T731N40TOH [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1 Element;


型号：	T731N40TOH
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1 Element 栅栅极
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 731N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / M aximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM3800

4200

4000 V

4400 V

Kenndaten

^{repetiti ve peak forward off-state and re}E^versle^{e v}k^oltat^gr^ei^ssche Eigenschaften

Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM3900

4300

4100 V

4500 V

repetiti ve peak forward off-state and revers e voltages

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maxi mum RMS on-stat e current

I_TRMSM

I_TAVM

2010 A

Dauergrenzstrom

average on-state c urrent

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

930 A

1280 A

Stoßstrom-Grenz wert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

18000 A

16000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

1620 10³ A²s

1280 10³ A²s

Kritische Str omsteilheit

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

300 A/µs

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuc hstabe / 5^thletter H

2000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1200A

T_vj= T_{vj max}

typ.

1,6 V

max.

1,75 V

on-state voltage

Schleus ens pannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

typ.

1 V

max.

1,1 V

Ersatzwi derstand

slope resistanc e

T_vj= T_{vj max}

typ.

0,5 mΩ

max. 0,542 mΩ

Durchlaßkennlinie

T_vj= T_{vj max}

typ.

-0,0955

0,00035

0,1592

0,004219

-0,0926

0,000391

0,1754

on-state c haracteristic

v_T= A + B i_T+ C Ln (i_T+ 1) + D

i_T

max.

0,003759

max.

Zündstr om

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

350 mA

Zünds pannung

gate trigger voltage

max.

2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse c urrent

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

200 mA

2 µs

Zündverzug

gate controlled delaytime

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2005-04-15

prepar ed by:

revision:

approved by: J. Przybilla

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 731N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuc hstabe / 4^thletter O

typ.

500 µs

Mechanische Eigenschaften

Sperr verzögerungsladung

recovered charge

T_vj= T_{vj max}

Q_r

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0, 8V_RRM

max.

5,5 mAs

Rückstr omspitze

peak reverse r ecover y c urrent

T_vj= T_{vj max}

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0, 8V_RRM

I_RM

max.

175

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläc he / cooling surfac e

beids eitig / two-sided, θ = 180°sin

beids eitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

R_{thJ C}

max. 0,0185

max. 0,017

max. 0,0305

max. 0,0385

°C/W

Kathode / c athode, DC

Kühlfläc he / cooling surfac e

beids eitig / two-sided

Übergangs-Wärmewi derstand

R_thCH

max.

°C/W

125 °C

thermal resistance, case to heatsink

0,005

einseitig / single-sided

max. 0,01

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maxi mum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebs temperatur

operating temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, s ee annex

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Si-Element mit Druc kkontakt

Si-pellet with press ure contac t

Anpress kraft

clampi ng force

15...24 kN

Steueransc hlüss e

control terminals

DIN 46244

f = 50 Hz

Gate

Kathode /Cathode

A 2, 8x0, 8

A 4, 8x0, 8

Gewicht

weight

typ.

550 g

Kriechstrecke

creepage distance

25 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration r esistanc e

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 731N

Phase Control Thyristor

Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

Cathode ^{(control terminal)}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 731N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

R,t – Werte

Pos. n

R,T-Werte

R_thn[°C/W] 0,00848 0,00243

0,00304

0,062

0,00272

0,0134

0,00366

0,0607

0,00237

0,0374

0,00033

0,0019

0,00254

0,0101

0,0021

0,0091

beidseitig

two-sided

0,676

0,0192

4,13

0,132

0,0023

0,4

τ_n[s]

R_thn[°C/W]

0,0028

0,154

anodenseitg

anode-sided

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,02810 0,00106

4,13 0,45

0,00487

0,126

kathodenseitig

cathode-sided

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

Analytische Funktion / Analytical function:

−

1 e

Z_thJC

thn

n=1

0,05

0,045

0,04

0,035

0,03

0,025

0,02

0,015

0,01

0,005

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z _{th JC}= f(t) for DC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 731N

Phase Control Thyristor

2500

Diagramme

Durchlasskennlinie

2000

1500

1000

500

typ

max.

0,5

1,5

2,5

v_T[V ]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 731N

Phase Control Thyristor

Durchlassverluste

-40°C

+25°C

v_G[V]

+125°C

0,5

0,2

100

200

500

1000

2000

5000 10000

i_G[mA]

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 6 V

Gate characteristic v_G= f (i _G) with triggering area for V_D= 6 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM=f (t_g) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 731N

Phase Control Thyristor

Tc beidseitig

1 0

2 0

2 5

3 0

-di /dt [A / µs ]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 731N

Phase Control Thyristor

45 0

Ta bei Sinus

40 0

35 0

30 0

25 0

20 0

15 0

10 0

5 0

1 0

1 5

2 0

2 5

3 0

3 5

- di/ dt [A / µs ]

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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T732-052.0M

T7322

T73227

T73227-DIE

T73227-M08

T73227-M08-TNR