T4001N48TOH [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 8200A I(T)RMS, 4800V V(DRM), 4800V V(RRM), 1 Element;


型号：	T4001N48TOH
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier, 8200A I(T)RMS, 4800V V(DRM), 4800V V(RRM), 1 Element 栅栅极
文件：	总9页 (文件大小：193K)
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 4001N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / M aximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM4800

5200

5000 V

5350 V

Kenndaten

^{repetiti ve peak forward off-state and re}E^versle^{e v}k^oltat^gr^ei^ssche Eigenschaften

Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM4950

5350

5150 V

5500 V

repetiti ve peak forward off-state and revers e voltages

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maxi mum RMS on-stat e current

I_TRMSM

I_TAVM

8200 A

Dauergrenzstrom

average on-state c urrent

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

3880 A

5220 A

Stoßstrom-Grenz wert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

105000 A

100000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

55000 10³ A²s

50000 10³ A²s

Kritische Str omsteilheit

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

300 A/µs

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuc hstabe / 5^thletter H

2000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

T_vj= T_{vj max}, i_T= 6000A

T_vj= T_{vj max}

typ.

1,67 V

1,8 V

max.

on-state voltage

Schleus ens pannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

typ.

0,83 V

0,93 V

max.

Ersatzwi derstand

slope resistanc e

T_vj= T_{vj max}

typ. 0,140 mΩ

max. 0,145 mΩ

Durchlaßkennlinie

T_vj= T_{vj max}

typ.

0,25

0,0000921

0,0499

0,00565

1,192

on-state c haracteristic

v_T= A + B i_T+ C Ln (i_T+ 1) + D

i_T

max.

0,0000226

-0,1375

0,02157

Zündstr om

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

350 mA

Zünds pannung

gate trigger voltage

max.

3,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse c urrent

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

900 mA

2 µs

Zündverzug

gate controlled delaytime

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2005-04-15

prepar ed by:

revision:

approved by: J. Przybilla

BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 4001N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuc hstabe / 4^thletter O

typ.

550 µs

28 mAs

Mechanische Eigenschaften

Sperr verzögerungsladung

recovered charge

T_vj= T_{vj max}

Q_r

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0, 8V_RRM

max.

Rückstr omspitze

peak reverse r ecover y c urrent

T_vj= T_{vj max}

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0, 8V_RRM

I_RM

max.

600

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläc he / cooling surfac e

beids eitig / two-sided, θ = 180°sin

beids eitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

R_{thJ C}

max. 0,0048

max. 0,0045

max. 0,0082

max. 0,0100

°C/W

Kathode / c athode, DC

Kühlfläc he / cooling surfac e

beids eitig / two-sided

Übergangs-Wärmewi derstand

R_thCH

max.

°C/W

125 °C

thermal resistance, case to heatsink

0,001

einseitig / single-sided

max. 0,002

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maxi mum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebs temperatur

operating temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, s ee annex

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Si-Element mit Druc kkontakt

Si-pellet with press ure contac t

Anpress kraft

clampi ng force

90...130 kN

Steueransc hlüss e

control terminals

DIN 46244

f = 50 Hz

Gate

Kathode /Cathode

A 4, 8x0, 8

A 6, 3x0, 8

Gewicht

weight

typ.

4300 g

Kriechstrecke

creepage distance

49 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration r esistanc e

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 4001N

Phase Control Thyristor

Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

Cathode ^{(control terminal)}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 4001N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

R,t – Werte

Pos. n

R,T-Werte

R_thn[°C/W] 0,00206

0,0016

0,27

0,00076

0,026

0,00007

0,0047

0,00038

0,01079

0,00046

0,0119

beidseitig

two-sided

1,6

τ_n[s]

R_thn[°C/W]

0,0047

11, 2

0,00188

1,0565

0,00131

0,09265

0,00124

0,1124

anodenseitg

anode-sided

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,00674 0,00168

8,35 1,242

kathodenseitig

cathode-sided

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

Analytische Funktion / Analytical function:

−

1 e

Z_thJC

thn

n=1

0,012

0,01

0,008

0,006

0,004

0,002

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z _{th JC}= f(t) for DC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 4001N

Phase Control Thyristor

90 0 0

Diagramme

Durchlasskennlinie

80 0 0

70 0 0

60 0 0

50 0 0

40 0 0

30 0 0

20 0 0

10 0 0

typ .

m a x.

0, 5

1 ,5

2, 5

v _T[V ]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 4001N

Phase Control Thyristor

Durchlassverluste

-40°C

+25°C

v_G[V]

+125°C

0,5

0,2

100

200

500

1000

2000

5000 10000

i_G[mA]

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 6 V

Gate characteristic v_G= f (i _G) with triggering area for V_D= 6 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM=f (t_g) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 4001N

Phase Control Thyristor

Tc beidseitig

1 0

1 5

2 0

3 5

-d i/d t [A /µ s ]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 4001N

Phase Control Thyristor

16 0 0

Ta bei Sinus

14 0 0

12 0 0

10 0 0

8 0 0

6 0 0

4 0 0

2 0 0

1 5

2 0

3 0

3 5

-d i/ dt [A /µ s ]

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 4001N

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setzen Sie sich bitte mit dem f ür Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir

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enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte

ebenfallsmit demfür Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

die gemeinsame Durchführung einesRisiko- und Qualitätsassessments;

den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

die gemeinsame Einführungvon Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empf ehlen und gegebenenfalls die Belieferung von derUmsetzung solcher Maßnahmen

abhängigmachen.

Soweit erf orderlich, bitten wir Sie, entsprechendeHinweise an Ihre Kunden zu geben.

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any

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and that wemay make delivery depended on the realization of any such

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