T1589N28TOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element;型号: | T1589N28TOF |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 3200A I(T)RMS, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1589N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
2200
2400
2600 V
2800 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2200
2400
2600 V
2800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
2300
2500
2700 V
2900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
3200 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
1589 A
2040 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 67 °C
32000 A
28000 A
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
5120 A²s*10³
3920 A²s*10³
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1,6A,
diG/dt = 1,6A/µs
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
2,45 V
1,38 V
Tvj = Tvj max , iT = 5 kA
Tvj = Tvj max , iT = 1 kA
vT
1,10 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,237 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
400 A ≤ iT ≤ 7900 A
A=
B=
C=
D=
1,819E+00
2,508E-05
-2,208E-01
3,371E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
300 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
3 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
IL
max. 1500 mA
iGM = 1,6A, diG/dt = 1,6A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
250 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1,6A,
diG/dt = 1,6A/µs
prepared by: H.Sandmann
approved by: J.Przybilla
date of publication: 2007-09-06
revision:
1
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1589N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
400 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0125 °C/W
max. 0,0117 °C/W
max. 0,0232 °C/W
max. 0,0225 °C/W
max. 0,0250 °C/W
max. 0,0245 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,003
0,006
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
30...65 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
Kathode / cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
30 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1589N
Phase Control Thyristor
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
4: Gate
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1589N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00003
0,00057
0,00298
0,00060
0,00230
0,00060
0,00300
0,00091
0,01350
0,00105
0,02400
0,00205
0,05700
0,00274
0,13400
0,00760
0,31000
0,00805
0,38000
0,00424
0,44900
0,00850
1,90000
0,00900
2,05000
0,00320
2,05000
0,00472
6,10000
0,00477
6,10000
beidseitig
two-sided
0,00029
Rthn [°C/W] 0,00004
0,00029
Rthn [°C/W] 0,00004
0,00029
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,03
0,03
0,02
0,02
0,01
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1589N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00105
0,00170
0,00218
0,00281
0,00376
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00080
0,00098
0,00064
0,00090
0,00066
0,00112
0,00166
0,00096
0,00149
0,00094
0,00154
0,00220
0,00140
0,00193
0,00132
0,00214
0,00298
0,00212
0,00253
0,00188
0,00315
0,00422
0,00345
0,00345
0,00285
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
9.000
8.000
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
Tvj = Tvj max
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,2
3,4
VT [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1589N
Phase Control Thyristor
5000
4500
4000
180°
120°
90°
60°
0°
180°
0
θ = 30°
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
500
1000
1500
2000
2500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
1500
120°
180°
2000
20
0
500
1000
2500
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1589N
Phase Control Thyristor
7000
6000
DC
180°
180°
120°
90°
0°
0
5000
60°
4000
3000
2000
1000
0
θ = 30°
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
1500
120°
2000
180°
DC
20
0
500
1000
2500
3000
3500
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1589N
Phase Control Thyristor
100
c
10
1
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
100000
10000
1000
iTM
=
4000A
2000A
1000A
500A
200A
100A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1589N
Phase Control Thyristor
30
25
20
15
10
5
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T1589N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
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SZ-M / 2112.98, K.-A. Rüther
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相关型号:
T1590N22TOF
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N22TOFVTXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N24TOF
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N24TOFVTXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N26TOF
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N26TOFVTXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N28TOF
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 1590000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T1590N28TOFVTXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 3600A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
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