T459N24TOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element;
| 型号： | T459N24TOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T459N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
2000
2200
2000
2200
2100
2300
2400 V
2600 V
2400 V
2600 V
2500 V
2700 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
1000 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
459 A
640 A
TC = 85 °C
TC = 58 °C
10000 A
9000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
500 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
I²t
405 10³ A²s
120 A/µs
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1,25 A,
diG/dt = 1,25 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
max.
max.
2,75 V
1,21 V
Tvj = Tvj max , iT = 2 kA
Tvj = Tvj max , iT = 0,4 kA
vT
1,00 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,84 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200 A ≤ iT ≤ 2000 A
A=
B=
C=
D=
7,500E-01
7,877E-04
-5,399E-03
1,153E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
1,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
5 mA
2,5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
max.
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
200 mA
620 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 1,25 A, diG/dt = 1,25 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
80 mA
3,3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1,25 A,
diG/dt = 1,25 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2007-09-06
prepared by:
revision:
1
approved by: J.Przybilla
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T459N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
300
µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0455 °C/W
max. 0,0440 °C/W
max. 0,0665 °C/W
max. 0,0650 °C/W
max. 0,1375 °C/W
max. 0,1360 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,005
0,010
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
7,5..17,5 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
Kathode / cathode
A 2,8 x 0,8
A 4,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
270 g
Kriechstrecke
25 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T459N
Phase Control Thyristor
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
4: Gate
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T459N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
-
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00200
0,00780
0,02030
0,00732
0,02160
0,00930
0,03000
0,0154
0,2730
0,0195
0,3650
0,0234
0,7270
0,0188
1,5700
0,0199
2,7300
0,0318
4,5800
-
beidseitig
two-sided
0,00093
Rthn [°C/W] 0,00228
0,00110
Rthn [°C/W] 0,00260
0,00125
-
-
τn [s]
0,0160
14,400
0,0487
21,000
-
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
0,0202
123,00
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T459N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00423
0,00710
0,00955
0,01376
0,02262
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00187
0,00425
0,00187
0,00434
0,00190
0,00292
0,00729
0,00302
0,00753
0,00314
0,00450
0,00991
0,00481
0,01036
0,00515
0,00782
0,01435
0,00852
0,01504
0,00920
0,01673
0,02313
0,01773
0,02388
0,01872
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
2.500
2.000
1.500
1.000
500
Tvj = Tvj max
0
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,2
VT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T459N
Phase Control Thyristor
1600
1400
180°
120°
90°
60°
1200
0°
180°
θ = 30°
0
1000
800
600
400
200
0
0
100
200
300
400
500
600
700
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
20
0
100
200
300
400
500
600
700
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T459N
Phase Control Thyristor
2000
1800
DC
180°
1600
180°
0°
120°
0
90°
60°
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
θ = 30°
0
200
400
600
800
1000
1200
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
DC
20
0
200
400
600
TAV [A]
800
1000
1200
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T459N
Phase Control Thyristor
100
10
1
d
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms d – 150W / 0,1ms
10000
1000
100
iTM
=
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T459N
Phase Control Thyristor
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T459N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
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Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei
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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
MA-BE, / 11.10.93, Rüther
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相关型号：
T459N2600TOF
Silicon Controlled Rectifier, 459000mA I(T), 2600V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T459N26TOF
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T45BIW10
Pan-Way® T-45 Surface Raceway SystemWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANDUIT
T45BIW10-A
Pan-Way® T-45 Surface Raceway SystemWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANDUIT
T45BIW8
Pan-Way® T-45 Surface Raceway SystemWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANDUIT
T45BIW8-A
Pan-Way® T-45 Surface Raceway SystemWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANDUIT
T45N1100BOC
Silicon Controlled Rectifier, 45000mA I(T), 1100V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T45N1100BOF
Silicon Controlled Rectifier, 45000mA I(T), 1100V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T45N1400BOC
Silicon Controlled Rectifier, 45000mA I(T), 1400V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T45N1400BOF
Silicon Controlled Rectifier, 45000mA I(T), 1400V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T45N1800BOC
Silicon Controlled Rectifier, 45000mA I(T), 1800V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T45N1800BOF
Silicon Controlled Rectifier, 45000mA I(T), 1800V V(DRM),Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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