T2563N80TOHHOSA1 [INFINEON]
Photo SCR;
| 型号： | T2563N80TOHHOSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Photo SCR 光电 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：357K) |
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
Key Parameters
VBO / VRRM
7500V / 8000V
ITAVM
2300A (TC=85°C)
93000A
ITSM
vT0
1,2V
rT
0,35mΩ
RthJC
4,5K/kW
90 … 130kN
172,5mm
115mm
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
40mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Direkt lichtgezündeter Thyristor mit integrierter
Schutzfunktion
Light triggered thyristor with internal Break over Diode
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
High surge current capability
High di/dt capability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hochspannungs-Gleichstrom- Übertragung HGÜ
Statische Kompensation SVC
Mittelspannungsumrichter
High Voltage Direct Current Transmission HVDC
Static Var Compensation SVC
Medium Voltage Drives
Kurzschließer-Applikationen
Crowbar Applications
Pulsed Power Applikationen
Pulsed Power Applications
4.1
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
QR class
Revision: 11.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
VRRM
7500 V
8000 V
Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak and reverse voltage
Durchlaßstrom-Effektivwert
TC = 85 °C
ITRMSM
ITAVM
3600 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
2300 A
2850 A
3330 A
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
ITSM
93000 A
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
90000 A
Grenzlastintegral
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
I²t
43250 10³ A²s
40500 10³ A²s
300 A/µs
I²t-value
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, PLM = 40mW, trise = 0,5µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
2000 V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Schutzzündspannung (statisch)
Tvj = 25°C … Tvj max
Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K
VBO
min. 7500 V
protective break over voltage
für Tvj = 0°C..25°C
Typical de-rating factor of 0,16%/K is
applicable for Tvj = 0°C..25°C
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 5000A, vD = 150V
vT
typ.
max.
typ.
2,75 V
2,95 V
1,12 V
1,20 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
max.
Tvj = Tvj max
typ. 0,326 mΩ
max. 0,350 mΩ
1,2357
A
B
C
D
A
B
C
D
Tvj = Tvj max
typ.
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
500A iF 6000A
-2,89E-05
-0,1322
0,03946
1,2406
max.
vT A B iT C Ln(iT 1) D iT
-2,253E-05
-0,1232
0,04056
Tvj = 25°C, vD = 150V
Tvj = 25°C
minimale Zündlichtleistung
minimum gate trigger light power
Haltestrom
PLM
IH
max.
max.
max.
max.
max.
40 mW
100 mA
1 A
holding current
Tvj = 25°C, vD = 150V,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
Einraststrom
IL
latching current
Tvj = Tvj max
vR = VRRM
Rückwärts-Sperrstrom
reverse blocking current
Zündverzug
iR
900 mA
5 µs
DIN IEC 60747-6
tgd
Tvj = 25 °C, vD = 1000V ,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
gate controlled delay time
date of publication: 2011-05-02
prepared by: TM
approved by: JP
revision:
11.0
Revision: 11.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
Freiwerdezeit
tq
typ.
550 µs
22 mAs
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
circuit commutated turn-off time
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Tvj = Tvj max
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
max.
max.
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
Rückstromspitze
IRM
400
A
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
4,8 K/kW
4,5 K/kW
8,2 K/kW
10,0 K/kW
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
max.
max.
1,0 K/kW
2,0 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
Tvj max
Tc op
Tstg
120 °C
-40...+120 °C
-40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
F
90...130 kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
4000 g
weight
Kriechstrecke
49 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50 Hz
vibration resistance
Revision: 11.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
4.1
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4.1: Gate
1
2
Revision: 11.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
/
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn
[K/kW]
2,06
1,6
0,76
0,080
0,0054
0,38
beidseitig
two-sided
1,6
0,27
0,026
1,31
τn [s]
Rthn
[K/kW]
4,67
1,84
anodenseitig
anode-sided
11,128
6,66
1,0396
1,64
0,09265
1,24
0,01079
0,46
τn [s]
Rthn
[K/kW]
kathodenseiti
g
cathode-
sided
8,2498
1,2122
0,1124
0,0119
τn [s]
nmax
-t
n
Analytische Funktion / analytical function:
ZthJC
Rthn 1 e
n=1
12
10
8
ci
ai
6
bi
4
2
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t[s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Revision: 11.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
typ.
max.
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
Revision: 11.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 11.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 11.0
Seite/page: 8/10
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Revision: 11.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2563N
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