T658N24TOF [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element;
T658N24TOF
型号: T658N24TOF
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
VDRM , VRRM  
2200  
2200  
2300  
2400  
2600  
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
VDSM  
2400  
2600  
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
2500  
2700  
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMSM on-state current  
ITRSMSM  
ITAVM  
ITSM  
1500  
A
Dauergrenzstrom  
TC = 85 °C  
TC = 56 °C  
659  
955  
A
A
average on-state current  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
13000  
11500  
A 1)  
A
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
I²t  
845  
660  
A²s*10³  
A²s*10³  
Kritische Stromsteilheit  
DIN IEC 747-6  
(diT/dt)cr  
150  
A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr  
5.Kennbuchstabe/5th letter F  
1000  
V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
,
,
iT =  
iT =  
2850 A vT  
650 A vT  
max.  
2,53  
1,32  
V
V
max.  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
VT(TO)  
1
V
mΩ  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
rT  
0,50  
Durchlaßkennlinie  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max  
A = 1,2455E+00  
B = 3,7164E-04  
C = -1,0398E-01  
D = 1,9701E-02  
vT = A + B iT + C Ln(iT + 1) + D iT  
Zündstrom  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
Tvj = 25°C, vD = 6V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
max.  
250  
2,2  
mA  
V
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Nicht zündener Steuerstrom  
gate non-trigger current  
Tvj = Tvj max, vD = 6 V  
max.  
max.  
10  
5
mA  
mA  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündene Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
max.  
max.  
max.  
0,25  
V
Haltestrom  
Tvj=25°C, vD = 6V, RA =5Ω  
300  
mA  
mA  
holding current  
Einraststrom  
Tvj=25°C,vD=6V,RGK>=10 IL  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
1500  
latching current  
tg = 20 µs  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
max.  
max.  
100  
4
mA  
µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
Tvj = 25°C  
tgd  
gate controlled delay time  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
1) Gehäusegrenzstrom 12kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 12kA (50Hz sinusoidal half-wave).  
prepared by: K.-A.Rüther  
approved by: J. Novotny  
data of publication: 2001-03-19  
revision: 1  
BIP AM  
A 04/01  
Seite / page:  
1
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM  
Freiwerdezeit  
tq  
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
4. Kennbuchstabe / 4th letter O  
circuit commutatet turn-off time  
typ.  
300  
µs  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
RthJC  
beidseitig / two-sided, θ=180°sin  
thermal resitance, junction to case  
max. 0,0330  
max. 0,0300  
max. 0,0537  
max. 0,0511  
max. 0,0816  
max. 0,0732  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, θ=180°sin  
Anode / anode, DC  
Kathode / cathode, θ=180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Übergangs- Wärmewiderstand  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
RthJK  
thermal resitance, case to heatsink  
max. 0,0050  
max. 0,0100  
°C/W  
°C/W  
einseitig / single-sided  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
max. junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
125  
°C  
°C  
°C  
Betriebstemperatur  
-40,,,+125  
operating temperature  
Lagertemperatur  
-40,,,+140  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Anpreßkraft  
F
10,5...21 kN  
clamping force  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
100  
25  
C
g
Kriechstrecke  
mm  
creepage distance  
Feuchteklasse  
DIN 40040  
f = 50Hz  
humidity classification  
Schwingfestigkeit  
50  
m/s²  
vibration resistance  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt  
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but  
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
A 04/01  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Zn. Nr.: 1  
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A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC  
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC  
Kühlung  
cooling  
Pos.n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
0,000134  
0,000183  
0,001636 0,001950 0,009680 0,016800  
0,001660 0,009370 0,119000 0,939000  
τ n [s]  
Rthn [°C/W]  
anodenseitig  
anode-sided  
0,000455  
0,000251  
0,003885 0,003310 0,013800 0,029650  
0,002430 0,054400 0,183000 1,140000  
τ n [s]  
Rthn [°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
0,000708  
0,000320  
0,007242 0,013700 0,026650 0,024900  
τ n [s]  
0,003870 0,023200 0,138000  
0,9000  
n max  
Analytische Funktion / analytical function : Z thJC = Σ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))  
n=1  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
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A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
4.000  
3.500  
3.000  
2.500  
2.000  
1.500  
1.000  
500  
0
0,5  
1
1,5  
2
2,5  
3
3,5  
vT[V]  
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)  
Tvj = Tvj max  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z. Nr.: 2  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
2.000  
180°  
120°  
90°  
60°  
0
Θ
Θ = 30°  
1.500  
1.000  
500  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
ITAV [A]  
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 3  
Seite/page  
6
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
0
Θ
120  
100  
80  
60  
40  
90°  
180°  
900  
60°  
120°  
Θ = 30°  
20  
0
100  
200  
300  
400  
500  
ITAVM [A]  
600  
700  
800  
1000  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 4  
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7
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
0
Θ
120  
100  
80  
60  
40  
90°  
180°  
60°  
120°  
Θ = 30°  
20  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
ITAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 5  
Seite / page  
8
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
120  
100  
80  
0
Θ
60  
40  
180°  
60°  
120°  
90°  
Θ = 30°  
20  
0
200  
400  
TAVM [A]  
600  
800  
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 6  
Seite / page  
9
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
120  
100  
80  
0
Θ
60  
60°  
90°  
40  
120°  
180°  
Θ = 30°  
20  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
I
TAVM [A]  
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (ITAVM  
)
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling  
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 7  
Seite / page  
10  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
120  
100  
80  
0
Θ
60  
40  
60°  
Θ = 30°  
120°  
90°  
180°  
20  
0
100  
200  
300  
TAVM [A]  
400  
500  
600  
I
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (ITAVM  
)
Verstärkte Luftkühlung / Forced air-cooling  
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F, TA = 35 °C, VL = 120 l/s  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 8  
Seite / page  
11  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
2.500  
DC  
180°  
0
Θ
120°  
2.000  
1.500  
1.000  
500  
90°  
60°  
Θ = 30°  
0
0
200  
400  
600  
800  
ITAVM [A]  
1000  
1200  
1400  
1600  
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.:  
9
Seite / page  
12  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
0
Θ
120  
100  
80  
60  
40  
180°  
1000  
DC  
60°  
90°  
Θ = 30°  
120°  
800  
20  
0
200  
400  
600  
1200  
1400  
1600  
ITAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 10  
Seite / page  
13  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
0
Θ
120  
100  
80  
60  
40  
120°  
180  
DC  
90°  
60°  
Θ = 30°  
20  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
ITAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 11  
Seite / page  
14  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
0
Θ
120  
100  
80  
60  
40  
Θ = 30°  
DC  
60°  
90°  
180°  
120°  
20  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
I
TAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 12  
Seite / page  
15  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
120  
100  
80  
0
Θ
60  
60°  
90°  
120°  
180°  
40  
20  
DC  
Θ = 30°  
0
50  
100  
150  
ITAVM [A]  
200  
250  
300  
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (ITAVM  
)
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling  
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 13  
Seite / page  
16  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
140  
0
Θ
120  
100  
80  
60  
40  
120° 180°  
90°  
60°  
Θ = 30°  
DC  
20  
0
200  
400  
TAVM [A]  
600  
800  
I
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T A = f (ITAVM  
)
Verstärkte Luftkühlung / Forced air-cooling  
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F, TA = 35 °C, VL = 120 l/s  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 14  
Seite / page  
17  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
10.000  
8.000  
6.000  
I TAV (vor)  
0 A  
=
100 A  
150 A  
175 A  
190 A  
200 A  
4.000  
3.000  
2.000  
1.000  
800  
600  
100  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
1000  
10000  
t [s]  
Überstrom / Overload on-state current IT(OV) = f(t)  
Beidseitige Luftselbstkühlung / Two-sided natural cooling K0.05F  
TA = 45°C  
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV(vor)  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z. Nr.: 15  
Seite / page 18  
A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
10.000  
8.000  
6.000  
I TAV (vor)]  
0 A  
=
250 A  
350 A  
400 A  
450 A  
480 A  
4.000  
3.000  
2.000  
1.000  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
1000  
10000  
t [s]  
Überstrom / Overload on-state current IT(OV) = f(t)  
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K 0.05F  
TA = 35°C, VL = 120 l/s  
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV(vor)  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z. Nr.: 16  
Seite / page 19  
A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
3000  
3000  
150  
100  
0
20 s  
175  
ITAV(vor) [A]  
=200  
4 s  
190  
1 s  
2000  
2000  
1000  
0
1 min  
0,4 s  
4 min  
10 min  
1000  
SD=0,1 s  
SD  
ED  
40 min  
2 h  
I
I
TAV(vo r)  
TINT  
0
0,1  
1
10  
100 0  
1000  
2000  
3000  
ED [%]  
ITINT [A]  
Höchstzul. Durchlaßstrom bei Ausetzbetrieb / Max. allowable on-state current  
during intermittent operation ITINT = f(ED)  
Beidseitig Luftselbstkühlung / two-sided natural cooling K 0.05F  
TA = 45 °C  
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV(vor) , Spieldauer / cycle duration SD  
3000  
3000  
4 s  
400  
ITAV(vor) [A]=  
250  
0
480  
1 s  
20 s  
450  
350  
2000  
1 min  
4 min  
2000  
1000  
0
0,4 s  
10 min  
SD=0,1s  
1000  
40 min  
2 h  
SD  
ED  
I
I
TAV(vo r)  
TINT  
0
0,1  
1
10  
100  
0
1000  
2000  
3000  
ED [%]  
ITINT [A]  
Höchstzul. Durchlaßstrom bei Ausetzbetrieb / Max. allowable on-state current  
during intermittent operation ITINT = f(ED)  
Beidseitig verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K 0.05F  
TA = 35 °C, VL = 120 l/s  
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV(vor) , Spieldauer / cycle duration SD  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z. Nr.: 17  
Seite/page 20  
A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
12.000  
a
10.000  
TA = 35 °C  
vL =120l/s  
8.000  
b
6.000  
4.000  
TA = 45 °C  
2.000  
0
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
Grenzstrom / Max. overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Kühlkörper / Heatsink: K 0.05F  
Belastung aus / Surge current occurs:  
a - Leerlauf / No-load conditions  
b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state  
current ITAVM  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z. Nr.: 18  
Seite / page 21  
A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V  
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated  
peak gate power dissipation PGM = f (tg) :  
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.:19  
Seite/page 22  
A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM  
)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs  
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic  
b - typischer Verlauf / typical characteristic  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
A 04/01  
Z.Nr.: 20  
Seite/page 23  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
iTM [A]  
10000  
8000  
2000  
1000  
6000  
500  
200  
100  
4000  
3000  
50  
2000  
20  
1000  
800  
100  
1
10  
100  
- di/dt [A/µs]  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)  
Tvj = Tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Zn. Nr.: 21  
Seite/page 24  
A 04/01  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
0,050  
Θ =  
0
Θ
30°  
0,040  
0,030  
0,020  
0,010  
0,000  
60°  
90  
120°  
180°  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t)  
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 22  
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25  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
0,080  
Θ =  
30°  
0
Θ
60°  
0,060  
0,040  
0,020  
0,000  
90°  
120°  
180°  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t)  
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 23  
Seite / page  
26  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
0,050  
Θ =  
30°  
0
Θ
60°  
0,040  
0,030  
0,020  
0,010  
0,000  
90°  
120°  
180°  
DC  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t)  
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 24  
Seite / page  
27  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
Θ =  
0,080  
0,070  
30°  
0
Θ
60°  
90°  
0,060  
0,050  
0,040  
0,030  
0,020  
0,010  
0,000  
120°  
180°  
DC  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t)  
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
A 04/01  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
Z.Nr.: 25  
Seite / page  
28  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 658 N 22...26  
0,120  
0,100  
0,080  
0,060  
0,040  
0,020  
0,000  
Θ =  
30°  
60°  
90°  
120°  
180°  
DC  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t)  
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ  
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther  
A 04/01  
Z.Nr.: 26  
Seite/page 29  
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

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-
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T658N26TOF

Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 659000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element

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Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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-
INFINEON