SPD07N60C3BT [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor,;
| 型号： | SPD07N60C3BT |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Power Field-Effect Transistor, |
| 文件： | 总13页 (文件大小：933K) |
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• +LJKꢃSHDNꢃFXUUHQWꢃFDSDELOLW\
• ,PSURYHGꢃWUDQVFRQGXFWDQFH
; available in Halogen free mold compounda)
7\SH
3DFNDJH
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,
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$5
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5HYHUVHꢃGLRGHꢃGYꢌGW
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GS
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7 ꢎꢃ7
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Mꢃ VWJ
a) except PG-TO251, non-Halogen free (OPN: SPD07N60C3BT); Halogen free (OPN: SPD07N60C3AT)
2.7
Rev.
PDJHꢃꢄ
2013-07-31
63'ꢀꢁ1ꢂꢀ&ꢃ
638ꢀꢁ1ꢂꢀ&ꢃ
0D[LPXPꢄ5DWLQJV
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9DOXH
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3DUDPHWHU
6\PERO
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'UDLQꢂ6RXUFHꢃDYDODQFKHꢃ
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(BR)DSS GS
'
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$
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V
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*DWHꢂVRXUFHꢃOHDNDJHꢃFXUUHQW
,
GS
DS
*66
ꢄꢁ9ꢎꢃꢃ, ꢍꢉꢅ$ꢎ
GS
'UDLQꢂVRXUFHꢃRQꢂVWDWHꢃUHVLVWDQFH 5
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'
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T ꢀꢆ&
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j
T ꢄꢆꢁ&
j
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*DWHꢃLQSXWꢃUHVLVWDQFH
G
*)ꢃTO252: reflow soldering, MSL1, TO251: wavesoldering
2.7
Rev.
PDJHꢃꢀ
2013-07-31
63'ꢀꢁ1ꢂꢀ&ꢃ
638ꢀꢁ1ꢂꢀ&ꢃ
(OHFWULFDOꢄ&KDUDFWHULVWLFVꢄꢎꢃDWꢃT ꢃ ꢃꢀꢆꢃ&ꢎꢃXQOHVVꢃRWKHUZLVHꢃVSHFLILHG
j
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Input capacitance
C
C
C
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S)
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Output capacitance
oss
rss
Reverse transfer capacitance
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V
V
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DS
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(IIHFWLYHꢃRXWSXWꢃFDSDFLWDQFHꢎ
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&
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RꢇWUꢈ
Turn-on delay time
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t
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j
d(off)
t
f
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Gate to source charge
Gate to drain charge
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Q
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*DWHꢃSODWHDXꢃYROWDJH
9ꢇSODWHDXꢈ
DD
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ꢀ
'HYLFHꢃRQꢃꢍꢁPPꢓꢍꢁPPꢓꢄꢉꢆPPꢃHSR[\ꢃ3&%ꢃ)5ꢍꢃZLWKꢃꢅFPðꢃꢇRQHꢃOD\HUꢎꢃꢊꢁꢃPꢃWKLFNꢈꢃFRSSHUꢃDUHDꢃIRUꢃGUDLQꢃ
FRQQHFWLRQꢉꢃ3&%ꢃLVꢃYHUWLFDOꢃZLWKRXWꢃEORZQꢃDLUꢉ
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&
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RꢇWUꢈꢃLVꢃDꢃIL[HGꢃFDSDFLWDQFHꢃWKDWꢃJLYHVꢃWKHꢃVDPHꢃFKDUJLQJꢃWLPHꢃDVꢃCossꢃZKLOHꢃVDSꢃLVꢃULVLQJꢃIURPꢃꢁꢃWRꢃꢐꢁꢔꢃ9'66ꢉ
ꢆ
6
ISD<=ID, di/dt<=400A/us, VDClink=400V, Vpeak<VBR, DSS, Tj<Tj,max
.
Identical low-side and high-side switch.
2.7
Rev.
PDJHꢃꢋ
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(OHFWULFDOꢄ&KDUDFWHULVWLFVꢎꢃDWꢃT ꢃ ꢃꢀꢆꢃ&ꢎꢃXQOHVVꢃRWKHUZLVHꢃVSHFLILHG
j
3DUDPHWHU
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IRUZDUGꢃFXUUHQW
,
C
6
Inverse diode direct current,
pulsed
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SM
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ꢍ
9
,QYHUVHꢃGLRGHꢃIRUZDUGꢃYROWDJH
Reverse recovery time
9
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GS
) 6
t
V ꢍꢐꢁ9ꢎꢃ, , ꢃꢎꢃ
ꢅꢁꢁ QV
rr
R
) 6
di /dt ꢄꢁꢁ$ꢌV
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
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UHFRYHU\ꢃFXUUHQW
GL ꢌGW
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6\PERO
9DOXH
W\Sꢅ
8QLW
6\PERO
9DOXH
W\Sꢅ
8QLW
7KHUPDOꢃUHVLVWDQFH
7KHUPDOꢃFDSDFLWDQFHꢃ
ꢁꢉꢁꢀꢍ
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ꢅ9
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'ꢃ ꢃꢁꢉꢀ
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ꢆꢎꢆ9
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ꢆ9
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