TD111F04KDM-K [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 400V V(RRM);
| 型号： | TD111F04KDM-K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 101000mA I(T), 400V V(RRM) |
| 文件： | 总6页 (文件大小：242K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 111 F
screwing depth
max. 12
fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
G2
K2
K1
G1
15
25
25
13,3 5
80
94
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK Febr. 1997
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and
tvj = -40°C...tvj max
tvj = -40°C...tvj max
tvj = +25°C...tvj max
VDRM, VRRM
VDSM= VDRM
200 400 600 800
V
Spitzensperrspannung
reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
VRSM= VRRM
ITRMSM
+ 100
200
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
111
A
tc = 76°C
128
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
3000
2600
45000
A
A
A2s
i2dt-value
i2dt
ò
ò
tvj = tvj max, tp = 10 ms
33800
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
critical rate of rise of off-state voltage
vD
67%, VDRM, fo = 50 Hz
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
160 A/µs
£
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
1)
2)
Kritische Spannungssteilheit
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
50
500
500
50 V/µs
500 V/µs
50 V/µs
500 V/µs
1000
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
tvj = tvj max, iT = 350 A
tvj = tvj max
vT
max. 1,95
V
VT(TO)
rT
1,2
1,4
V
tvj = tvj max
m
W
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max. 150
max. 2
mA
V
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
mA
V
mA
A
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
W
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
W
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tgd
tq
max. 1,4
C: max. 12
D: max. 15
D: max. 20
3
µs
µs
µs
µs
kV
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
=180° el,sinus: pro Modul/per module R
pro Zweig/per arm
max. 0,115 °C/W
max. 0,23 °C/W
max. 0,107 °C/W
max. 0,214 °C/W
max. 0,03 °C/W
max. 0,06 °C/W
Q
thJC
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
RthCK
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische mounting torque
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
AIN
6
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
M2
G
Nm
Nm
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
6
weight
typ. 430
14
g
mm
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Maßbild
creepage distance
vibration resistance
outline
f = 50 Hz
5 . 9,81
1
m/s²
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
2)
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei VRRM
800 V und DD 121 S bei VRRM 1000 V
£
£
For data of the diode refer to DD 122 S at VRRM
800 V and DD 121 S at VRRM 1000 V
£
£
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
eupec
GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 111 F
4000
3000
400
300
t
= 60°C
C
f
[kHz]
50...2kHz
0
Parameter: f [kHz]
0
[A]
TM
i
1
3
i
TM
200
2
6
3
[A]
1000
800
600
150
10
400
2
1
0,4
0,1 50 Hz
3
0,25
6
100
80
10
200
6
60
50
100
80
40
60
t
= 60°C
c
10
30
300
40
4000
3000
TT 111 F3/1
TT 111 F12/4
t
= 80°C
f
0
[kHz]
50...1kHz
C
50...400Hz
2
Parameter: f [kHz]
0
[A]
TM
3
1
200
150
i
i
TM
[A]
1000
800
600
6
2
10
3
100
80
400
1
50 Hz
2
0,4
0,25
0,1
3
6
10
200
60
50
100
80
10
6
40
60
t
= 80°C
c
30
40 TT 111 F4/2
3
300 TT 111 F13/5
t
= 100°C
C
2
[A]
200
Parameter: f [kHz]
0
[A]
i
TM
i
TM
3
10
f
[kHz]
50 Hz
0,4 3
50...1kHz
0
8
6
150
2
4
2
100
80
1
6
3
2
1
0,4
0,1 50 Hz
0,25
6
10
2
60
50
10
2
10
8
6
40
6
10
3
t
=100°C
6
4
c
30
5
3
40 6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
1 0
8
10
20
40
60
80 100
ms
TT 111 F14/6
+ di /dt [A/µs]
T
-
t
p
TT 111 F5/3
Bild / Fig. 1, 2, 3
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit für ei
Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehäusetemperatur
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
C
DRM
DM
DRM
Vorwärts-Sperrspannung V
£ 0,67 V
;
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,
q
DM
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
D
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______
Ausschaltverlustleistung:
Betrieb mit antiparalleler Diode oder
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 600 V/µs
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v
£ 50 V.
0
R
R
RM
dv /dt £ 500 V/µs und Anstieg auf v
RM
_ _ _ _ _
und Anstieg auf v
£ 0,67 V
= 0,67 V .
RM
RRM;
R
RRM
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten
0
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,
R
Anstieg auf V
RM
£ 50 V.
C
forward off-state voltage v
£ 0.67 V
,
DRM
DM
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,
q
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
C,
forward off-state voltage v
£ 0,67 V ,
DM
DRM
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
q
_______
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.
D
Operation with inverse paralleled diod or
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v
£ 50 V.
= 0.67 V
R
RM
RM
_ _ _ _ _
Turn-of losses:
dv /dt £ 500 V/µs rising up to v
.
RRM
R
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 600V/µs
0
R
and rise up to v
RM
£ 0.67 V
;
RRM
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for
0
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to
R
v
RM
£ 50 V.
i
i
RC-Glied/RC network:
RC-Glied/RC network:
-di /dt
T
i
.
.
v
i
TM
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
DM [V]
TM
R
C
R
t
t
C
£ 0,15µF
C £ 0,22µF
+di/dt
_
T
t
p
C
2
_
1
f0
_
1
f0
T=
T=
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
i
G
G
a
a
TT 111 F
3
2
3
2
± di /dt = 25 A/µs
T
± di /dt = 25 A/µs
T
W
W
W
= 10 Ws
= 10 Ws
= 10 Ws
4
6
6
6
10
10
10
1
2
600mWs 1Ws
400
2
4
6
6
6
0,6
tot
W
[Ws]
0,4
tot
i
200
100
i
TM
0,2
0,1
TM
3
3
1 0
10
[A]
8
6
8
6
[A]
60
40
4
4
0,06
0,04
2
2
2
2
20
10
0,03
0,025
10
1 0
8
6
8
6
0,02
6mWs
4
4
3
3 TT 111 F9/10
TT 111 F6/7
3
3
2
± di /dt = 50 A/µs
T
± di /dt = 25 A/µs
4
1
2
600mWs
0,6
1Ws
2
4
T
tot
2
W
[Ws]
400
200
0,4
tot
i
i
TM
TM
3
3
1 0
10
0,2
0,1
0,06
0,04
[A]
[A]
8
6
8
6
100
4
4
60
40
2
2
2
2
20
1 0
10
10
8
6
8
6
0,03
6 mWs
0,025
4
4
3 TT 111 F7/8
3 TT 111 F10/11
3
3
± di /dt = 100 A/µs
T
± di /dt = 100 A/µs
4
1Ws
2
4
1
2
tot
T
W
600mWs
2
2
[Ws]
0,6
tot
i
i
TM
TM
400
3
0,4
3
10
1 0
[A]
[A]
8
8
200
6
6
0,2
100
4
0,15
4
60
40
0,1
2
2
0,08
20
2
0,06
2
10
1 0
8
8
0,05
10
6
6
6 mWs
0,04
4
4
3
3
40 60
100
200
µs
6
1 0
400 600
1
2
4
t
40 6 0
100
200
µs
6
10
400 600
1
2
4
ms
m s
t
TT 111 F11/12
w
w
TT 111 F8/9
Bild / Fig. 7, 8, 9
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
tot
tot
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
DRM
,
RRM
£ 50V,
£ 0,67V
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 500 V/µs.
R
R
Diagram for the determination of the total energy
trapezoidal current pulse for one arm at:
W
for
a
Diagram for the determination of the total energy
trapezoidal current pulse for one arm at:
W
for a
tot
tot
given rate of rise of on-state current di /dt,
given rate of rise of on-state current di /dt,
T
T
DRM
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
RM
,
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
RM
,
DM
DRM
DM
maximum reverse voltage v
£ 50 V,
maximum reverse voltage v
£ 0.67 V
,
RRM
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 500 V/µs.
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM
TM
-di /dt
-di /dt
T
di /dt
T
di /dt
T
T
t
t
t
t
w
w
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
RC-Glied/RC network:
Steuergenerator/Pulse generator:
i = 0,6 A, t = 1µs
G
RC-Glied/RC network:
.
.
vDM [V]
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
G
a
a
C
£ 0,22µF
C £ 0,22µF
TT 111 F
10000
6000
3000
P
+ PT [kW]
TT
40
0,6
2
1
4
6
10
W
[Ws]
tot
0,4
0,2
20
10
i
TM
1000
[A]
600
i
T
2000
[A]
1000
6
4
0,1
2
1
0,06
0,04
600
400
400
0,6
0,4
0,02
0,01
200
100
200
0,2
0,1
6
mWs
60
40
100
60
0,06
0,04
4
3
2
mWs
20
10
0,02
40
30
40
6 0
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
10
4
1
2
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1ms
t [µs]
m s
TT 111 F1/13
t
TT 111 F2/14
p
Bild / Fig. 13
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen
tot
leistung (P + P ) je Zweig.
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
TT
T
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P + P ).
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal
tot
on-state current pulse for one arm.
TT
T
Lastkreis/load circuit:
i
RC-Glied/RC network:
T
.
v
v
£ 0,67 V
R
C
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
DM
RM
DRM
i
TM
£
50 V
C
£ 0,15µF
dv /dt £ 100 V/µs
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
G
a
30
20
100
60
t
v
gd
10
8
G
20
c
[µs]
[V]
b
6
a
10
4
2
6
4
2
1
0,8
0,6
a
b
1
0,6
0,4
0,4
0,2
0,1
0,2
0,1
600
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
A
A
i
i
T 72 F15 / T102 F/15
T 72 F16 / T 102 F/16
G
G
Bild / Fig. 15
Bild / Fig. 16
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v = 6V.
Zündverzug/Gate controlled delay time t ,
gd
D
Gate characteristic and peak power dissipation at v = 6V.
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.
a vj
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
D
Parameter:
a
b
c
__________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
[ms]
10
1
0,5
g
__________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
__________________________________________________________
i
TM = 500 A
120
[µAs]
Q
r
100
80
60
40
20
100 A
50 A
20 A
10 A
5 A
150
- di /dt [A/µs]
0
50
100
200
TT 111 F 02...08
T
Bild / Fig. 18
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)
r
t
= t
, v = 0,5 V
, v
= 0,8 V
vj
vj max
R
RRM RM
RRM
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
/
TM
Recovert charge Q = f(di/dt)
r
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
, v
= 0,8 V
RRM RM
Parameter: on-state current I
TM
TT 111 F
0,400
0,360
0,400
0,360
[°C/W]
Z
thJC
0
Z
q
[°C/W]
0
thJC
q
0,280
0,280
0,240
0,200
0,240
0,200
q =
30°
0,160
0,120
0,080
0,160
0,120
0,080
q =
60°
90°
30°
60°
120°
180°
90°
120°
180°
0,040
0
0,040
0
DC
-3
2
-2
0
1
1
2
-1
-2
-1
6 8 10
0
6 10
8
10
6 8
10
6 8
2
4
10
2
4 6 810
2
4
6 810
2
4
2
4
3
4
6 10
8
2
3 4 6 8 10
2
3
4
6 810
10
2
4
2
3
TT 106 F16/19
TT 101 F15.1/18
t [s]
t [s]
Bild / Fig. 18
Bild / Fig. 19
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
(th)JC
Transient thermal impedance, junction zo case, per arm Z
(th)JC
, junction to case.
.
Transient thermal impedance per arm Z
(th)JC
(th)JC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,0095
0,025
0,076
0,086
0,073 0,0305
0,412 2,45
thn
t
[s]
0,00089 0,0078
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
相关型号：
TD111F04KEB
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
TD111F04KEL
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
TD111F04KEM
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
TD111F06KCB
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON
TD111F06KCB-A
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
INFINEON
TD111F06KCM-A
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
INFINEON
TD111F06KCM-K
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明