SFH4510 [INFINEON]
GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm GaAs Infrared Emitters 950 nm; 砷化镓红外Lumineszenzdioden为950nm的GaAs红外发射950纳米
| 型号： | SFH4510 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm GaAs Infrared Emitters 950 nm |
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GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm)
GaAs Infrared Emitters (950 nm)
SFH 4510
SFH 4515
Chip position
4.5
7.5
5.5
3.9
(3.2)
2.7
2.3
2.05
1.95
R
(R2.8)
(3.2)
3.7
3.3
6.0
5.4
14.7
13.1
GEO06968
SFH 4510
4.5
3.9
7.7
Cathode/
Collector
7.1
Chip position
4.5
3.9
(3.2)
8.0
7.4
2.05
1.95
R
(R2.8)
(3.2)
15.5
14.7
6.0
5.4
GEO06969
SFH 4515
4.5
3.9
7.7
7.1
Cathode/
Collector
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Wesentliche Merkmale
Features
● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
● Für Oberflächenmontage geeignet
● Gegurtet lieferbar
● Fabricated in a liquid phase epitaxy process
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
● Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/
SFH 3505
● Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
● Hohe Zuverlässigkeit
● High reliability
● Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
● Spectral match with silicon photodetectors
Anwendungen
Applications
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control for steady and varying
intensity
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 4510
SFH 4515
Q62702-P1798
Q62702-P1821
5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), schwarzes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515
gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkenn-
zeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 1 3/4), black-colored epoxy res-
in, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see
package outline.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 40 ... + 85
°C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
85
5
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
V
Durchlaßstrom
Forward current
IF (DC)
IFSM
Ptot
100
3
mA
A
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
150
300
mW
K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA
bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je
2
20 mm
Thermal resistance junction - ambient
mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm
2
each
Semiconductor Group
3
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 mA
∆λ
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ
± 14
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
0.09
mm2
mm
µs
A
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L × W
0.3 × 0.3
0.5
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf
Kapazität
Co
25
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
VF
VF
1.30 (≤ 1.5)
2.30 (≤ 2.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR
0.01 (≤ 1)
µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
Φe
22
mW
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Semiconductor Group
4
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
TCI
– 0.5
%/K
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
TCλ
– 2
0.3
mV/K
nm/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Ie typ
Ie min
50
≥ 25
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie typ
450
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Semiconductor Group
5
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Ie
= f (IF)
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
Radiantintensity
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Ie 100 mA
Single pulse, tp = 20 µs
OHF00387
OHRD1938
OHR01551
102
120
100
%
mA
A
Ι F
Ι e
Ι rel
100
80
60
40
20
Ι e 100 mA
80
101
60
40
20
0
100
10-1
10-2
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
10-3
10-2
10-1
100
Ι F
A
101
880
920
960
1000
nm
λ
1060
TA
Forward current
IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
10 4
OHR00860
OHR01554
10 1
A
t p
mA
5
Ι F
Ι F
t p
T
Ι F
D
=
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
D
0.005
0.01
=
T
0.02
0.05
10 3
5
0.1
0.2
0.5
DC
10 2
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
0
1
2
3
4
5
6
V
8
VF
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
OHF00265
1.0
50
0.8
0.6
0.4
60
70
0.2
0
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
6
1998-11-12
相关型号：
SFH4511
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
OSRAM
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