Q62703-Q3854 [INFINEON]
Super TOPLED High-Current LED; 超级TOPLED大电流LED
| 型号： | Q62703-Q3854 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Super TOPLED High-Current LED |
| 文件： | 总8页 (文件大小：474K) |
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Super TOPLED®
High-Current LED
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-2
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch
erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC)
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● P-LCC-2 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● appropriate for high ambient light because of the higher
operating current (≤ 50 mA DC)
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Typ
Emissions- Farbe der Licht- Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer
farbe
Color of
Emission
austrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Type
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
■ LS T672-LP
■ LS T672-N
■ LS T672-P
■ LS T672-NR
super-red
colorless clear
colorless clear
colorless clear
colorless clear
10 ... 80
25 ... 50 100 (typ.)
40 ... 80 180 (typ.)
-
Q62703-Q2334
Q62703-Q2513
Q62703-Q2514
Q62703-Q2331
25 ... 200
-
■ LO T672-MQ orange
■ LO T672-N
■ LO T672-P
16 ... 125
25 ... 50 100 (typ.)
4 ... 80 180 (typ.)
-
Q62703-Q2623
Q62703-Q2494
Q62703-Q2493
Q62703-Q2330
■ LO T672-NR
25 ... 200
-
■ LY T672-LP
■ LY T672-N
■ LY T672-P
■ LY T672-NR
yellow
10 ... 80
25 ... 50 100 (typ.)
40 ... 80 180 (typ.)
-
Q62703-Q2624
Q62703-Q2515
Q62703-Q2516
Q62703-Q2332
25 ... 200
-
LG T672-MQ green
LG T672-N
LG T672-P
LG T672-Q
LG T672-NR
16 ... 125
-
Q62703-Q2625
Q62703-Q2517
Q62703-Q2518
Q62703-Q3081
Q62703-Q3854
25 ... 50 100 (typ.)
40 ... 80 180 (typ.)
63 ... 125 300 (typ.)
25 ... 200
-
LP T672-KN
LP T672-L
LP T672-M
LP T672-N
LP T672-LP
pure green colorless clear
6.3 ... 50
-
Q62703-Q2626
Q62703-Q2627
Q62703-Q2289
Q62703-Q2290
Q62703-Q2334
10.0 ... 20 45 (typ.)
16.0 ... 32 75 (typ.)
25.0 ... 50 100 (typ.)
10.0 ... 80
-
■ Nicht für Neuentwicklungen/Not for new design
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
+ 100
50
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
IFM
1
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
VR
5
V
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
190
300
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
mounted on PC board*) (pad size 16 mm )
Rth JA
2
2
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
635 610 586 565 557 nm
628 605 590 570 560 nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.) λdom
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ
120 120 120 120 120 deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 50 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0 2.1 2.2 2.6 2.6
V
3.8 3.8 3.8 3.8 3.8*) V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
Kapazität
(typ.) C0
40
35
35
60
80
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
350 500 350 500 500 ns
200 250 200 250 250 ns
*) VF max = 3.2 V as of Febr. 97
Semiconductor Group
4
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative Spectral Emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige ImpulsbelastbarkeitI = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
F
Semiconductor Group
6
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominat wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 50 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 50 mA
Semiconductor Group
7
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
8
相关型号：
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