T878N [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier;


型号：	T878N
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier
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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 878 N 12 ...18

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM, V_RRM

1200

1600

1400

1800

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

1200

1600

1400

1800

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

1300

1700

1500

1900

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

1750

T_C= 85 °C

T_C= 68 °C

Dauergrenzstrom

I_TAVM

878

average on-state current

1115

T_vj= 25°C, t_p= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

17500

15500

*10³

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

1530

A²s

1200

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

200

A/µs

f=50 Hz, v_L= 10V, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

(dv_D/dt)_cr

1000

V/µs

critical rate of rise of off-state voltage

5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3600 A

Durchlaßspannung

on-state voltage

v_T

max.

1,95

0,85

0,27

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_T(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

T_vj= T_{vj max}

Durchlaßkennlinie

A= 1,04647

on-state voltage

v_T= A + B x i_T+ C x ln (i_T+ 1) + D x Ö i_T

B=2,313E-04

C=-5,398E-02

D= 8,494E-03

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

T_vj= 25°C, v_D= 6V

Zündstrom

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250

2,2

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

0,25

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 W

Haltestrom

300

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK>= 5 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

Einraststrom

I_L

1500

latching current

T_vj= T_{vj max}

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

i_D, i_R

max.

100

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) 1800 V Spannungsklasse auf Anfrage / Voltage class on demand

SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 878 N 12...18

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_TM=I_TAVM

Freiwerdezeit

t_q

v_RM=100V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

circuit commutatet turn-off time

typ.

250

µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, Ž=180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, Ž=180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

thermal resitance, junction to case

max. 0,0320

max. 0,0300

max. 0,0537

max. 0,0511

max. 0,0816

max. 0,0732

°C/W

Kathode / cathode, Ž=180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thCK

thermal resitance, case to heatsink

max. 0,0050

max. 0,0100

°C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

125

-40...125

-40...150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

10,5 ...21 kN

clamping force

Gewicht

weight

typ.

160

Kriechstrecke

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

f = 50Hz

humidity classification

Schwingfestigkeit

m/s²

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 878 N 12...18

SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 878 N 12...18

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical ementes of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Kühlung

cooling

Pos.n

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

0,000134 0,001636

0,000183 0,00166

0,00195

0,00937

0,00968

0,119

0,0168

0,939

t [s]

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

0,000455 0,003885

0,000251 0,00243

0,00331

0,0544

0,0138

0,138

0,02965

1,14

t [s]

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

0,000708 0,007242

0,00032 0,00387

0,0137

0,0232

0,02665

0,138

0,0249

0,9

t [s]

n _max

Analytische Funktion / analytical function : Z_thJC= S R_thn( 1 - EXP ( - t / t_n))

n=1

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 878 N 12...18

5.000

4.000

3.000

2.000

1.000

0,5

1,5

2,5

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_vjmax

SZ-M / 11.05.99 , K.-A.Rüther

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T878N [INFINEON]

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