T880N18TOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 2020A I(T)RMS, 880000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element;
| 型号： | T880N18TOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 2020A I(T)RMS, 880000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T880N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1400
1600 V
1800 V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
PeriodischeVorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1400
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1300
1500
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1750 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
880 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
1280 A
2020 A
Dauergrenzstrom
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMS
17500 A
15500 A
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
1530 10³ A²s
1200 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
200 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
1,95 V
1,17 V
Tvj = Tvj max, iT = 3,6 kA
Tvj = Tvj max, iT = 1 kA
vT
0,85 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,27 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
200 A ≤ iT ≤ 4400 A
A=
1,046E+00
B=
C=
D=
2,313E-04
-5,398E-02
8,494E-03
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
2,2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
100 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2008-09-17
prepared by:
revision:
1.0
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC, 2008-09-17, H.Sandmann
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A 51/08
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T880N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0320 °C/W
max. 0,0300 °C/W
max. 0,0537 °C/W
max. 0,0511 °C/W
max. 0,0816 °C/W
max. 0,0732 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,005
0,010
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
10,5…21 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
300 g
Kriechstrecke
20 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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A 51/08
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T880N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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A 51/08
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T880N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00013
0,00164
0,00166
0,00389
0,00243
0,00724
0,00387
0,00195
0,00937
0,00331
0,05440
0,0137
0,00968
0,11900
0,0138
0,0166
0,9390
0,02965
1,14000
0,0249
0,9000
beidseitig
two-sided
0,00018
Rthn [°C/W] 0,00046
0,00025
Rthn [°C/W] 0,00071
0,00032
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
0,1830
τn [s]
0,02665
0,13800
kathodenseitig
cathode-sided
0,0232
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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A 51/08
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T880N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00321
0,00554
0,00745
0,01040
0,01558
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00175
0,00503
0,00256
0,01094
0,00830
0,00275
0,00902
0,00429
0,01766
0,01155
0,00421
0,01227
0,00680
0,02238
0,01553
0,00682
0,01718
0,01103
0,02875
0,02123
0,01205
0,02580
0,01916
0,03919
0,03117
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
5.000
4.500
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
Tvj = Tvj max
0
0,8
1
1,2
1,4
VT [V]
1,6
1,8
2
2,2
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T880N
Phase Control Thyristor
2000
1800
1600
180°
120°
90°
0°
180°
0
60°
1400
θ = 30°
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
TAV [A]
800
1000
1200
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
400
60°
90°
120°
180°
20
0
200
600
I TAV [A]
800
1000
1200
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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A 51/08
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T880N
Phase Control Thyristor
2500
DC
2000
180°
180°
0°
0
120°
90°
60°
1500
1000
500
0
θ = 30°
0
200
400
600
800
1000
ITAV [A]
1200
1400
1600
1800
2000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
600
60°
90°
120°
180°
1200
DC
20
0
200
400
800
1000
1400
1600
1800
2000
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I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T880N
Phase Control Thyristor
100
10
1
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
10000
1000
100
iTM
=
2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T880N
Phase Control Thyristor
18
16
14
12
10
8
0-50V
0,33 VRRM
6
0,67 VRRM
4
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T880N
Phase Control Thyristor
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
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相关型号：
T88151B
881.5 MHz SAW FilterWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ITF
T88952B
889.05 MHz SAW FilterWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ITF
T8914VA
Specification of GaAlAs IR Emitting Diode ChipWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T8914VA-SF-F
Specification of GaAlAs IR Emitting Diode ChipWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
T897MG-1035
Inverter Transformer, 4.7V In MaxWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOKO
T89C51001UA-RLTIM
Microcontroller, 8-Bit, FLASH, 40MHz, CMOS, PQFP44, VQFP-44Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T89C5115
Low Pin Count 8-bit MCU with A/D Converter and 16-Kbytes of Flash MemoryWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T89C5115-RATIM
Low Pin Count 8-bit MCU with A/D Converter and 16-Kbytes of Flash MemoryWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T89C5115-SISIM
Low Pin Count 8-bit MCU with A/D Converter and 16-Kbytes of Flash MemoryWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T89C5115-TISIM
Low Pin Count 8-bit MCU with A/D Converter and 16-Kbytes of Flash MemoryWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T89C5115_03
80C51 MicrocontrollersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
T89C5115_06
Low Pin Countl 8-bit Microcontroller with A/D Converter and 16 KBytes Flash MemoryWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ATMEL
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