ_peak

I_F= 20 mA

Temperature coefficient of λ_peak

I_F= 20 mA

(typ.)

Temperaturkoeffizient von V_F, I_F= 20 mA (typ.) TC

Temperature coefficient of V_F, I_F= 20 mA (typ.)

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

Semiconductor Group

1998-11-12

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Relative spektrale Emission I = f (λ), T_A= 25 ˚C, I_F= 10 mA

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

OHL00235

100

Ι_rel

yellow

orange

amber

super-red

400

450

500

550

600

650

700

Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)

rel

Radiation characteristic

OHL01660

40˚

30˚

20˚

10˚

0˚

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

50˚

60˚

70˚

80˚

90˚

100˚

1.0

0.8

0.6

0.4

0˚

20˚

40˚

60˚

80˚

100˚

120˚

Semiconductor Group

1998-11-12

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Durchlaßstrom I_F= f (V_F)

Forward current

T_A= 25 ˚C

Relative Lichtstärke I_V/ I_{V(20 mA)}= f (I_F)

Relative luminous intensity

T_A= 25 ˚C

OHL00232

OHL00233

10 ²

10 ¹

Ι _V

Ι _F

Ι _{V (20 mA)}

10 ⁰

10 ¹

10 ^-1

superred

yellow

10 ⁰

orange/amber

10 ^-2

10 ^-1

10 ^-3

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

mA 10 ²

Ι _F

1.0

1.4

1.8

2.2

2.6

3.0 V 3.4

V_F

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I_F= f (T_A)

Relative Lichtstärke I_V/ I_{V(25 ˚C)}= f (T_A)

Relative luminous intensity

I_F= 20 mA

OHL00238

OHL00248

2.0

Ι_{V (25 C)}

Ι_V

Ι _F

1.6

orange

yellow

amber

super-red

yellow

1.2

0.8

0.4

orange

yellow

amber

super-red

80 C 100

T_A

-20

100

T_A

Semiconductor Group

1998-11-12

LS M676, LA M676, LO M676

LY M676

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_p)

Permissible pulse handling capability

LS, LA, LO

Zulässige Impulsbelastbarkeit I_F= f (t_p)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, T_A= 25 ˚C

Maßzeichnung

Package Outlines

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

1.4

1.2

1.0

0.8

0.15

0.05

1.5

1.3

Cathode

marking

Cathode marking

Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke

Cathode mark:

bevelled edge

Semiconductor Group

1998-11-12

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